Оптическая вспышка

Cтраница 1

При слабых возбуждениях уровни.| Уровни вспышки. [1]

Оптическая вспышка щелочноземельных фосфоров может быть использована для исследования длинноволновой части спектров излучения. [2]

Особенно отчетливо оптическая вспышка наблюдается у кристаллофосфоров, обладающих глубокими уровнями локализации, с которых при комнатной температуре возбужденные электроны не могут самостоятельно высвободиться. Такие возбужденные, но не люминесцирующие в обычных условиях фосфоры дают яркую вспышку при их облучении инфракрасными лучами. [3]

Относительная чувствительность вспышечных SrS. [4]

Общие закономерности оптической вспышки, описанные выше, были наблюдены и изучечы главным образом на щелочноземельных фосфорах. [5]

Накачку можно производить или с помощью мощной оптической вспышки, как в рубиновом лазере, или химически, как в химическом лазере НЗ РЗ - - - - 2HF, 11F - - - - - HF фотон. [6]

Накачку можно производить или с помощью мощной оптической вспышки, как в рубиновом лазере, или химически, кзк в химическом лазере НЗ РЗ - - - - 2HF, 11F - - - - - HF фотон. [7]

Это заключение подтверждается и высоким значением выхода оптической вспышки. Каждая повторная локализация электронов на глубоких уровнях требует поглощения нового кванта высвечивающего излучения для поднятия электрона в полосу проводимости. [8]

Спектральное распределение стимулирующего действия света на ультрафиолетовое свечение NaCl - Т1 и KCi - T1 / 295 /. [9]

По данным Ч. Б. Лущика и И. В. Волина [318], исследовавших спектры стимуляции оптической вспышки ряда рентгенизо-ванных щелочно-галоидных фосфоров, основной является f - поло-са. Обнаруживаются также и более длинноволновые М -, N - и 0-полосы стимуляции оптической вспышки, но они в несколько десятков раз слабее, чем F-полоса. Таким образом, тепловые микродефекты, существующие в неактивированных щелочно-галоидных кристаллах проявляются также и в активированных кристаллах в качестве электронных центров захвата. [10]

В настоящем параграфе приведено описание опытных данных, относящихся к процессам оптической вспышки и гашения. [11]

Каждое облучение возбужденного кристаллофосфора импульсом ИК-лучей вызывает кратковременную вспышку его свечения ( оптическая вспышка), возникающую при рекомбинации оптических электронов. Кроме того, появляется слабое, но довольно продолжительное послесвечение - вторичная фосфоресценция. Вторичная фосфоресценция возникает при задержанной рекомбинации оптических электронов, успевших первоначально локализоваться на ловушках, а затем медленно освобождающих с них тепловым путем. Величина энергии минимальных квантов, достаточных для освобождения ловушек данной системы, называется их оптической глубиной, которая превышает термическую глубину. [12]

Прямая пропорциональность яркости вспышки t7 B SrS-Ce, Sm-La - фосфора и интенсивности высвечивающих лучей /. [13]

В описанных случаях высвечивающее действие добавляется к обычному, естественно текущему температурному высвечиванию; оптическая вспышка или тушение накладывается на естественную фосфоресценцию. В этих условиях возбужденные фосфоры первоначально не дают свечения и начинают светиться лишь под действием высвечивающего длинноволнового излучения. [14]

Иногда при практическом изучении люминесценции удобно произвести следующую классификацию: свечение в момент возбуждения, естественная фосфоресценция и оптическая вспышка. Очевидно, что наиболее сложным по составу будет свечение в момент возбуждения, особенно в случае установления состояния равновесия. [15]

Страницы: 1 2