Время - выключение - транзистор
Cтраница 2
 |
Упрощенная схема ненасыщенного транзисторного ключа с нелинейной обратной связью. [16] |
Насыщенные ключи характеризуются малой мощностью рассеяния на коллекторном переходе во включенном состоянии и хорошей помехоустойчивостью. Однако в этом режиме из-за задержки выключения транзистора снижается быстродействие ключа. Кроме того, время выключения транзистора зависит от изменений окружающей температуры и может быть различно для различных транзисторов. Этот недостаток может быть устранен путем использования больших рассасывающих токов, что, однако, связано с применением специальных стробирующих каскадов. Другим недостатком насыщенных схем является большая мощность рассеяния на базе при больших степенях насыщения. [17]
Обычно эмиттерные переходы транзисторов шунтируются резисторами. Это позволяет улучшить параметры составного транзистора - повысить рабочее напряжение коллектор - эмиттер, уменьшить температурную нестабильность. Одновременно с этим сокращается время выключения транзистора, так как при прямом смещении эмиттерных переходов шунтирование их резисторами обеспечивает отрицательный гок базы, вытекающий из транзистора и способствующий его запиранию. [18]
Что понимают под насыщающим током базы. Что понимают под временем включения, временем накопления и временем выключения транзистора. [19]
 |
Логическим элемент на ДТК [ IMAGE ] Импульсным усилитель с многообмоточным импульсным трансфер - с расширенной логикой на входе, матором. [20] |
Делитель RI, R2 обеспечивает базовое смещение. Благодаря включению конденсатора С / резко уменьшается входное сопротивление ключа в момент переключения транзистора, что приводит к соответствующему увеличению тока базы и уменьшению времени включения. Кроме того, созданное делителем Rl, R2 смещение способствует уменьшению времени выключения транзистора, так как ток базы после окончания действия входного импульса не только уменьшается до нуля, но и меняет свое направление, что приводит к ускорению процесса выключения транзистора. [21]
Полученная форма базового тока обеспечивает глубокую степень насыщения транзистора в момент формирования фронта импульса, что сокращает длительность последнего. Однако избыточный заряд носителей в базе, соответствующий установившемуся току базы, будет небольшим. По окончании импульса ( 7ВХ появляется ток разряда конденсатора С, сокращающий время выключения транзистора. [22]
В), что определяет применение соответствующих диодов. Это увеличивает коммутационные потери не только в диодах выпрямителя, но и в транзисторах инвертора. При этом элементы источника оказываются в режиме короткого замыкания, что создает условия для коммутационных выбросов на фронтах переключения, ведущих к отказу источника. Время tBjH - должно быть в 3 - 4 раза меньше времени выключения транзистора и соответствовать для современных высокочастотных выпрямительных диодов в. [23]
Страницы: 1 2