Интенсивность - дифракция
Cтраница 2
 |
Расположение кри. [16] |
Эти выражения относятся к случаю, когда интенсивность дифракции регистрируется на поверхности сферы. [17]
Формулы, полученные в предыдущем параграфе, определяют интенсивность дифракции при падении на кристалл строго монохроматической и строго плоской волны. Рассмотрим теперь ряд случаев, в которых эти условия не выполнены. [18]
Таким образом, слагаемые типа (7.40) определяют отличие интенсивности упругой дифракции Y-квантов на колеблющемся кристалле от таковой на неподвижной пространственной решетке атомов. Легко убедиться, что для количественного описания роли движения атомов в формировании упругой дифракции вовсе нет необходимости ограничиваться квадратичным по смещениям приближением. [19]
Вокруг каждой точки решетки существует некоторая область, влияющая на интенсивность дифракции; размеры этой области зависят от размеров и формы кристалла и от вида и степени нарушения решетки в кристалле. [20]
Подчеркнем еще раз, что именно структурный фактор обеспечивает различие в интенсивности дифракции, связанное со спецификой атомного мотива структуры. Аргумент тригонометрических функций, входящих в формулу структурного фактора, имеет непосредственный физический смысл: выражение hxj kyj Izj есть величина смещения атомной сетки, проведенной через у - й атом элементарной ячейки, в направлении, перпендикулярном плоскости сетки, а 2тс ( hXj kyj Izj) - начальная фаза отраженного этой атомной сеткой луча, вызванная указанным смещением. [21]
В направлении ( б) следовало бы полнее использовать данные об интенсивности дифракции от упорядоченного материала ( при этом не обязательно приписывать отдельным рефлексам индексы Миллера) и обширные данные по дифракции электронов, если удастся понять причину зависимости от степени ориентации образца. При исследовании степени упорядоченности может быть полезна картина рассеяния от полностью аморфных образцов. Хотя некоторые простые типы разупорядоченности были отброшены [99], было бы полезно попытаться методом наименьших квадратов установить вклад отдельных типов неупорядоченных структур при их одновременном присутствии. [22]
 |
Электронная дифракционная картина монокристаллов полиэтилена ( а. [23] |
Сильное рассеяние электронов, проходящих через образец, приводит к тому, что интенсивность дифракции в 106 - 10 раз выше интенсивности, достигаемой в аналогичных условиях при использовании рентгеновского излучения. [24]
Какова будет проекция функции Паттерсона на плоскость ( к, г), полученная на основе интенсивностей дифракции нейтронов при учете как ядерного, так и магнитного рассеяния. [25]
Уиттейкер ( Whittaker, 1963a), рассчитав цилиндрическую решетку по рядам Фурье, пришел к выводу, что интенсивность дифракции должна быть одинаковой независимо от того, будет ли полая трубка заполнена аморфным или только частично аморфным материалом. [26]
В целом можно считать, что точечные электронные дифракционные картины от больших областей тонких кристаллических пленок представляют собой усреднение интенсивностей динамической дифракции но некоторому диапазону толщин и ориентации. [27]
Это обстоятельство, кроме повышенных требований к чувствительности регистрирующих средств, приводит к существенному увеличению интенсивности фона по сравнению с интенсивностью дифракции ПВХ. [28]
В случае нейтронного излучения нейтроны взаимодействуют с дельтообразным потенциалом ядерных сил 8 ( х, у, г), к интенсивность дифракции по сравнению с рентгеновским излучением примерно в 102 раз слабее. Этим методом удается получать сведения об ориентации магнитных моментов атомов в элементарной ячейке. [29]
Во второй части I тома было указано на существование, помимо особенностей атомного расположения, целого ряда других факторов, влияющих на интенсивность дифракции. Именно для исключения этих факторов, не играющих существенной роли в вопросах геометрии дифракционного эффекта, и был введен ряд произвольных, упрощающих картину допущений ( там же, стр. [30]
Страницы: 1 2 3 4