Эффективное время - жизнь - носитель - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Сказки - это страшные истории, бережно подготавливающие детей к чтению газет и просмотру теленовостей. Законы Мерфи (еще...)

Эффективное время - жизнь - носитель

Cтраница 2


Цвет излучения определяется шириной запрещенной зоны электролюминофора и глубиной залегания энергетических уровней рекомбинационных ловушек в запрещенной зоне. Длительность процесса высвечивания ( послесвечение) зависит от времени жизни неосновных носителей заряда и от наличия в электролюминофоре ловушек захвата, которые могут существенно увеличить эффективное время жизни носителей.  [16]

Как будет показано, тс зависит от времени пролета и от времени захвата носителей. Это получается из соотношения для дрейфового тока / ne d) 7L, где п равно произведению скорости генерации ( при опустошении ловушек) nt ( t) / r ( и эффективного времени жизни носителей гс.  [17]

В схеме на рис. П-8 применяется исключительно включение триода по схеме с общим эмиттером. Кроме более высокой точности, такое включение позволяет даже для высокочастотных триодов пользоваться входными импульсами с относительно пологим передним фронтом ( несколько десятых микросекунды), так как постоянная времени тр, равная при таком включении триода эффективному времени жизни носителей в базе, имеет величину по крайней мере несколько микросекунд. Величины сопротивлений R6 и RK выбираются из тех же соображений, что и в приведенной выше схеме. Для мощных триодов эта граница расширяется до нескольких миллиампер.  [18]

Уравнение (1.1) для скорости рекомбинации носителей справедливо в рамках модели Шокли-Рида с одноуровневыми рекомбинационными центрами при условии, что Рр Пп ( предполагается, что поглощающий слой обладает проводимостью р-типа), а т не зависит от пр и от координаты. Данное приближение, по-видимому, допустимо для квазинейтральных областей большинства рассматриваемых систем при освещении в условиях, близких к АМО, если т представляет собой эффективное время жизни носителей, измеренное при аналогичных значениях концентрации носителей, облученности и температуры.  [19]

Так, коэффициент усиления по напряжению р у полупроводникового триода прямо пропорционален эффективному времени жизни в кристалле данного прибора. В свою очередь, величина тэфф у тонкого кристалла ( d C L) определяется скоростью поверхностной рекомбинации. Напомним, что Ks в выражении ( 123) является коэффициентом поверхностной рекомбинации, а символ Сосн обозначает концентрацию основных носителей в объеме кристалла. Поэтому эффективное время жизни носителей в данном кристалле может изменяться только за счет соответствующего изменения коэффициента Ks. Из формулы ( 117) следует, что этот коэффициент зависит от концентрации носителей заряда на поверхности кристалла и от энергетического расположения ловушек в запрещенной зоне полупроводника. Рассмотрим оба указанных фактора в отдельности.  [20]

Время, необходимое для полного удаления поврежденного слоя с поверхности германия при использовании указанных трави-телей, составляет 2 - 3 мин. Дальнейшее травление, как правило, не улучшает качества поверхности. По сравнению с составом ( I) смесь СР-4 обеспечивает меньшую скорость поверхностной рекомбинации неосновных носителей заряда и, следовательно, приводит к увеличению эффективного времени жизни в данной пластинке полупроводника. В связи с этим травление в составе СР-4 часто применяют при изготовлении приборов с плоскостными электронно-дырочными переходами, для которых высокое значение эффективного времени жизни носителей заряда особенно важно.  [21]

22 Схема поверхностного слоя германия ( поверхность не пассивирована. [22]

Результаты измерений позволяют предположить, что на реальной поверхности имеются два различных типа состояний: быстрые и медленные. Быстрые состояния характеризуются временем захвата носителей тока порядка не более нескольких микросекунд, медленные состояния - от миллисекунд до нескольких часов. Быстрые состояния связаны в основном с характером обработки поверхности ( наличие примесей, дефектов), медленные - со структурой окисного слоя и окружающей газовой средой. Быстрые состояния находятся на границе германий - окись германия, медленные - в самом слое и на его поверхности. Установлено, что в связи с существованием поверхностных состояний на границе объем - поверхность возникает потенциальный барьер, от которого зависят такие явления, как работа выхода, контактный потенциал, выпрямление, поверхностная рекомбинация ( а следовательно и эффективное время жизни носителей тока), поверхностная проводимость, шумы.  [23]



Страницы:      1    2