Солнечная вспышка

Cтраница 2

Гипотеза о солитонной природе солнечных вспышек, являясь альтернативой общепринятым представлениям о процессах магнитных пересоединений, может разрешить многие сложные проблемы солнечной МГД. [16]

Рекуррентные форбуш-понижения, вызванные солнечными вспышками. Они могут иметь место в тех случаях когда несколько вспышек происходит в одной активной области на Солнце, которая становится источником высокоскоростного потока. [17]

Одно время считалось, что солнечные вспышки могут создаваться пересоединением в токовом слое на вершине шлемовидного стримера ( Sturrock, 1966), но в наши дни было доказано, что выделение энергии происходит на гораздо более низких высотах. Все же остается возможность, что существует отдельный класс явлений, которые возникают вследствие пересоединения в токовом слое стримера. Cliver and Kahler, 1991), но эти события происходят относительно редко по сравнению с СМЕ, и не связаны со вспышками. [18]

Типичный спектр солнечной вспышки.| Относительный спектр солнечной вспышки. [19]

Протоны, образовавшиеся в результате солнечной вспышки, почти всегда обнаруживаются шарами-зондами и ракетами уже после того, как они проникли в атмосферу. [20]

Одним из проявлений солнечной активности являются солнечные вспышки. [21]

Первоначально некоторые исследователи считали, что большие солнечные вспышки или эруптивные протуберанцы инициируют выброс корональной массы, но сегодня ясно, что это не так. Аккуратное исследование временных интервалов, характерных для эруптивных явлений, показало, что СМЕ обычно начинаются за полчаса до начала импульсной фазы вспышки ( Harrison, 1995), а, именно, как раз в тот момент времени, когда протуберанец только возбуждается и начинается его медленный подъем перед быстрым выбросом. Кроме того, возможно, что СМЕ содержит большее количество энергии, чем сопутствующая вспышка. С нашей точки зрения, в этом случае мы имеем дело с очень сложной МГД системой, части которой быстро взаимодействуют друг с другом с помощью МГД волн и, что особенно важно, когда происходит выброс, то происходит выброс всей МГД структуры. [22]

Интенсивные полярные сияния возникают как следствие солнечной вспышки. Плазма, испускаемая солнечной вспышкой, достигает поверхности Земли через 1 5 - 2 суток. Наблюдается такая же очередность между солнечной вспышкой и полярным сиянием. В результате солнечной вспышки значительно возрастает интенсивность потока плазмы солнечного ветра, а расстояние от центра Земли до магнитопаузы уменьшается в два-три раза. Возникают новые каналы неустойчивостей, в результате которых плазма может проникнуть в область слабого магнитного поля и таким образом достичь атмосферы Земли. Механизмы этих неустойчивостей разнообразны и приводят к разным формам полярных сияний. [23]

Нерекуррентные форбуш-понижения вызываются ударными волнами от солнечных вспышек. [24]

Начальная скорость ударных волн, порожденных солнечными вспышками, может быть определена из частотного дрейфа радиовсплесков II типа, когда такие всплески наблюдаются. [25]

Хотя в большинстве случаев защита от протонов солнечных вспышек или радиационного пояса Земли является определяющей, не следует полностью исключать вклад электронов и генерируемого ими тормозного излучения. В тех случаях, когда космический корабль находится в зоне повышенных потоков электронов ( внешний радиационный пояс Земли или искусственные радиационные пояса, образуемые при высотных ядерных взрывах), при малой толщине защиты ( менее 5 г / см2) электроны могут вносить значительный вклад в суммарную поглощенную тканевую дозу за защитой. При толщине защиты 5 г / см2 вклад в поглощенную дозу за защитой тормозного излучения, генерируемого электронами, превышает вклад самих электронов. [26]

Земли и, что особенно опасно, солнечных вспышек. При воздействии протонного излучения одним из существенных показателей действия радиации в биполярных транзисторах является значительное увеличение базового тока и уменьшение коэффициента передачи тока, которые обусловлены возникновением дополнительных центров рекомбинации в транзисторе. Наиболее существенную роль играет рекомбинация в областях пространственного заряда эмиттера, поэтому эти области являются определяющими в биполярном транзисторе при радиационном воздействии. Поскольку при падении рабочего тока в микрорежиме увеличивается ширина запирающего слоя эмиттерного перехода, то следует ожидать увеличения роли радиационного излучения на параметры биполярного транзистора. [27]

Во время самой сильной в нынешнем столетии солнечной вспышки в марте 1989 г. из-за перегрузки вышла из строя энергосистема в Канаде, оставив на 9 часов без электроэнергии 6 млн. человек. [28]

Хотя такие петли намного больше типичных петель солнечных вспышек, они растут со временем очень похожим образом и приводят к появлению корональных лучей ( стримеров) шлемовидной формы с острием на вершине. Если активные области возникают ниже СМЕ, то в такой активной области всегдя наблюдается яркая вспышечная петля. [29]

Радио -, рентгеновское и г амма-излучение солнечных вспышек нетеплового происхождения дает важную информацию о физических условиях в областях генерации энергичных частиц и о механизмах ускорения. [30]

Страницы: 1 2 3 4