Статистическое время - запаздывание
Cтраница 1
Статистическое время запаздывания зависит от многих обстоятельств и не является величиной постоянной. Нормально в 1 см воздуха под действием космических лучей, радиоактивности Земли и др. в 1 сек образуется от 10 до 20 электронов. Время статистического запаздывания в таком случае сравнительно велико и поэтому для уменьшения его искровой промежуток облучают ионизирующими излучениями. Статистическое время запаздывания в значительной степени зависит также от величины приложенного к электродам напряжения к от материала катода. [1]
Статистическое время запаздывания зависит от многих факторов. Оно увеличивается с уменьшением работы выхода металла катода, интенсивности внешнего ионизатора и величины приложенного напряжения. Наибольших значений это время достигает в промежутках с однородным полем при напряжении U0, при котором выполняется условие самостоятельности разряда. [2]
Статистическое время запаздывания может быть значительно уменьшено путем посторонней ионизации, например облучением разрядного промежутка рентгеновскими, ультрафиолетовыми или радиоактивными лучами. С увеличением приложенного напряжения ( амплитуды импульса) статистическое время запаздывания сокращается, вследствие того что с увеличением напряжения вероятность появ ления активного свободного электрона в промежутке увеличивается. В резко неоднородных полях статистическое время запаздывания близко к нулю, так как запальные электроны появляются в промежутке за счет электростатической эмиссии с острия. Затемнение промежутка затрудняет появление свободных электронов и тем увеличивает время разряда. [3]
 |
Зависимость среднего статистического времени запаздывания от величины перенапряжения для электродов из различных. [4] |
Наибольшее значение статистического времени запаздывания наблюдается у промежутка между шарами, покрытыми пленкой окиси меди. Поэтому поверхность шаровых разрядников небольшого диаметра перед измерением импульсных напряжений следует полировать. [5]
В резконеоднородных полях статистическое время запаздывания невелико и слабо зависит от интенсивности внешней ионизации, что объясняется иными процессами образования необходимых для начала разряда электронов. Как указывалось выше, в таких полях напряженность поля вблизи электрода с малым радиусом кривизны достигает очень больших величин еще до того, как напряжение сделается равным разрядному. При отрицательной полярности стержня всегда находящиеся в объеме ионы при обретают большую скорость и выбивают электроны из поверхности электрода. Поскольку в обоих случаях путь, проходимый ионами, невелик, время, затрачиваемое на появление свободного электрона, оказывается весьма малым. [7]
Это время ст называют статистическим временем запаздывания, так как вероятность появления активного электрона в промежутке подчинено статистическим законам. [8]
 |
Разновидности искровых промежутков, применяющихся в схемах осциллографов. [9] |
Время срабатывания искрового промежутка складывается из статистического времени запаздывания и времени формирования разряда. Поэтому промежутки, изображенные на рис. 5 - 67 а и д, в общем случае имеют большее время срабатывания, чем остальные промежутки, изображенные на рис. 5 - 67, так как ультрафиолетовое излучение разряда во вспомогательном промежутке значительно снижает статистическое время запаздывания. Можно получить очень малое время запаздывания разряда во вспомогательном промежутке ( порядка сотых долей микросекунд), если расстояние между его электродами достаточно мало, а конфигурация электродов обеспечивает резкую неоднородность поля между ними, и амплитуда импульса напряжения, поданного на вспомогательный промежуток, значительно превосходит его пробивное напряжение. [10]
Когда время действия напряжения сравнимо со статистическим временем запаздывания разряда, а электрическая прочность диэлектрика имеет очень высокое значение, механические усилия, создаваемые в диэлектрике электрическим полем, превосходят предел его механической прочности и происходит разрыв кристаллической решетки. [11]
Величина 1 / & т; называется статистическим временем запаздывания. Из рис. 108 видно, что эта зависимость хорошо соблюдается. При возрастании избыточного напряжения и сохранении постоянной ионизации, величина k приближается к постоянному значению, так как каждый электрон в этом случае приводит к пробою. Исключения наблюдаются лишь для промежутков между остриями, когда начинает сказываться автоэлектронная эмиссия или когда на поверхности электродов имеются адсорбированные газы или оксидные пленки. [12]
 |
Составляющие времени разряда. [13] |
Таким образом, развитие разряда в промежутке начнется не в момент времени t, а в момент t2 ti tc, где tc - так называемое статистическое время запаздывания, является временем ожидания первого эффективного электрона. [14]
Теперь рассмотрим развитие разряда во времени. Статистическое время запаздывания зажигания анодного промежутка устранено у тиратронов тлеющего разряда введением подготовительного разряда. Недооценка этого фактора приводит к тому, что сеточное напряжение для создания подготовительного разряда выбирают недостаточным по величине. После включения аппаратуры в некоторых тиратронах возможно запаздывание возникновения подготовительного разряда. Это явление особенно проявляется в аппаратуре, долго хранящейся в темноте в нерабочем состоянии, и может послужить причиной отказов. [15]
Страницы: 1 2 3