Время - память
Cтраница 2
Время задержки, для которого вероятность возникновения разряда по следу при подаче высокого напряжения не падает ниже некоторой величины, например 1 / 2, можно назвать временем памяти 1 искровой камеры. Это время определяет также разрешающее время искровой камеры. [16]
При этом оказывается [15 ] 5 что для пробных сигналов типа ПДШ и выборе в качестве систем рпг функций Лаггера время усреднения должно быть в несколько десятков раз больше времени памяти объекта. [17]
Функциональные свойства фоторефрактивных сред связаны с такими их характеристиками, как дифракционная эффективность, информационная емкость, полоса пропускания пространственных частот, чувствительность, быстродействие, шумы, динамический диапазон, время памяти. В настоящей главе рассматриваются, основные физические факторы, определяющие важнейшие параметры фоторефрактивных сред при их использовании в когерентно-оптических системах обработки информации. [18]
Особенностью фототитуса является необходимость охлаждения кристалла DROP до точки Кюри ( - 50 С) для снижения рабочего напряжения до 100 В ( при комнатной температуре оно около 1 8 кВ) и для увеличения времени памяти, поскольку в этом случае проводимость селена и DK. Кроме того, для предохранения DKDP от воздействия атмосферной влаги прибор вакуумируетсн, так как кристаллы DKDP гигроскопичны. [19]
 |
Система накопления информации на основе жидкокристаллического экрана. [20] |
В зависимости от интенсивности луча в локальной области экрана происходит разогрев данной области и селективно меняется светопропускание. Время памяти такого устройства составляет 10 и более часов. Изображение стирается при подаче на жидкокристаллический экран переменного напряжения 40 - 60 В. [21]
Время памяти резко уменьшается от максимального при непрерывном считывании информации и, конечно, зависит от интенсивности считывающего пучка. [22]
Время памяти возможно увеличить за счет специальных процессов фиксирования. Реально времена памяти в фоторефрактивных кристаллах при комнатной температуре лежат в широком диапазоне значений от микросекунд до суток. [23]
Ттг есть время памяти системы. Длительность времени памяти может быть различной. В зависимости от величины времени памяти динамические инерционные модели подразделяются на модели с конечной и бесконечной памятью. [24]
Тп есть время памяти системы. Длительность времени памяти может быть различной. В зависимости от величины времени памяти динамические инерционные модели подразделяются на модели с конечной и бесконечной памятью. [25]
 |
Схема устройства акустической памяти. 1 - входные преобразователи. 2 - выходной преобразователь.. ч - авуио-провод - пластина LiNbO3. 1 - полупроводниковая пластина ( Si или CdS с алектродом 5. [26] |
Использование легированного кремния позволяет запоминать акустич. Охлаждение кристалла дополнительно увеличивает время памяти. [27]
Из (3.45) видно, что TM зависит от величины средней интенсивности света, падающего на кристалл. Темп естественного стирания определяет время памяти кристалла - время хранения информации. При необходимости ускорить стирание кристалл можно равномерно осветить стирающим светом / ег, скорость стирания определяется тем же соотношением (3.45) с заменой / на / ег. Процесс стирания эквивалентен процессу разряда конденсатора. Заметим, что при ускоренном стирании целесообразно замыкать электроды, если используется дрейфовый механизм записи. [28]
Основной функцией системы распределения времени памяти в современных ЭВМ s - g является организация распре - S JL деления на уровне отдельных запросов. Эта функция реализуется, как правило, схемными средствами. Запросы устройств СРВ могут иметь резерв времени, определяемый их быстродействием и объемом местной памяти. При системы распределе-времени ОП на уровне апросов необходимо учиты-особенности входного потока запросов, наличие вре-резерва и распределение времени обслуживания. [29]
 |
Кинетика эффекта. [30] |
Страницы: 1 2 3 4