Cтраница 1
Время выключения транзистора, состоящее из времени задержки спада и времени спада импульса, в зависимости от выключающего тока базы определяется по формулам, приведенным в табл. 4.1. Границы применения формул определяются следующими соотношениями. [1]
Время выключения транзистора f определяется величинами эмиттерных и коллекторных емкостей нагрузочных каскадов. На рис. 10 проведены осциллограммы фронта выключения при различных значениях нагрузочной емкости. Эти осциллограммы позволяют сделать вывод, что длительность фронта выключения возрастает от величины емкости нагрузки в данной схеме меньше чем 1 нсек / пф. [2]
Ccll определяет время выключения транзистора ыкл з - Это время больше времени включения tBKX, поскольку сопротивление резистора с обычно велико. [3]
На рис. 8.21 приведены экспериментальные кривые зависимости времени выключения транзистора от величины запирающего тока базы для разных значений тока коллектора. Таким образом, положительное смещение в базе, во-первых, обеспечивает надежное запирание транзистора при максимальной рабочей температуре во-вторых, сокращает время выключения транзистора. [5]
Базовая схема инвертора усовершенствованной маломощной серии с диодами Шотки типа ALS. [6] |
Шотки всех насыщающихся транзисторов, что способствует исключению накопления излишнего базового заряда и значительно уменьшает время выключения транзисторов; устранение излишнего накопления заряда, что позволяет получить более стабильное время переключения в диапазоне температур; обеспечение улучшения динамической помехоустойчивости при высоком логическом уровне за счет активного выключения выходного транзистора. [7]
Задаемся величиной запирающего тока базы / бзп - От величины / б зи зависит - величина времени выключения транзистора Гц, а соответственно и величина рассеиваемой мощности. [8]
Конденсаторы Сь С2 и С3 обеспечивают подачу в базу оконечного транзистора достаточно большого запирающего импульса тока, что значительно сокращает время выключения транзистора. Величина емкости этих конденсаторов выбирается такой, чтобы постоянная времени цепей была равна 50 - 100 мксек. [9]
Здесь первое слагаемое определяет потери мощности, обусловленные сопротивлением насыщения, второе - потери мощности, обусловленные обратным сопротивлением, и третье - потери мощности во время выключения транзистора при условии, что в это время ток коллектора спадает по линейному закону, а изменение напряжения синусоидально. [10]
Из приведенных соотношений следует, что увеличение тока базы, открывающего транзистор ( увеличение коэффициента насыщения s), улучшает статические свойства ключа ( уменьшается остаточное напряжение Ока) и уменьшает время включения транзистора. G другой стороны, повышение коэффициента насыщения приводит к увеличению времени выключения транзистора вследствие возрастания времени рассасывания. Требуемое быстродействие ключевой схемы достигается путем форсировки отпирающего и запирающего токов базы при включении и выключении транзисторов. [11]
Формирование среза ( спада) импульса также может происходить в разных режимах, причем возможны случаи изменения граничных условий ( например, входных токов) в самом переходном процессе. В работах [ 4.1, 4.111 получено большое количество достаточно сложных выражений для определения времени выключения транзистора при различных соотношениях входных и выходных токов, поэтому здесь приводить их нецелесообразно. Следует отметить основные особенности этих расчетов. [12]
На рис. 8.21 приведены экспериментальные кривые зависимости времени выключения транзистора от величины запирающего тока базы для разных значений тока коллектора. Таким образом, положительное смещение в базе, во-первых, обеспечивает надежное запирание транзистора при максимальной рабочей температуре во-вторых, сокращает время выключения транзистора. [14]
Включение конденсатора GI параллельно балластному сопротивлению RQ позволяет значительно улучшить передний фронт импульса входного тока. Конденсаторы Сь С2 и С3 обеспечивают подачу в базу оконечного транзистора достаточна большого запирающего импульса тока, что значительно; сокращает время выключения транзистора. Величина емкости этих конденсаторов выбирается такой, чтобы постоянная времени цепей была равна 50 - 100 мксек. [15]