Интенсивность - падающее излучение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
"Имидж - ничто, жажда - все!" - оправдывался Братец Иванушка, нервно цокая копытцем. Законы Мерфи (еще...)

Интенсивность - падающее излучение

Cтраница 1


Интенсивность падающего излучения в этом приближении остается практически неизменной при его распространении.  [1]

Интенсивность падающего излучения / 0 определяется свойствами стенки ограничивающей объем газа.  [2]

3 Схематическое изображение прибора для измерения рассеяния света. Фотометрическую ячейку можно поворачивать вокруг оси, расположенной прямо под центром сосуда, в котором содержится раствор. Выходящий из фотометра сигнал усиливается и регистрируется гальванометром или самописцем. [3]

Обычно интенсивность падающего излучения / 0 значительно выше, чем интенсивность рассеянного света. Ее можно измерять с помощью такого же устройства, как и в случае рассеянного излучения, или понижая предварительно интенсивность, что достигается пропусканием света через ряд калиброванных фильтров, или регулируя коэффициент усиления обнаруживающего устройства.  [4]

Полная вероятность пропорциональна интенсивности падающего излучения. Вероятность излучения фотона электроном легко подсчитать совершенно аналогичным образом.  [5]

Обозначим через / пад интенсивность падающего излучения. Энергия, излученная в единицу времени с единицы площади, называется испускательной способностью вещества стенок. Через / погл и / отр обозначим энергию поглощенную и отраженную стенкой.  [6]

Здесь / о - интенсивность падающего излучения; ц - Линейный коэффициент поглощения, зависящий от атомного номера поглощающего вещества и энергии излучения.  [7]

Это выражение учитывает модуляцию интенсивности падающего излучения, описанную в условии задачи.  [8]

Обозначим начальную интенсивность пучка ( интенсивность падающего излучения) через / о. В каждом малом слое толщиной их поглощение происходит тем более интенсивно, чем больше квантов излучения падает на вещество и чем больше имеется поглощающего вещества в этом слое.  [9]

Зависимость анодного тока ФЭУ от интенсивности падающего излучения линейна только до определенного значения. Спектральная чувствительность ФЭУ также определяется материалом катода, которые чаще всего бывают цезиевыми или сурьямно-цезиевыми. Одним из достоинств ФЭУ является также их малая инерционность. ФЭУ заключают в светонепроницаемый экран, который одновременно служит защитой от электростатических и электромагнитных полей.  [10]

Обозначим начальную интенсивность пучка ( интенсивность падающего излучения) через / о. В каждом малом слое толщиной их поглощение происходит тем более интенсивно, чем больше квантов излучения падает на вещество и чем больше имеется поглощающего вещества в этом слое.  [11]

Зависимость анодного тока ФЭУ от интенсивности падающего излучения линейна только до определенного значения. Спектральная чувствительность ФЭУ также определяется материалом катода, которые чаще всего бывают цезиевыми или сурьямно-цезиевыми. Одним из достоинств ФЭУ является также их малая инерционность. ФЭУ заключают в светонепроницаемый экран, который одновременно служит защитой от электростатических и электромагнитных полей.  [12]

Скорость фотоэлектронов не зависит от интенсивности падающего излучения.  [13]

На рис. 2 представлено распределение интенсивности падающего излучения в той же области длины i волн. Источником в ИКС-11 является штифт Нернста.  [14]

В этих условиях значительная часть интенсивности падающего излучения переходит, в дифракционный пучок ( для участков фольги, имеющих совершенное кристаллическое строение), а оставшаяся часть интенсивности проходит сквозь образец.  [15]



Страницы:      1    2    3    4