Объемное время - жизнь
Cтраница 3
Скорости поверхностной рекомбинации для обеих сторон пластины одинаковы. Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда в пластине т 125 икс, объемное время жизни, измеренное для толстого образца, равно Тр 250 мкс. [31]
За интервал, равный времени жизни, избыточная концентрация неравновесных носителей убывает в е раз. Время жизни зависит от температуры полупроводника. В германии, например, время жизни может увеличиться на 1 - 2 порядка при изменении температуры от - 60 до 60 С, Объемное время жизни уменьшается с ростом плотности дефектов решетки. Увеличение концентрации примесей в полупроводнике также уменьшает т0б - Максимальную величину тоб имеет собственный полупроводник. [32]
 |
ЗошАя схема электронного полупроводника с положительным объемным зарядом в приповерхностной области. [33] |
TI 125 мкс, а объемное время жизни, измеренное для толстого образца, равно Тр 250 мкс. Длина и ширина пластины значительно превышают ее толщину, равную 2а 0 2 мм, скорость поверхностной рекомбинации на нижней грани s2 гораздо меньше, чем s, эффективное время жизни неравновесных носителей заряда в пластине TI 20 мкс, а объемное время жизни Тр 100 мкс. [34]
Произведенные в 22 случаях измерения скорости поверхностной рекомбинации при травлении электронного образца в течение 2 мин. Такая воспроизводимость может считаться хорошей. Травитель WAg не только дает низкие значения скорости поверхностной рекомбинации, но и по воспроизводимости поверхностных условий превосходит все другие травители, например СР4 и Н202, которые также дают малую скорость поверхностной рекомбинации. Если разница между т0 и т мала по сравнению с т, то таким способом мозкно получить довольно точное значение объемного времени жизни. [35]
Развита теория диффулии носителей тока с учетом вероятности отражения их от поверхности без рекомбинации. Введен коэффициент отражения, характеризующий поверхность образца. Найдены объемное время жизни и скорость поверхностной рекомбинации для электронных и дырочных образцов германия при различной поверхностной обработке. [36]
Сильное влияние не только на электрические характеристики, но и на их стабильность оказывают процессы, происходящие на поверхности полупроводника. Даже идеально чистая поверхность, являясь границей кристаллической структуры, вызывает резкие изменения свойств полупроводника в приповерхностном слое. В частности, здесь искривляются границы энергетических зон и в пределах запрещенной зоны появляется некоторое количество разрешенных уровней. Это приводит к увеличению скорости рекомбинации неравновесных носителей на поверхности и к уменьшению их времени жизни. Поэтому наряду с объемным временем жизни существует понятие об эффективном времени жизни тэфф неосновных носителей, которое характеризует средний темп рекомбинации, обусловленной как объемными свойствами полупроводника, так и влиянием поверхности. Строго говоря, величина тэфф для каждого участка объема, удаленного от поверхности на различное расстояние, имеет разное значение. [37]
Сильное влияние на электрические характеристики транзисторов и их стабильность могут оказывать процессы, происходящие на поверхности полупроводника. Даже идеально чистая поверхность, являясь границей кристаллической структуры, вызывает резкие изменения свойств в приповерхностном слое полупроводника. В частности, здесь искривляются границы энергетических зон и в пределах запрещенной зоны появляется некоторое количество разрешенных уровней. Это приводит к увеличению скорости рекомбинации неравновесных носителей на поверхности и к уменьшению их времени жизни. В связи с этим, наряду с объемным временем жизни, существует понятие об эффективном времени жизни тэфф неосновных носителей, которое характеризует средний темп рекомбинации, обусловленной как объемными свойствами полупроводника, так и влиянием поверхности. [38]
Страницы: 1 2 3