Конечное время - жизнь
Cтраница 3
Поэтому они имеют конечную длину свободного пробега /, конечное время жизни т / / и, где v - тепловая скорость электрона. [31]
При написании уравнения (8.4) не учитывалось, что дырки имеют конечное время жизни; это будет рассмотрено в дальнейшем. Очевидно, время жизни влияет на концентрацию неосновных носителей в любой точке. Обозначим через р значение концентрации дырок в базе при тепловом равновесии. [32]
Иными словами, благодаря конфигурационному взаимодействию у дискретного состояния ср появляется конечное время жизни т Й / 2тс VE 2, которое, конечно, совершенно не связано с наличием каких-либо процессов диссипации энергии. [33]
В отличие от основного состояния, возбужденные состояния атомных ядер имеют конечное время жизни т и в результате переходят в основное ( или ниже расположенное) состояние нуклонной системы путем испускания каких-либо частиц. [34]
В соответствии с решением задачи 2.2 при наличии одновременно уширения из-за конечного времени жизни тьо линия излучения остается лоренцевской, причем ее ширина равна 2kzSD 1 / тйо. [35]
Так как генерируемые под действием света в образце кремния электронно-дырочные пары имеют конечное время жизни, то изменение сигнала на нагрузочном сопротивлении будет отставать по фазе на угол ф от светового сигнала. Поэтому подаваемые на осциллограф сигналы от двух источников не совпадают по фазе и на экране будут наблюдаться фигуры Лиссажу. [36]
Как указывалось ранее, отрицательные ионы могут образовываться в квазистационарных состояниях с конечным временем жизни относительно отщепления электрона. Если время жизни ионов достаточно велико ( т 10 - 6 сек), то ионы регистрируются масс-спектрометрически как отдельные массовые пики. Эдель-сон и др. [100] разработали метод определения среднего времени жизни ионов относительно выброса электрона. [37]
Естественное и столкновительное уширение линии вызвано одной и той же причиной - конечным временем жизни частицы в возбужденном состоянии. Форма линии уширения в обоих случаях определяется особенностью вероятных процессов и поэтому одинакова. [38]
Термин Циклоприсоединение следует применять только в тех случаях, если циклический продукт имеет конечное время жизни. Циклическая структура должна быть промежуточным соединением, а не только переходным состоянием. [39]
При более точном описании, когда переходами не пренебрегают, возбужденные состояния имеют конечное время жизни. Это время жизни весьма велико для обычных дискретных уровней энергии, но оно не так велико для тех дискретных уровней энергии, которые лежат в непрерывном спектре системы Не - ( Не - е -); но времена жизни и тех и других остаются много большими, чем времена процессов перехода. [40]
 |
Пиролитическая ячейка с нагреваемой. [41] |
Дженнингс и Димик [4] обнаружили, что используемые ими платиновые нагреваемые нити имели конечное время жизни. [42]
Рассмотрим для примера простейший случай, когда данный переход сопровождается слабым затуханием из-за конечного времени жизни состояний, между которыми происходит переход. [43]
Электроны в зоне проводимости полупроводника находятся в возбужденном состоянии и, следовательно, имеют конечное время жизни. При встрече они аннигилируют с дырками. Однако вероятность такой рекомбинации очень мала, потому что и электроны, и дырки движутся с большими скоростями и вероятность их нахождения в одном и том же месте пространства в один и тот же момент времени ничтожна. Поэтому главный путь рекомбинации осуществляется посредством захвата электронов ( или дырок) примесными атомами. Этот механизм значительно более эффективен, чем прямая рекомбинация. Тем не менее вероятность рекомбинации посредством захвата также не очень велика и обычно обеспечивает сравнительно большую продолжительность жизни соответствующих носителей. [44]
Не меньшую роль играет рекомбинация в нестационарных процессах; благодаря ей свободные носители имеют конечное время жизни, а время жизни характеризует скорость изменения концентраций электронов и дырок при быстрых изменениях внешних факторов. Поэтому изучение механизма рекомбинации и ее количественных закономерностей необходимо для понимания и использования многих важнейших явлений в полупроводниках и полупроводниковых приборах. [45]
Страницы: 1 2 3 4