Интенсивность - рассеянная волна
Cтраница 1
Интенсивность рассеянной волны определяется произведением сопротивления излучения на квадрат амплитуды скорости. [1]
Относит, интенсивность рассеянной волны в симметрич. [3]
Посмотрим еще, как могут сказаться на интенсивности рассеянных волн нарушения закономерности расположения или несовершенства экранов. Непостоянство расстояний между соседними экранами в рассмотрение вводить не нужно: вскоре мы увидим, что эквидистантность экранов является автоматическим следствием нашего стремления моделировать вполне определенную ситуацию. [4]
Из последнего выражения следует, что распределение интенсивности рассеянной волны по углу 6, называемое диаграммой или индикатрисой рассеяния, зависит от вида корреляционной функции В - ( г) и масштаба корреляции гк. [5]
 |
Схема дифракции рентгеновских лучей на атомном ряде. [6] |
В результате дифракции в одних направлениях возникают максимумы интенсивности рассеянных волн, в других происходит резкое ослабление их интенсивности. [7]
ЭС интерпретирует информацию по дифракции рентгеновских лучей, включающую информацию о положении и интенсивности рассеянных волн, и выводит атомную структуру. ЭС использует знания о составе белка и рентгеноструктурном анализе, а также эвристики, чтобы с помощью анализа РПЭ получать и проверять гипотезы относительно правдоподобных белковых структур. CHYSALIS использует архитектуру типа доски объявлений, содержащей независимые источники знаний для выдвижения и проверки многоуровневой структуры гипотез. ЭС написана на языке ЛИСП. [8]
При больших q ( больших углах рассеяния) интерференция волн с большими ( ЭН) сдвигами фаз уже заметно уменьшит интенсивность рассеянной волны. [9]
Если два дефекта упаковки расположены так, что каждый из них) отстоит от поверхности фольги на целое число экстинкционных расстояний, например t kt e и t3 k t e, то из выражения (2.29) явствует, что интенсивность рассеянной волны будет такой же, как и в случае совершенного кристалла толщиной tz или if, поскольку добавляется лишь целое число экстинкционных расстояний. [10]
Все методы определения поверхностной кристаллографии, обсуждавшиеся выше, связаны с рассеянием каких-либо частиц. Поскольку при этом измеряются интенсивности рассеянных волн, а фазы их неизвестны, то для того, чтобы определить положения атомов, всегда требуется привлекать теоретические расчеты для решения возникающей обратной задачи. Из-за потери информации о фазах, обратная задача в общем случае точно не решается, и для ее решения приходится прибегать к следующему порядку действий: предположение некоторой структуры поверхности, исходя из физических соображений; расчет интен-сивностей; сравнение экспериментальных результатов с рассчитанными интенсивностями. Такая непрямая процедура, во-первых, неудобна, а во-вторых, никогда нет полной уверенности, что какая-нибудь другая структура, отличная от найденной, не даст еще лучшего согласия теории с экспериментом. Было бы исключительно ценно, если бы удалось найти такой метод, который хоть как-то мог бы увидеть атомы непосредственно. Тогда, может быть, расстояния между соседними атомами можно было бы измерить прямо по фотопластинке или еще как-нибудь. [11]
Если распределение электронов совершенно произвольно, то можно предполагать, что разности фаз в среднем равны нулю. Тогда полная интенсивность рассеянного излучения будет равна сумме интенсивностей отдельных рассеянных волн. Если же центры рассеяния расположены в определенном порядке, как, например, в кристалле, то предыдущие рассуждения неверны. В этом случае получается дифракция на трехмерной решетке. Максимумы интенсивности имеют место только в тех направлениях, в которых волны, рассеянные соседними центрами, находятся в фазе. Если же длина волны велика по сравнению с расстоянием между соседними центрами, то условие максимума может быть выполнено лишь для одного направления, а именно вперед. Аналогично одномерная дифракционная решетка не дает дифракционной картины, если параметр решетки много меньше длины волны. [12]
Если распределение электронов совершенно произвольно, то можно предполагать, что разности фаз в среднем равны нулю. Тогда полная интенсивность рассеянного излучения будет равна сумме интенсивностей отдельных рассеянных волн. Если же центры рассеяния расположены в определенном порядке, как, например, в кристалле, то предыдущие рассуждения неверны. В этом случае получается дифракция на трехмерной решетке. Если же длина волны велика по сравнению с расстоянием между соседними центрами, то условие максимума может быть выполнено лишь для одного направления, а именно вперед. Аналогично одномерная дифракционная решетка не дает дифракционной картины, если параметр решетки много меньше длины волны. [13]
Рентгеновские лучи представляют собой электромагнитные волны длиной порядка 10 - 8 см. Атомы в кристаллах расположены друг от друга примерно на таком же расстоянии. Рентгеновские лучи, рассеянные узлами решетки, интерферируют между собой так, что в одних направлениях возникают максимумы интенсивности рассеянных волн, а в других наблюдается их полное погасание. Это явление, объединяющее рассеяние и последующую интерференцию волн, называют дифракцией рентгеновских лучей. [14]
Здесь требуется только знать величину % на положительной стороне пластинки; во всех других точках плоскости х 0 эта величина равна, очевидно, нулю. Случай, когда размеры пластинки малы по сравнению с длиной волны, рассматривался в § 81; в этом случае интенсивность рассеянной волны оказывается много меньше интенсивности волны, прошедшей через отверстие того же размера и формы. [15]
Страницы: 1 2