Интенсивность - рассеянное излучение
Cтраница 1
Интенсивность рассеянного излучения в первую очередь зависит от количества электронов в электронной оболочке и увеличивается по мере повышения порядка симметрии. Тем самым становится возможным локализовать положение отдельных атомов в молекуле. [1]
Интенсивность рассеянного излучения определяется концентрацией рассеивающих центров, их размером и формой. В деформированных и предварительно ориентированных полимерах обнаружено скопление очень мелких дефектов, возникающих под действием механической нагрузки. Эти дефекты имеют форму дисков, ориентированных в поле механических сил перпендикулярно разрушающим усилиям. При однородном растяжении эти микродефекты образуют в полимере систему параллельно расположенных микродисков, каждый из которых располагается перпендикулярно оси растяжения. Анализ зависимостей скорости зарождения микродефектов от уровня растягивающего напряжения, времени и температуры позволил сделать вывод о том [36], что эти дефекты являются зародышем тех дефектов, рост которых приводит к разрыву образца. [2]
Интенсивность рассеянного излучения зависит от угла рассеяния, энергии полезного пучка, величины поля или зоны рассеивания и композиции объекта. [3]
Интенсивность рассеянного излучения измеряется на расстояниях, зо много раз превышающих длину волны рассеянного света, так что рассеянные рентгеновские волны можно считать плоскими. [4]
Интенсивность рассеянного излучения зависит от геометрических условий, величины и материала рассеивателя. Экспериментальный материал по интенсивности рассеянного излучения в настоящее время еще недостаточный. [5]
Интенсивность рассеянного излучения во втором и третьем случаях определяется квадратом модуля % ( 3) 2, что существенно искажает форму полезного сигнала из-за вклада фона нерезонансного рассеяния. [6]
 |
Влияние ширины полосы пропускания на спектры идентичных растворов. Следует обратить внимание на то, что оптическая плотность, меняется от спектра к спектру на 0 1. [7] |
Интенсивность рассеянного излучения в высококачественных приборах не превышает нескольких десятых процента во всем интервале длин волн; в обычных условиях она не оказывает заметного влияния на величину оптической плотности. Однако, если измерения проводят при длинах волн, экстремальных для данного прибора, рассеянное излучение может внести заметную ошибку. Так, обычный спектрофотометр для измерений в видимой области снабжен стеклянной оптикой и кюветами; стекло начинает поглощать в области 350 - 400 нм. Кроме того, в таких приборах используют фотоумножители или фотоэлементы с максимумом электрического сигнала в интервале 500 - 700 нм; при 350 нм сигнал может составлять всего 10 % ( или меньше) максимального. Наконец, в приборах такого типа источником служит вольфрамовая нить, максимум энергии которой соответствует длинноволновой области видимого излучения; при 350 нм излучение составляет лишь часть максимального. Эти три фактора лимитируют применение прибора в коротковолновой области; чтобы получить значение оптической плотности в этой области, необходимо проводить измерения при максимальном усилении детекторного сигнала, максимальной интенсивности источника и с относительно-широкой щелью. [8]
 |
Установка для измерения обратного рассеяния с сцин-тилляционным спектрометром. [9] |
Вначале интенсивность рассеянного излучения возрастает пропорционально увеличению толщины слоя отражающего материала. Но при больших толщинах слоев рост интенсивности уменьшается вследствие увеличения поглощения падающего и рассеянного излучений. Окончательная величина лежит в пределах статистических ошибок и соответствует кажущемуся значению толщины насыщения. [10]
 |
Индикатрисы рассеяния малых шаровых частиц. [11] |
Кривая распределения интенсивности рассеянного излучения называется индикатрисой рассеяния. Индикатриса рэлеевского рассеяния показана на рис. 11, а. Максимальное, одинаковое по величине рассеяние имеет место в направлении падающего излучения и в обратном направлении. [12]
Внутренняя конверсия уменьшает интенсивность рассеянного излучения. При резонансном поглощении у-излучения только 1 / ( 1 а) доля возбужденных состояний распадается, вновь испуская у-квант, а а / ( 1 а) доля распадается с испусканием электронов конверсии. Поскольку для мессбауэровских низкоэнергетических переходов коэффициенты внутренней конверсии, как правило, очень большие, интенсивности электронов конверсии или рентгеновских лучей, испускаемых после конверсии, также велики. [13]
При абсолютных измерениях интенсивности рассеянного излучения необходимо по возможности точно учитывать действительные размеры того объема жидкости, который посылает поток рассеянного света в объектив регистрирующего устройства. [14]
I показано, что интенсивность рассеянного излучения всегда пропорциональна квадратам индуцированных моментов и, следовательно, квадратам компонент тензора рассеяния. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5