Время - пребывание - электрон
Cтраница 2
 |
Затухание фосфоресценции ( а, а и вспышки ( в, в КС1 в ультрафиолетовой области. [16] |
С, можно пренебречь, ибо время задержки на них электронов при высоких температурах мало. При таких условиях опыта может наблюдаться экспоненциальный закон затухания, так как время пребывания электрона в зоне проводимости очень мало по сравнению с временем пребывания на уровнях захвата. При комнатной температуре в свечении могут участвовать электроны, освобождаемые не только из одной группы уровней захвата, и поэтому затухание будет протекать по более сложному закону. [17]
В работе [50] было высказано предположение, что ион-радикальные соли существенно отличаются от металлов тем, что эти соли являются квазиодномерными кристаллами с узкими зонами проводимости и образованы из молекулярных ионов. Ширина зон оценивается в 0 4 эВ или менее [16], что дает время пребывания электрона на узле решетки ( из принципа неопределенности) порядка 10 - 15 с. Это на порядок больше, чем время, необходимое для оптического возбуждения ( - 10 - 16 с), так что в фотоэмиссии, по-видимому, участвуют электроны, локализованные на отдельных узлах решетки в виде ионов ( как уже обсуждалось в гл. Электроны в таких металлических ион-радикальных солях могут рассматриваться как движущиеся [ или сильно коррелированным образом - как волны зарядовой плотности ( см. разд. Эти электроны будут перемещаться свободно ( см. разд. [18]
В зависимости от глубины потенциальной ямы ( разности энергии между нижним краем зоны проводимости и локальным уровнем) время пребывания электрона на локальном уровне может колебаться в широких пределах и это отразится на длительности люминесценции после прекращения возбуждения. [19]
Относительная плотность электронов непрерывно убывает с увеличением х, и следовательно, в среде / / нет потока электронов, текущего от границы. Это означает, что электроны, проникшие в среду / /, возвращаются обратно, и если рассматривать промежуток времени, достаточно большой сравнительно с временем пребывания электронов в среде / /, то количество электронов, прошедших через границу в среду / /, и количество электронов, прошедших через границу в обратном направлении, будет одинаково. [20]
Общие закономерности, касающиеся радиационного захвата электрона атомом, рассмотренные в предыдущей главе, в общем, справедливы и для радиационного захвата электрона положительным атомным ионом; и в этом случае вероятность его относительно мала по причинам, изложенным выше. Однако для положительных ионов вероятность захвата значительно больше, чем для нейтральных атомов. Это обусловлено, в частности, тем, что кулоновское притяжение между положительным ионом и электроном увеличивает время пребывания электрона вблизи положительного иона. [21]
Общие сообрз жения, касающиеся радиационного захвата электрона атомом, рассмотренные в предыдущей глазе, в общем -, справедливы и для радиационного захвата электрона положительным атомным ионом; и в этом случае вероятность его относительно мала по причинам, изложенным выше. Однако для положительных ионов эта вероятность все же значительно больше, чем для нейтральных атомов. Это обусловлено, а частности, тем, что кулоновское притяжение между положительным ионом и электроном увеличивает время пребывания электрона вблизи положительного иона. [22]
Общие соображения, касающиеся радиационного захвата электрона атомом, рассмотренные в предыдущей главе, в общем, справедливы и для радиационного захвата электрона положительным атомным ионом; и в этом случае вероятность его относительно мала по причинам, изложенным выше. Однако для положительные ионов эта вероятность все же значительно больше, чем для нейтральных атомов. Это обусловлено, в частности, тем, что кулоновское притяжение между положительным ионом и электроном увеличивает время пребывания электрона вблизи положительного иона. [23]
Строго говоря, такие процессы идут неупруго, электроны изменяют свою энергию очень сильно и для такого рассеяния нельзя применять теорию возмущений. Под поляроном обычно понимают некоторую совокупность электрона и поляризуемой им области, которая под действием внешнего электрического поля перемещается вместе с электроном. Тогда время пребывания электрона в высоко-энергетичном состоянии в результате поглощения фонона будет очень мало. Электрон сразу же после поглощения фонона испускает фонон практически той же энергии и, следовательно, рассеяние можно рассматривать как процесс обмена фононами. [24]
 |
Зависимость мощности в разрядном промежутке от приложенного напряжения и частоты тока. [25] |
Суть заключается в следующем. Часть электронов с большей энергией в голове лавины канала может вызвать появление дефектов ( электронных ловушек) в структуре изолирующего материала. При перемене полярности приложенного к разрядному промежутку напряжения поверхность с образовавшимися электронными ловушками становится катодом. Электроны, покидающие ловушки, дают начало ионизационным процессам в газе. Время пребывания электронов в ловушке весьма мало. [26]
Интересно сравнить эффективности N - и S-связанных изомеров в реакции окисления Fe2; оказалось, что эффективность изомера в присутствии азота возрастает почти в 40 раз. Важную роль играет также электронная проводимость многоатомной мостиковой связи, так как если в системе существует удобный путь, связанный с наличием сопряженных связей, то может иметь место взаимодействие лигандов на расстоянии. При этом ослабляется взаимное отталкивание между окислителем и восстановителем. ЗначительнугсГроль играет также фактическая способность мостиковой связи выступать в роли акцептора электронов. В целом проблему можно рассматривать как проблему туннельного перехода через энергетический барьер с использованием мостиковой связи и как проблему прохождения электронов через низшие незанятые молекулярные орбитали мостиковой связи. Эти две модели не являются совершенно независимыми друг от друга. Время пребывания электрона в области мостиковой связи может оказаться значительным с химической точки зрения. [27]
Роль неизлучающих переходов сказывается также на зависимости отдачи люминесценции от условий возбуждениям егомощности. Если возбуждающий квант слишком мал и его недостаточно для переноса электрона в полосу проводимости или на уровень прилипания, то люминесценция вообще не наступает. С увеличением возбуждающего кванта отдача растет, но проходит при этом через определенный максимум. Если возбуждающий квант слишком велик, то электрон переносится на высокие уровни полосы проводимости, где вероятность неизлучающих переходов соответственно выше. В результате, например, отдача фотолюминесценции растет с уменьшением длины волны возбуждающего света, проходит через пологий максимум и затем падает, когда возбуждающее излучение становится слишком коротковолновым. Аналогичная картина имеет место при изменении мощности возбуждения. В общем случае интенсивность свечения увеличивается с мощностью возбуждения, но отдача при этом проходит через определенный максимум. При слабом возбуждении время пребывания электрона в полосе проводимости велико и больше вероятность потери его энергии за счет тепловых переходов. При очень интенсивном возбуждении концентрация электронов в полосе проводимости возрастает до пределов, при которых вероятность неизлучающих переходов опять заметно увеличивается. [28]
Страницы: 1 2