Эффективное время - жизнь - носитель
Cтраница 1
 |
Распределение токов в тиристорной структуре при воздействии импульса управления. [1] |
Эффективные времена жизни носителей в базах тб1 и тб2 учитывают наличие объемной и поверхностной рекомбинаций основных носителей и уход их через эмиперные переходы при уг 1 и у3 1, а также влияние ускоряющих полей, возникающих в базовых областях благодаря градиенту концентрации примесей. [2]
Эффективное время жизни носителей заряда в тонком кристалле прямо пропорционально его толщине и обратно пропорционально скорости поверхностной рекомбинации. [3]
Трэ и т э - эффективные времена жизни носителей заряда в п-и р-эмиттерах с учетом рекомбинации на контактах катода и анода; пэ и Ра - коэффициенты инжекции электронов через переход Ji и дырок через переход / з в р - и п-эмиттеры. [4]
Эти процессы, приводя к изменению эффективного времени жизни носителей заряда, могут являться причиной нестабильности параметров и характеристик полупроводниковых приборов. [5]
Если время нахождения носителя в ловушке захвата велико или велика концентрация ловушек захвата, то эффективное время жизни носителя заряда может оказаться значительно больше действительного времени жизни, так как находящийся в ловушке захвата носитель не может в это время рекомбинировать. [6]
Если время нахождения носителя в ловушке захвата велико или велика концентрация ловушек захвата, то эффективное время жизни носителя заряда может оказаться значительно больше действительного времени жизни, так как находящийся в ловушке захвата носитель не может в это время рекомби-нировать. Рекомбинация возможна только после ионизации ловушки захвата или после освобождения носителя заряда. [8]
Искривление линий тока приводит к повышению концентрации носителей у одной грани и к ее понижению у другой. Поскольку эффективное время жизни носителей в тонких пластинках определяется поверхностной рекомбинацией, то перераспределение носителей приводит к изменению роли поверхностной рекомбинации и изменению эффективного времени жизни. [9]
После насыщения транзистора характер движения носителей в базовом переходе несколько изменяется, становится менее упорядоченным. Это приводит к изменению среднего эффективного времени жизни носителей. [10]
 |
Относительное изменение коэффициента передачи тока базы ( В в зависимости от дозы нейтронов. [11] |
При повышении уровня нейтронной радиации у транзисторов наблюдается уменьшение коэффициента передачи тока базы В или р и увеличение неуправляемого обратного тока коллекторного перехода / Кбо, а также изменения других параметров, непосредственно связанных с ними. Основной причиной уменьшения В ( Р) является понижение эффективного времени жизни носителей в области базы. [12]
 |
Структура электролюминесцентного порошкового излучателя ( конденсатора.| Яркостная характеристика электролюминесцентного порошкового излучателя. [13] |
Цвет излучения определяется шириной запрещенной зоны электролюминофора и глубиной залегания энергетических уровней рекомбинацион-ных ловушек в запрещенной зоне. Длительность процесса высвечивания ( послесвечение) зависит от времени жизни неосновных носителей заряда и от наличия в электролюминофоре ловушек захвата, которые могут существенно увеличить эффективное время жизни носителей. [14]
 |
Яркостная характеристика электролюминесцентного порошкового излучателя. [15] |
Страницы: 1 2