Объемное время - жизнь
Cтраница 1
Объемное время жизни уменьшается с ростом плотности дефектов решетки. Увеличение концентрации примесей в полупроводнике также; уменьшает тоб. Максимальное значение тоб имеет собственный полупроводник. [1]
Объемное время жизни измеряется на образцах, вырезанных из монокристаллов германия, полученных зонной плавкой и обработанных так, чтобы максимально уменьшить скорость поверхностной рекомбинации. Естественно, что для образцов с очень большим объемным временем жизни нельзя пренебрегать поверхностными эффектами, но для образцов, использованных в настоящих исследованиях ( - - 200 мксек. [2]
Объемное время жизни уменьшается с. Максимальное значение то6 имеет собственный полупроводник. [3]
Объемное время жизни неравновесных носителей заряда в германии и, кремнии, вычисленное по (2.10), может составлять широкий диапазон ( от 10 2 до 10 8 с) и зависит от количества и типа примесей, а также от состояния и чистоты поверхности. Последнее обстоятельство объясняется тем, что на поверхности полупроводника всегда имеются различные дефекты структуры атомной решетки, а также пленки окислов и молекулы адсорбированных газов, которые могут образовать большое число локальных уровней, вызывающих интенсивный процесс рекомбинации электронно-дырочных пар. [4]
Объемным временем жизни неравновесных носителей заряда называют среднее время между генерацией и рекомбинацией неравновесных носителей заряда в объеме полупроводника. [5]
 |
ЗошАя схема электронного полупроводника с положительным объемным зарядом в приповерхностной области. [6] |
TI 125 мкс, а объемное время жизни, измеренное для толстого образца, равно Тр 250 мкс. [7]
В табл. 2 сведены измерения значения объемного времени жизни, коэффициента диффузии и подвижности дрейфа неосновных носителей тока для слитков германия, из которых были вырезаны образцы для изучения поверхностной рекомбинации. Значения подвижности дрейфа хорошо согласуются с данными Хэйнса и Шокли [7], полученными совершенно другим методом. [8]
Как и следовало ожидать, для травленых образцов и малого объемного времени жизни этими поправками можно было пренебречь, исключая случай низких температур, где поправки также были довольно малы. Эти данные получены на уже описанном ранее образце [3]; концентрация носителей тока в нем вычислялась в предположении, что ловушки не вырождены. [9]
 |
Схема метода затухания фотопрово димости. [10] |
Для образцов большой толщины при малой скорости поверхностной рекомбинации величина тэфф определяется объемным временем жизни. Для этого толщина образца / должна превышать диффузионную длину, по крайней мере, в пять раз. [11]
Обычно исходный полупроводниковый материал выбирают, исходя из значений объемного удельного сопротивления, объемного времени жизни неосновных носителей заряда, скорости поверхностной рекомбинации, однородности и геометрических размеров. [12]
Неравенство ( 1) получено в предположении, что справедлива диффузионная теория и что объемное время жизни т одинаково во всех точках образца, в том числе и в слое поверхностного пространственного заряда. [13]
Темновой ток, создаваемый объемной тепловой генерацией носителей, можно снижать выбором материала с большим объемным временем жизни. Снижение тока поверхностных утечек достигается пассивацией поверхности. [14]
Таким образом, эффективное время жизни неосновных носителей в тонком слое не зависит ни от объемного времени жизни, ни от самой скорости рекомбинации. Оно определяется средним временем, в течение которого неосновные носители проходят расстояние, равное толщине пластины, за счет диффузии. [15]
Страницы: 1 2 3