Время - пребывание - электрон
Cтраница 1
 |
Схема переходов электрона. [1] |
Время пребывания электронов в ловушках определяет, в основном, запаздывание высвечивания фосфоров с длительным послесвечением. Длительность послесвечения фосфоров определяется глубиной залегания энергетических уровней ловушек относительно дна зоны проводимости кристалла. Так как многие электроны рекомбинируют с активаторами, а не с дырками в валентной зоне, то спектр эмиссии фосфора зависит не только от самого кристалла, но и от природы активаторов и размещения их энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника. Таким образом, цвет излучения фосфора определяется видом активатора. [2]
За время пребывания электрона в отклоняющем промежутке на него воздействует поперечная сила FY, вызывающая появление поперечной составляющей скорости Vy При этом вектор общей скорости V, равный геометрической сумме V и VY, не совпадает с продольной Ъсью трубки, что приводит к отклонению Y пятна. [3]
Чему равно время пребывания электрона в области существования поля. [4]
В КМ время пребывания электронов в пространстве взаимодействия т порядка нескольких периодов ВЧ поля Т ( т як 3 - 4Г); для МПВ т на два-три порядка больше. Указанные отличия существенны и должны учитываться в теории МПВ. [5]
Длительность фосфоресценции определяется временем пребывания электрона на локальном уровне и может быть весьма большой. [6]
Под временем жизни т понимается время пребывания электрона в зоне проводимости. [7]
Под действием постоянной силы, направление которой в течение всего времени пребывания электрона в электрическом поле сохраняется неизменным, электрон станет двигаться по параболе. Докажем, что описываемая им траектория действительно является параболой. F направлена вдоль оси У. Начало координат отнесем к точке О, где электрон попадает в электрическое поле. [8]
Радикал в растворе принимает все возможные ориентации относительно внешнего поля за промежуток времени, малый по сравнению со временем пребывания электрона в состоянии с определенной энергией. Поэтому анизотропия спектра усредняется, и спектр становится изотропным. Для анализа спектра определяют значения магнитного поля, при которых имеет место резонанс на заданной микроволновой частоте. В таком случае величины iso и gav можно найти либо непосредственно из этих данных, либо используя в случае необходимости уравнение Брейта - Раби ( приложение 2, разд. Интерпретация спектров часто неоднозначна, особенно при наличии большого числа линий. Например, может оказаться неясным, является ли линия компонентой сверхтонкого мультиплета или же она обусловлена другими частицами. [9]
 |
Спонтанная электронная рекомбинация1 в состояние 22Рдля Cs. Зависимость коэффициента eg от электронной температуры Те. [10] |
Величина ре, казалось бы, не должна зависеть от скорости движения электрона, так как возрастание v уменьшает время пребывания электрона вблизи иона во столько же раз, во сколько увеличивается число встреч электрона с ионом. [11]
 |
Затухание инфракрасной ( - 1 2 мкм. люминесценции ( J и фототока ( 2 монокристаллов CdSe. [12] |
Это означает, что затухание, как и при отсутствии ловушек, будет происходить по законам бимолекулярной реакции, однако длительность затухания будет определяться в первую очередь временем пребывания электронов в ловушках. Следует отметить также, что константа скорости процесса aw / aa g оказывается сильно зависящей от температуры. Так именно и обстоит дело в случае сульфидных кристаллофосфоров. [13]
В последнем случае возникает квант люминесцентного излучения. Длительность этого процесса определяется временем пребывания электронов в ловушках. [14]
Особенности эффекта в твердой фазе: g - фактор близок к значению для свободного электрона и ширина линии чрезвычайно мала ( неск. В растворах свободных радикалов наблюдается сверхтонкая структура, дающая сведения о времени пребывания делокализованного электрона с неспаренным спином около различных ядер. [15]
Страницы: 1 2