Cтраница 1
Интенсивность падающего излучения в этом приближении остается практически неизменной при его распространении. [1]
Интенсивность падающего излучения / 0 определяется свойствами стенки ограничивающей объем газа. [2]
Обычно интенсивность падающего излучения / 0 значительно выше, чем интенсивность рассеянного света. Ее можно измерять с помощью такого же устройства, как и в случае рассеянного излучения, или понижая предварительно интенсивность, что достигается пропусканием света через ряд калиброванных фильтров, или регулируя коэффициент усиления обнаруживающего устройства. [4]
Полная вероятность пропорциональна интенсивности падающего излучения. Вероятность излучения фотона электроном легко подсчитать совершенно аналогичным образом. [5]
Обозначим через / пад интенсивность падающего излучения. Энергия, излученная в единицу времени с единицы площади, называется испускательной способностью вещества стенок. Через / погл и / отр обозначим энергию поглощенную и отраженную стенкой. [6]
Здесь / о - интенсивность падающего излучения; ц - Линейный коэффициент поглощения, зависящий от атомного номера поглощающего вещества и энергии излучения. [7]
Это выражение учитывает модуляцию интенсивности падающего излучения, описанную в условии задачи. [8]
Обозначим начальную интенсивность пучка ( интенсивность падающего излучения) через / о. В каждом малом слое толщиной их поглощение происходит тем более интенсивно, чем больше квантов излучения падает на вещество и чем больше имеется поглощающего вещества в этом слое. [9]
Зависимость анодного тока ФЭУ от интенсивности падающего излучения линейна только до определенного значения. Спектральная чувствительность ФЭУ также определяется материалом катода, которые чаще всего бывают цезиевыми или сурьямно-цезиевыми. Одним из достоинств ФЭУ является также их малая инерционность. ФЭУ заключают в светонепроницаемый экран, который одновременно служит защитой от электростатических и электромагнитных полей. [10]
Обозначим начальную интенсивность пучка ( интенсивность падающего излучения) через / о. В каждом малом слое толщиной их поглощение происходит тем более интенсивно, чем больше квантов излучения падает на вещество и чем больше имеется поглощающего вещества в этом слое. [11]
Зависимость анодного тока ФЭУ от интенсивности падающего излучения линейна только до определенного значения. Спектральная чувствительность ФЭУ также определяется материалом катода, которые чаще всего бывают цезиевыми или сурьямно-цезиевыми. Одним из достоинств ФЭУ является также их малая инерционность. ФЭУ заключают в светонепроницаемый экран, который одновременно служит защитой от электростатических и электромагнитных полей. [12]
Скорость фотоэлектронов не зависит от интенсивности падающего излучения. [13]
На рис. 2 представлено распределение интенсивности падающего излучения в той же области длины i волн. Источником в ИКС-11 является штифт Нернста. [14]
В этих условиях значительная часть интенсивности падающего излучения переходит, в дифракционный пучок ( для участков фольги, имеющих совершенное кристаллическое строение), а оставшаяся часть интенсивности проходит сквозь образец. [15]