Cтраница 1
Время памяти возможно увеличить за счет специальных процессов фиксирования. Реально времена памяти в фоторефрактивных кристаллах при комнатной температуре лежат в широком диапазоне значений от микросекунд до суток. [1]
Время памяти уменьшается с увеличением очищающего напряжения. Поданным работы [ 66 1 для камеры, наполненной неоном, имеется минимум т при очищающем напряжении 150 в, связанный с вторичными процессами, происходящими при большом очищающем поле. [2]
Время памяти или корреляции определяется спектральной шириной функции г) ( из u /) 7 ( u o cj) 2 и является очень коротким, если частотный разброс большой. [3]
Ттг есть время памяти системы. Длительность времени памяти может быть различной. В зависимости от величины времени памяти динамические инерционные модели подразделяются на модели с конечной и бесконечной памятью. [4]
Тп есть время памяти системы. Длительность времени памяти может быть различной. В зависимости от величины времени памяти динамические инерционные модели подразделяются на модели с конечной и бесконечной памятью. [5]
Таким образом, время памяти процесса осадков равно нулю, спектр на всех частотах постоянен, т.е. явление Харста здесь отсутствует. [6]
Модуляторы с диэлектрическими слоями имеют время памяти при хранении изображения в темноте без считывания в несколько десятков минут, а модуляторы без диэлектрика - порядка одной минуты. На такие параметры, как чувствительность и разрешающая способность, наличие изолирующих слоев практически не влияет. ПРИЗ без диэлектрических слоев может работать не только в циклическом, но и в непрерывном режиме, в котором наблюдается динамическая селекция изображений. Как будет осуждаться ниже, в механизме динамической селекции существенную роль играет ток инжекции с электрода в кристалл. Поэтому в модуляторах с изолированными электродами динамическая селекция невозможна. [7]
Во-первых, промежуток времени окончательного заключения и промежуток времени мгновенной памяти накладывают строгие ограничения на количество информации, которую мы в состоянии получить, обработать и запомнить. Посредством организации стимулов на входе одновременно по нескольким направлениям и последовательно определяя очередность участков ( порций), нам удается разрушить ( или, по крайней мере, вытянуть) этот информационный дефицит. [8]
В зависимости от соотношения интервалов между импульсами и времени памяти АФ последовательность беспорядочно следующих импульсов должна анализироваться как регулярный или как случайный процесс. [9]
При наполнении камеры газами, образующими отрицательные ионы, время памяти определяется подвижностью ионов и может достигать 1 мсек. [10]
Как будет видно из дальнейшего, именно это время ( время фазовой памяти) существенно для переноса энергии. [11]
Допустимая скорость развертки при регистрации ДИП зависит и от постоянной времени памяти регистрирующей системы полярографа, если эта постоянная соизмерима с ta или больше его. За время включения памяти она успевает отреагировать только на долю р ехр ( 16 7 / 110) 0 141 от изменения аналитического сигнала, которое произошло бы при бесконечно малой постоянной времени памяти прибора. [12]
Общая надежность дисплея зависит от таких факторов, как ресурс источника света, время памяти регистрирующей среды, а также сложность и число компонентов дисплея. [13]
Лагерра), которые ортогональны на пол у бесконечном интервале времени, не ортогональны за время памяти. [14]
Легко видеть из этой формулы, что функция восприимчивости убывает с возрастанием TI и поэтому обладает конечным временем корреляции или временем памяти. Экспоненциальное затухание получается только для лоренцевой формы зависимости плотности состояний от частоты. [15]