Оптическая вспышка

Cтраница 2

Иногда при практическом излучении люминесценции удобно применять следующую классификацию: свечение в момент возбуждения, естественная фосфоресценция и оптическая вспышка. Очевидно, что наиболее сложным по составу будет свечение в момент возбуждения, особенно при установлении состояния равновесия. [16]

Спектр стимуляции оптической вспышки в кристаллофосфоре ZnS-Cl при температуре - 196 С. [17]

Если на предварительно возбужденный и высвечивающийся кристаллофосфор направить инфракрасное излучение, то на процесс затухания его фосфоресценции наложит-ся вспышка свечения, получившая название оптической вспышки. Под действием ИК-излучения оптическая вспышка возникает у цинксульфид-ных, щелочноземельных, ще-лочногалоидных и многих других кристаллофосфоров. [18]

Если на возбужденный и естественно затухающий фосфор направить поток длинноволновых, в частности инфракрасных, лучей, то у многих фосфоров обнаруживается ускорение высвечивания, проявляющееся в первоначальном сильном возрастании свечения ( оптическая вспышка) и последующем уменьшении яркости свечения по сравнению с необлучаемым фосфором. Это более быстрое затухание свечения в данном случае является простым следствием более быстрого израсходования аккумулированной фосфором световой суммы. [19]

Явления оптической вспышки и оптического тушения были рассмотрены нами в предыдущем параграфе. Они лучше всего проявляются в двух - и трехактиваторных фосфорах. [20]

Эти опытные факты прежде всего наводят на мысль о том, что F-центры, являясь идентичными по своим оптическим свойствам, по-видимому, находятся в различных условиях в отношении вероятности рекомбинации F-электронов с центрами свечения. В случае оптической вспышки диссоциация / - - центров и ультрафиолетовая люминесценция возникают вследствие перехода F-электронов в зону проводимости и их последующей рекомбинации с центрами свечения. Такая непосредственная рекомбинация, минуя зону проводимости, может иметь место, например, если при возбуждении электрон локализуется в области галоидной вакансии вблизи центра свечения. В этом случае не исключена также возможность рекомбинации F-электронов с центрами свечения путем просачивания через потенциальный барьер. Таки F центры, расположенные вблизи илив сфере действия центров свечения, будут проявляться как малоустойчивые центры окраски. Именно такими малоустойчивыми F центрами вызывается частичное спонтанное обесцвечивание наблюдающееся непосредственно после облучения кристалла рентгеновыми лучами. [21]

У некоторых фосфоров вторичная фосфоресценция является основным процессом, возникающим под действием высвечивающих лучей. У таких фосфоров непосредственная оптическая вспышка может быть очень малой. Вторичная фосфоресценция развивается но сразу, а постепенно, со значительной инерцией, что соответствует большой длительности вторичного свечения, продол / кающегося заметное время и после прекращения действия инфракрасных лучей. Поэтому возбужденные фосфоры, обладающие большой вторичной фосфоресценцией и незначительной оптической вспышкой, при облучении их инфракрасными лучами медленно разгораются, соответственно инерционному развитию вторичной фосфоресценции. [23]

По данным Ч. Б. Лущика и И. В. Волина [318], исследовавших спектры стимуляции оптической вспышки ряда рентгенизо-ванных щелочно-галоидных фосфоров, основной является f - поло-са. Обнаруживаются также и более длинноволновые М -, N - и 0-полосы стимуляции оптической вспышки, но они в несколько десятков раз слабее, чем F-полоса. Таким образом, тепловые микродефекты, существующие в неактивированных щелочно-галоидных кристаллах проявляются также и в активированных кристаллах в качестве электронных центров захвата. [24]

Недавно при помощи больших радиотелескопов удалось зарегистрировать излучение радиоволн при вспышках у некоторых звезд типа UV Кита. Эти всплески радиоизлучения обычно происходят одновременно с возрастанием оптического излучения, но иногда опережают оптическую вспышку на 1 - 2 минуты. Радиовсплеск продолжается 10 - 15 минут, причем за это время в радиодиапазоне излучается энергия, в 100 - 1000 раз меньшая, чем в оптическом. Доля радиоизлучения в общей энергии вспышки оказывается более высокой, чем у солнечных вспышек, где энергия радиовсплесков составляет лишь около одной стотысячной части всей излученной энергии. [25]

Спектральный состав свечения в основном определяется активатором. У одноактиваторных фосфоров длительное и кратковременное свечения обычно имеют одинаковый спектральный состав, однако в присутствии нескольких активаторов спектральный состав кратковременного свечения в момент возбуждения часто отличен от спектрального состава длительного свечения. Так, например, в SrS-Ce-Sm - фосфорах свечение при возбуждении содержит линии самария вместе со сплошным свечением, присущим церию; в фосфоресценции роль линий самария сильно возрастает, а в спектре оптической вспышки они отсутствуют: свечение имеет только полосу, вызванную церием. [26]

После возвращения электронов в полосу проводимости они могут или рекомбинировать ( переход 52 рис. 194), или претерпевать повторные локализации. Среднее число повторных локализаций, претерпеваемых электроном до его рекомбинации, зависит от природы фосфора и от степени возбужденности фосфора. При уменьшении возбуждения и освобождении многих уровней локализации вероятность повторных локализаций увеличивается, что является одной из причин замедления высвечивания фосфоров на далеких стадиях затухания. АТ, тепловой подъем локализованных электронов в полосу проводимости становится практически невозможным. Электроны должны оставаться в замороженном состоянии очень долго-многие часы, недели и больше. Если за это время фосфор не разряжается без излучения, то нагреванием фосфора или освещением инфракрасными лучами можно заставить электроны с глубоких уровней подняться в полосу проводимости. При этом возникает термолюминесценция при нагревании фосфора или оптическая вспышка при облучении фосфора длинноволновыми лучами. Полосы свечения фосфоров, излучаемые при участии очень глубоких уровней локализации, и есть горячие полосы. Они обнаруживаются в излучении только при высоких температурах. Возможны и безизлуча-тельные переходы с глубоких уровней локализации: при длительном хранении фосфоров величины аккумулированных световых сумм постепенно, хотя и медленно, уменьшаются. [28]

Страницы: 1 2