Cтраница 1
Короткая вспышка этой лампы освещает то деление шкалы диска /, которое и соответствует измеряемой глубине. Так как диск вращается непрерывно и излучаемые импульсы непрерывно следуют друг за другом, то наблюдатель видит освещенным каждый раз одно и то же деление шкалы, соответствующее измеряемой глубине. [1]
Короткая вспышка света высокой интенсивности, сопровождающая это явление, позволяет пользоваться им как источником мгновенного освещения при фотографировании быстрых процессов. [2]
Термолюминесценция представляет собой короткую вспышку света, вызываемую нагревом предварительно освещенного образца. На рис. 7.17 показана типичная кривая изменения интенсивности испускаемого света после увеличения температуры. Относительная эффективность термолюминесценции Е определяется изменением площади, ограниченной кривой свечения. [4]
Электрическая искра дает чрезвычайно короткую вспышку; скорость же света неизмеримо больше скорости звука, о величине которой мы будем говорить ниже. [6]
![]() |
Схема установки для импульсного фотолиза с мощной вспышкой по Клес-еону и Линдквисту. [7] |
Импульсные лампы с короткой вспышкой очень удобны при спектроскопическом изучении высокореакционноспособных промежуточных частиц. [8]
![]() |
Формирование синхросигналов разверток. [9] |
Информация о синхронизации содержится в короткой вспышке на частоте поднесущей, Причем вспышка следует за импульсом строчной развертки и исчезает до того, как начинается модуляция несущей сигналом изображе -: ния. [10]
Люминссцирукмций кристалл, возбужденный двумя интенсивными короткими вспышками света, высвечивается также короткой вспышкой, возникающей с задержкой во времени, равной расстоянию между импульсами возбуждающего света. В этом опыте наблюдаются оптич. Идеи применения этой методики в оптике основана на общих свойствах возбужденных состояний двухуровневых систем. [11]
Фотоэлектронные умножители, предназначенные для регистрации коротких вспышек слабой интенсивности, должны иметь хорошее быстродействие ( 10 - 3 - Ю-10 с) и высокую чувствительность. Способность ФЭУ выделять световые импульсы, незначительно различающиеся по интенсивности, характеризуется собственным амплитудным разрешением фотоэлектронного умножителя, которое тем выше, чем ниже уровень собственных шумов ФЭУ. Минимальные значения ( нижний порог) интенсивности измеряемых потоков излучения определяются темновым током и шумами. Темповой ток ФЭУ обусловлен термоэлектронной и автоэлектронной эмиссией с поверхности фотокатода и динодов, токами утечки между электродами прибора. [12]
Другой особенностью является скорость затухания фототока, возникающего после короткой вспышки света. Такая зависимость часто обнаруживается в аморфных веществах, однако в ПДА - ТС должно быть очень мало центров рассеяния и рекомбинации. [13]
Реактор, в который помещается исследуемое вещество, облучается мощной короткой вспышкой света, создаваемой специальной импульсной лампой с непрерывным спектром излучения. Вспышка получается при разряде батареи конденсаторов, заряженных предварительно до высокого напряжения. Электрическая энергия достигает десятков килоджоулей при длительности вспышки в несколько десятков микросекунд. Под действием облучения происходит диссоциация молекул исследуемого вещества. Концентрация активных частиц непосредственно после вспышки оказывается столь значительной, что ее можно измерить. В классическом флеш-фотолизе анализ проводится при помощи спектров поглощения; анализирующая лампа также представляет собой импульсную лампу, излучение от которой после прохождения через исследуемое вещество и спектрограф снимается на фотопластинку. Проводя серию опытов с различными задержками анализирующей лампы относительно вспышки, можно проследить за изменением концентрации активных частиц во времени. [14]
![]() |
Схема установки для наблюдения эффекта Зеемана в антиферромагнитных кристаллах в импульсных магнитных полях. [15] |