Время - установление - температура
Cтраница 2
Инерционность терморезисторов косвенного подогрева определяется как постоянной времени установления температуры полупроводникового элемента за счет тепла, выделяемого при прохождении через него тока, так и постоянной времени установления температуры за счет тепла в обмотке подогрева. Действие тока подогрева на электрические параметры терморезистора аналогично действию температуры окружающей среды. [16]
Кривые tl и / 2 на рис. 31 6 показывают зависимость от количества металла Q времени установления температуры ( длительность переходного процесса) в печи без регулятора и с автоматическим регулятором. [17]
Инерционность терморезисторов косвенного подогрева определяется как постоянной времени установления температуры полупроводникового элемента за счет тепла, выделяемого при прохождении через него тока, так и постоянной времени установления температуры за счет тепла в обмотке подогрева. [18]
Инерционность терморезисторов косвенного подогрева определяется как постоянной времени установления температуры полупроводникового элемента за счет тепла, выделяемого при прохождении через него тока, так и постоянной времени установления температуры за счет тепла в обмотке подогрева. Действие тока подогрева на электрические параметры терморезистора аналогично действию температуры окружающей среды. [19]
 |
Изменение температуры в скважине после прекращения циркуляции для расчетного случая. [20] |
Так, для скважины глубиной 2840 м при расходе 30 - 32 л / с, диаметре долота 269 мм и плотности промывочной жидкости 1 3 г / см3 постоянная времени установления температуры на устье близка к 45 мин. Для скважины глубиной 3900 м при расходе 15 л / с, диаметре долота 190 мм, плотности промывочной жидкости 2 1 г / см3 постоянная времени близка к 60 мин. [21]
Установившаяся температура в термостате находится в пределах от 33 до 37 С. Время установления температуры в термостате не превышает 30 мин. [22]
 |
Габаритные размеры транзисторов П207 - П208А. [23] |
При повышении температуры окружающей среды свыше 30 С должно быть снижено предельное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе, на 0 7 em на каждые 10 С без дополнительного радиатора; при повышении температуры корпуса свыше 40 С рассеиваемая мощность должна быть снижена на 20 вт на каждые 10 С. Время установления температуры корпуса без дополнительного радиатора - 30 мин. [24]
При повышении температуры окружающей среды свыше 30 С должно быть снижено предельное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе, на 0 7 вт на каждые 10 С без дополнительного радиатора; при повышении температуры корпуса свыше 40 С рассеиваемая мощность должна быть снижена на 20 вт на каждые 10 С. Время установления температуры корпуса без дополнительного радиатора - 30 мин. [25]
Цилиндры были приварены друг к другу методом диффузионной сварки при различных давлениях, создаваемых молибденовым держателем. За начало отсчета времени диффузии было принято время установления температуры. При исследовании волокон бора, карбида кремния и диборида титана в различных титановых матрицах Снайд [42] использовал образцы, изготовленные нагревом прямым пропусканием тока в течение 5 - 10 с. [26]
Малые размеры р-п перехода диодов обусловливают большие значения их теплового сопротивления и чрезвычайно высокие скорости нарастания температурного перегрева при воздействии перепада мощности, что в результате приводит к низкой электрической прочности диодов. Тепловое сопротивление в зависимости от значения параметров диода составляет 2 - 7 С / мвт; время установления температуры р-п перехода 0 5 - 10 мксек. [27]
Сущность метода состоит в использовании так называемой термо - ЭДС горячих носителей, возникающей на концах полупроводникового образца с неоднородной концентрацией носителей зарядов, при неравномерном разогреве его полем СВЧ. Физически это объясняется тем, что в местах неоднородности концентрации имеют место внутренние ЭДС, обусловленные контактной разностью потенциалов между областями с равной концентрацией. Время установления температуры носителей на много - порядков меньше времени установления температуры кристаллической решетки, с которой связано возникновение обычной термо - ЭДС. [28]
Для определения плотности служит пикнометр с градуированным краном емкостью в 50 мл. Пикнометр помещают в термостат. Чтобы во время установления температуры не происходила полимеризация, к мономеру добавляют несколько миллиграммов хинона, концентрацию которого принимают в расчет при титровании. Устанавливают относительную плотность полимера приблизительно для растворов с концентрацией 10 - 16 %; для этого необходима навеска мономера в 5 - 8 г. Некоторые определения плотностей можно проводить в бензоле, тат; как иногда исследуют процесс полимеризации в бензоле как растворителе. [29]
Сущность метода состоит в использовании так называемой термо - ЭДС горячих носителей, возникающей на концах полупроводникового образца с неоднородной концентрацией носителей зарядов, при неравномерном разогреве его полем СВЧ. Физически это объясняется тем, что в местах неоднородности концентрации имеют место внутренние ЭДС, обусловленные контактной разностью потенциалов между областями с равной концентрацией. Время установления температуры носителей на много - порядков меньше времени установления температуры кристаллической решетки, с которой связано возникновение обычной термо - ЭДС. [30]
Страницы: 1 2 3