Интенсивность - радикалолюминесценция
Cтраница 1
Интенсивность радикалолюминесценции, как это следует из уравнения (3.42), также является функцией Е - и, и поэтому можно было ожидать, что на интенсивность радикалолюминесценции также будет оказывать влияние электрическое поле. Представим себе, что люминофор помещается в однородное поле напряженности Е, направленное перпендикулярно к люминесцирующей поверхности. При этом изменяется изгиб зон, вследствие чего уровень Ферми на поверхности кристалла смещается. [1]
Интенсивность радикалолюминесценции, как это следует из уравнения (3.42), также является функцией E - V, и поэтому можно было ожидать, что на интенсивность радикалолюминесценции также будет оказывать влияние электрическое поле. Представим себе, что люминофор помещается в однородное поле напряженности Е, направленное перпендикулярно к люминесцирующей поверхности. При этом изменяется изгиб зон, вследствие чего уровень Ферми на поверхности кристалла смещается. [2]
Зависимость интенсивности радикалолюминесценции от внешних факторов в случае донорного характера хемосорбированной частицы, как показано в гл. [4]
 |
Зависимость интенсивности радикалолюминесценции / от положения уровня Ферми е в случае рекомбинации донорных на котором ЕМ и / м по. [5] |
Полученное выражение для интенсивности радикалолюминесценции позволяет провести экспериментальную проверку предлагаемого механизма радикалолюминесценции ( механизма передачи энергии рекомбинации центрам свечения), а также указывает путь к отысканию оптимальных условий возбуждения радикалолюминесценции, к управлению ее интенсивностью. [6]
Экспериментальное изучение зависимости интенсивности радикалолюминесценции от температуры было проведено В. Г. Корничем и А. Н. Горбанем [68, 173, 174] на примере самоактивированной окиси цинка с зеленой полосой люминесценции. [8]
Из выражения (3.42) для интенсивности радикалолюминесценции следует, что ее величина определяется, при прочих равных условиях, концентрацией прочно сорбированных радикалов на поверхности фосфора. Очевидно, что факторы, изменяющие концентрацию хемосорбированных на поверхности кристал-лофосфора радикалов, должны вызывать изменение интенсивности радикалолюминесценции. [9]
Таким образом, исследование температурной зависимости интенсивности радикалолюминесценции позволяет сделать вывод о согласии полученных экспериментальных данных с выдвинутыми теоретическими представлениями. [10]
Таким образом, исследование температурной зависимости интенсивности радикалолюминесценции позволяет сделать вывод о согласии полученных экспериментальных данных с выдвинутыми теоретическими представлениями. [11]
Воспользовавшись температурной зависимостью фотолюминесценции, можно учесть изменение интенсивности радикалолюминесценции, обусловленное уменьшением вероятности излучательных переходов. [12]
Из сказанного можно сделать выводы о том, что интенсивность радикалолюминесценции определяется, как это следует из механизма ее возбуждения ( гл. III), прочной формой связи, а учитывая, что радикало-люминесценция хотя и убывает по экспоненте, но убывает очень быстро; кинетика убывания радикалолюминесценции обусловлена уменьшением концентрации радикалов в газовой фазе после прекращения разряда. В пользу такого предположения свидетельствует наблюдавшееся А. Н. Горбанем и В. Г. Корни-чем очень медленное убывание электропроводности образца после прекращения возбуждения. [13]
В связи с этим безусловный интерес представляет изучение взаимного влияния фотовозбуждения на интенсивность радикалолюминесценции, а адсорбции и рекомбинации свободных радикалов нз интенсивность фотолюминесценции. [14]
В связи с этим безусловный интерес представляет изучение взаимного влияния фотовозбуждения на интенсивность радикалолюминесценции, а адсорбции и рекомбинации свободных радикалов на интенсивность фотолюминесценции. [15]
Страницы: 1 2