Время - предварительное обыскривание
Cтраница 1
 |
Вид области спектра для определения вольфрама стилометром СТ-1. [1] |
Время предварительного обыскривания составляет 1 мин. [2]
 |
Схема графической корреляции между ( 1Г / и /., с, ( а и ( / г / г / / г6. [3] |
С целью упрощения время предварительного обыскривания, ис пользуемое также для определения сг, часто выбирается равным Зная эти соотношения, можно легко определить содержание эле мента г в пробе неизвестного состава. [4]
 |
Кривые выгорания циркония. [5] |
В соответствии с кривыми выгорания время предварительного обыскривания выбрано равным 5 мин. Параллельный ход кривых выгорания циркония и гафния в течение последующих 50 мин позволяет при времени экспозиции в 2 5 мин получить 25 - 27 спектров одного брикета. [6]
 |
Кривые выгорания циркония. [7] |
По этим кривым было выбрано время предварительного обыскривания брикета 2 мин. [8]
Суммируя все сказанное, можно рекомендовать устанавливать время предварительного обыскривания ( обжига), соответствующее наилучшей воспроизводимости количественного метода анализа, согласно следующим общим принципам. [9]
Целесообразно начать подбор условий анализа с определения времени предварительного обыскривания ( разд. Это время обычно тем короче, чем больше энергия возбуждения и чем меньше обыскриваемая поверхность. [10]
В дальнейшем желательно получить спектрограммы без предварительного обыскривания, а также с продолжительностью обыскривания, равной / в, А и / 2 времени выбранного предварительного обыскривания. Возбуждение без предварительного обыскривания и с очень коротким временем обыскривания может оказаться подходящим для материалов, содержащих легко выгораемые компоненты. [11]
 |
Схема фазовой диаграммы сплава А1 - Mg. [12] |
Из сказанного выше легко понять роль предварительного обы-скривания, индуктивности и емкости. Увеличение времени предварительного обыскривания приводит к росту температуры поверхности и кратеров электрода. Увеличение индуктивности удлиняет период разряда и одновременно способствует более интенсивному нагреву значительных областей поверхности и глубоких слоев электродов. Оба этих явления присущи возбуждению в низковольтной искре, для которой, как известно, из-за относительно высокого значения емкости характерен большой период разряда ( разд. Увеличение температуры приводит к возрастанию коэффициента диффузии D. [13]
Подходящую экспозицию можно экспериментально определить из серии экспериментов по обыскриванию. Значение аду рассчитывают из нескольких серий измерений, в которых меняют как время предварительного обыскривания, так и время экспозиции. [14]
 |
Общий принцип определения времени изосек-компенсации. а - кривые обыскривания. б - аналитические прямые линии. [15] |
Страницы: 1 2