Интенсивность - радикалолюминесценция
Cтраница 2
В связи с изучением условий возбуждения радикалолюминесценции исследование влияния добавок различных газов на интенсивность радикалолюминесценции и выяснение причин, вызывающих изменение интенсивности свечения, представляет значительный интерес. [16]
Сравнение температурных зависимостей обоих видов свечения должно дать возможность оценить вклад каждого из параметров ( Д и х) в изменение интенсивности радикалолюминесценции. [17]
Сравнение температурных зависимостей обоих видов свечения должно дать возможность оценить вклад каждого из параметров ( N и и) в изменение интенсивности радикалолюминесценции. [19]
Интенсивность радикалолюминесценции, как это следует из уравнения (3.42), также является функцией Е - и, и поэтому можно было ожидать, что на интенсивность радикалолюминесценции также будет оказывать влияние электрическое поле. Представим себе, что люминофор помещается в однородное поле напряженности Е, направленное перпендикулярно к люминесцирующей поверхности. При этом изменяется изгиб зон, вследствие чего уровень Ферми на поверхности кристалла смещается. [20]
Интенсивность радикалолюминесценции, как это следует из уравнения (3.42), также является функцией E - V, и поэтому можно было ожидать, что на интенсивность радикалолюминесценции также будет оказывать влияние электрическое поле. Представим себе, что люминофор помещается в однородное поле напряженности Е, направленное перпендикулярно к люминесцирующей поверхности. При этом изменяется изгиб зон, вследствие чего уровень Ферми на поверхности кристалла смещается. [21]
Из выражения (3.42) для интенсивности радикалолюминесценции следует, что ее величина определяется, при прочих равных условиях, концентрацией прочно сорбированных радикалов на поверхности фосфора. Очевидно, что факторы, изменяющие концентрацию хемосорбированных на поверхности кристал-лофосфора радикалов, должны вызывать изменение интенсивности радикалолюминесценции. [22]
Полученные результаты согласуются также с предложенным выше механизмом радикалолюминес-ценции: уменьшение интенсивности радикалолюминес-ценции обусловлено тем, что фотодесорбция не связана с электронными процессами, приводящими к возбуждению свечения. Количественная оценка согласия экспериментальных эффектов с теоретически предсказываемой окажется возможной лишь после детального изучения влияния освещения на интенсивность радикалолюминесценции. [23]
Полученные результаты, представленные на рис. 62 - 65, показывают, что интенсивность радикалофото-люминесценции всегда меньше суммарной интенсивности радикало - и фотолюминесценции. При этом в случае слабого фотовозбуждения при комнатной температуре ( рис. 62) неаддитивность обусловлена главным образом гашением фотолюминесценции, интенсивность которой восстанавливается до исходной через 4 - 5 мин после выключения разряда. В то же время интенсивность радикалолюминесценции не изменяется. [24]
Кстати, следует отметить, что при малых парциальных давлениях радикалов в газовой фазе, когда степень заполнения поверхности мала и зависит от давления, величина изгиба зон у поверхности также зависит от давления. Изменение изгиба зон приводит к изменению значения е - и и, следовательно, величины выхода радикалолюминесценции. Вероятно, этим объясняется сложный характер зависимости интенсивности радикалолюминесценции СаО Мп С1 при рекомбинации кислорода, наблюдавшейся К. [25]
Кстати, следует отметить, что при малых парциальных давлениях радикалов в газовой фазе, когда степень заполнения поверхности мала и зависит от давления, величина изгиба зон у поверхности также зависит от давления. Изменение изгиба зон приводит к изменению значения e - v и, следовательно, величины выхода радикалолюминесценции. Вероятно, этим объясняется сложный характер зависимости интенсивности радикалолюминесценции СаО Мп С1 при рекомбинации кислорода, наблюдавшейся К. [26]
Страницы: 1 2