Интенсивность - рассеянное излучение
Cтраница 3
Сущность действия толщиномеров, основанных на регистрации интенсивности рассеянного излучения, заключается в том, что количество у-квантов, рассеянных от вещества под углом 180, возрастает с увеличением толщины мишени, достигая насыщения при определенной толщине образца. Это дает возможность измерять толщину материала ( если она меньше, чем толщина слоя насыщения); должен иметься доступ только к одной стороне испытуемого образца. [31]
Спектры КР представляют в виде кривых зависимости интенсивности рассеянного излучения от величины сдвига частоты возбуждающего света. [32]
Теория релеевского рассеяния света устанавливает связь между интенсивностью рассеянного излучения и поляризуемостью молекул в оптическом диапазоне частот. [33]
Из представленных формул видно, что измерение зависимости интенсивности рассеянного излучения от углового вектора рассеяния позволяет понять, какой области объекта соответствует информация по рассеянию. [34]
В виде примера на рис. 14.11 приведена кривая интенсивности рассеянного излучения жидкого золота. [35]
Наша ближайшая задача состоит в выявлении связи между интенсивностью рассеянного излучения и координатами атомов Эта связь и является по существу тем центральным соотношением, на котором - базируется исследование структуры кристалла. [36]
 |
Электронограмма от препарата РЬТе.| Электронограмма от. [37] |
Они позволяют проводить полное определение элементарной ячейки и оценивать интенсивность рассеянного излучения. [38]
Следует отметить, что во всех приведенных выше соотношениях интенсивность рассеянного излучения выражена в электронных единицах. [39]
Рентгеновские лучи рассеиваются почти полностью внешними электронами атомов и интенсивность рассеянного излучения зависит от того, каким образом распределены эти электроны в атоме. При малых углах дифракции амплитуда рассеянного пучка равна сумме амплитуд отдельных пучков, рассеянных каждым электроном. Таким образом, суммарная амплитуда пропорциональна числу внешних электронов. Для атома это число равно порядковому номеру Z, но у иона число внешних электронов отличается от Z на заряд иона. При больших углах дифракции различные рассеянные лучи интерферируют, рассеяние ослабляется и коэффициент пропорциональности становится меньше числа внешних электронов. Факторы рассеяния можно рассчитать, зная волновые функции электронов, что и было сделано, а полученные результаты табулированы. На рис. 8.1 приведены некоторые значения факторов рассеяния как функции sinG / A. Здесь, как обычно, 6 означает брэгговский угол, а Я - длину волны рентгеновских лучей. [40]
Таким образом, в результате вынужденного испускания фотонов hujs интенсивность рассеянного излучения может возрасти на много порядков величины, что объясняет аномально большую интенсивность рассеянного света. [41]
Однако большие значения р соответствуют далеким крыльям индикатрисы, где интенсивность рассеянного излучения крайне мала. [42]
На пути этого излучения помещается поляризатор Р, позволяющий измерять интенсивность рассеянного излучения, поляризованного в направлениях, перпендикулярном / JL и параллельном / ц направлению поляризации электрического вектора падающего излучения. Измеряемое экспериментально отношение рп / 1 Дн называется степенью деполяризации рассеянного излучения данной частоты. [43]
Если падающее излучение поляризовано в направлении единичного вектора еь то интенсивность рассеянного излучения, прошедшего через анализатор, направление которого характеризуется единичным вектором в2, дается формулой (9.3) из гл. [44]
Таким образом, в результате вынужденного испускания фотонов fi ( As интенсивность рассеянного излучения может возрасти на много порядков величины, что объясняет аномально большую интенсивность рассеянного света. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5