Время - установление - температура
Cтраница 3
Для усиления эффекта неоднородному разогреву следует подвергать полупроводник, концентрация носителей в котором пространственно неоднородна. Если разогрев осуществляется полем СВЧ, то по значению ЭДС можно судить о проходящей мощности СВЧ. Поскольку интервал установления температуры носителей зарядов на несколько порядков меньше времени установления температуры кристаллической решетки, ваттметры на основе разогрева носителей зарядов позволяют непосредственно измерять импульсную мощность при длительностях импульсов до 0 1 мкс. [31]
 |
Распределение температуры вдоль радиуса нормальной зоны. Числами на кривых указаны значения радиуса Кт холодной границы, отнесенного к К. [32] |
В итоге получаем три постоянные интегрирования А, В и С, которые определяются из условий непрерывности температуры и теплового потока при R q и граничного условия 6 Э0 на поверхности обмотки, находящейся в контакте с жидким гелием. Получающееся распределение температуры для обмотки бесконечно больших размеров показано на рис. 5.11. Однако это решение не позволяет определить критерий распространения нормальной зоны, которая, как следует из предыдущего изложения, на практике обычно много меньше поперечного сечения обмотки и не зависит-от него. Простая оценка времен диффузии тепла показывает, что время, в течение которого нормальная зона будет расти или сокращаться, значительно меньше времени установления температуры в обмотке за счет - диффузии тепла. Другими словами, критерий роста или исчезновения ( коллапса) нормальной зоны должен целиком определяться локальными свойствами материала обмотки и количеством подведенного к ней тепла. [33]
Страницы: 1 2 3