Cтраница 2
![]() |
Рассчитанные и экспериментальные значения Гф для Nd, Pr, Y. [16] |
Предложенный метод расчета интенсивности фона при рентге-нофлуоресцентном анализе малых содержаний определяемых элементов позволяет вычислить интенсивность фона как неизвестный параметр по методу наименьших квадратов быстро и достаточно точно; с другой стороны, он позволяет указать наиболее правильное значение концентрации определяемого элемента в анализируемой пробе. [17]
Учитывая необходимость количественной оценки интенсивности фона для определения содержания ароматического углерода, экспериментальные исследования были проведены с использова нием монохроматизированного излучения в вакуумных камерах. [18]
При повышенных температурах значительно увеличивается интенсивность фона и поэтому уменьшается точность измерений. [19]
Буфер оказывает неодинаковое влияние на интенсивность фона на различных участках спектра. Так, с повышением концентрации фторида лития интенсивность фона рядом с линией Сг 425 43 нм снижается, а около линии Сг 301 48 им, наоборот, растет. В результате суммарного воздействия буфера на интенсивность аналитической линии и фона разность почернений линии Сг 425 43 нм увеличивается вплоть до концентрации фторида лития 75 %, а разность почернений линии Сг 301 48 нм после максимума при концентрации буфера 50 % снижается. Интересно, что при введении в пробу до 5 % буфера значительно повышается интенсивность также и искровых линий. С уве личением концентрации буфера интенсивность искровых линий резко снижается. Характер снижения для линий всех элементов практически одинаков. [20]
Первое слагаемое этого выражения описывает интенсивность фона, соответствующего совершенной части кристалла. Геометрическое место точек, в которых выполняются эти условия, представляет собой систему контуров, параллельных оси у. В фольге, толщина которой такова, что sin 2nsz0 0, модуляция вдоль контуров х const отсутствует. [21]
![]() |
Схема просвечивания для определения местоположения дефекта. [22] |
Последние три фактора влияют на интенсивность фона рентгенограммы и величину полутеней у изображений дефектов. [23]
В то же время, интенсивность диффузного фона дифракционной картины возрастает. Простейшее объяснение этого явления таково: отдельные атомы кристалла колеблются независимо друг от друга возле своих положений равновесия и в результате условия Брэгга перестают соблюдаться точно. Это происходит потому, что волны, которые рассеивались от неподвижной решетки и совпадали по фазе, теперь имеют разности фаз, флуктуирующие со временем за счет движения рассеивателей. [24]
Основная погрешность обусловлена неточностью выделения интенсивности фона, ее количественная оценка крайне затруднена. [25]
Его рассчитывают по данным измерений интенсивности фона, считая, что сигнал, равный утроенной ошибке измерения фона, соответствует спр. Поэтому спр зависит от чувствительности и от уровня фона. [26]
Большинство авторов отмечает существенное понижение интенсивностей фона при применении атмосферы гелия. Правда, вместе с фоном понижается и интенсивность линий, но во многих случаях отношение сигнал / фон увеличивается. В работе Валли и др. [181] получено увеличение этого отношения для большинства линий от 2 до 100 раз. В работе В. Э. Винниченко и А. Н. Зайделя [177] получен выигрыш в относительной чувствительности при применении атмосферы гелия для анализа магния на кремний в 8 раз, магния на железо - в 7 раз, но для некоторых случаев, как, например, при анализе алюминия на кремний, чувствительность анализа уменьшалась. [27]
Обычно / л / ф и интенсивность фона не учитывают, полагая 1 5л ф, однако для малых концентраций определяемых элементов величина / ф не только сравнима с величиной / л, но может и превышать ее. В этом случае влияние фона скажется на прямолинейности градуировочного графика; наклон кривой уменьшится, что приведет к снижению точности анализа. Тогда график, построенный по значениям Зд ( или lg / л), будет прямолинейным и более крутым, однако точность анализа не увеличится. [28]
Вопрос об отношении интенсивности аналитической линии к интенсивности фона иногда рассматривается аналогично вопросу об отношении сигнал - шум в электронных схем. Эта аналогия может ввести в заблуждение. Однако фон состоит и из других слагаемых ( например, наложения линий высших порядков отражения), и не все они могут обоснованно описываться как шумы. [29]
В этом случае отношение интенсивности сигнала к интенсивности фона увеличивается. Влияние силы тока на чувствительность анализа рассмотрено в гл. [30]