Cтраница 2
Таким образом, полная интенсивность излучения из отверстия пропорциональна четвертой степени абсолютной температуры в полости. [16]
Величина / кл есть классическая полная интенсивность излучения ( ср. [17]
После того как мы оценили теоретически полную интенсивность излучения изолированной спектральной линии с комбинированным допплеров-ским, ударным и естественным уширениями, обсудим требования, предъявляемые при измерениях поглощения и излучения для однозначного определения интегрального и эффективного коэффициентов пропускания II интегрального коэффициента поглощения. [18]
![]() |
Угловые дифференциальные спектры интенсивности рассеянного 7 - излУчения с энер. [19] |
Для оценки точности полученных результатов расчета дополнительно вычислялась величина полной интенсивности излучения, проходящего через сферу радиусом Л / е, а также средняя ошибка этой величины. [20]
Излучательная способность, определяемая как обычно, равна отношению интенсивности испущенного излучения к полной интенсивности излучения, испущенного черным телом, находящимся при той же температуре, что и излучатель в процессе исследования. [21]
Время экспозиции, необходимое для получения определенного почернения фотографической пластинки, является грубой мерой полной интенсивности испущенного излучения. [22]
Для расчета интенсивности свечения волны в отдельных линиях необходим расчет структуры волны, однако для определения полной интенсивности излучения ударной волны с высвечиванием нет необходимости прибегать к такому ана-лчзу. [23]
На основании формулы (7.33) и в предположении о хаотическом распределении примесей Томас и др. [728, 730, 731] рассчитали серию кривых спада полной интенсивности излучения, причем параметром служила концентрация примесей. Было показано, что при измерении спада люминесценции, следующего за возбуждением коротким импульсом света, величины W ( 0) и Кц можно определить из характерной формы кривых спада Параметры, полученные при исследовании рекомбинации между донорами S и акцепторами Si в GaP, составляют W ( 0) 5 - 105 с - и Rd 1 2 нм. [24]
Так как нам известен закон распределения энергии равновесного излучения по частотам, мы можем найти интегральную излучательную способность абсолютно черного тела, то есть полную интенсивность излучения с единицы поверхности, находящейся при заданной температуре. [25]
Надо отметить, что в то время в литературе можно было найти только самые общие характеристики стационарных полей - так называемые факторы накопления, определяющие полную интенсивность излучения, и энергетические спектры интенсивности, полученные методом моментов. Поэтому получение всех характеристик нестационарных и стационарных полей было, безусловно, большим продвижением в этой области знаний. [26]
Если мы подставим это выражение для / ( т) в формулы ( ИЗ), то найдем интенсивности выходящего из среды диффузного излучения. Чтобы найти полные интенсивности излучения, надо добавить к ним интенсивности излучения, обусловленные непосредственно источниками света. [27]
Эталон NBS полной интенсивности излучения ( полной освещенности) представляет собой лампу накаливания с угольной нитью, нагреваемой до температур 1600 - 2200 К. При таких температурах большая часть излучения приходится на область длин волн от 1 до 3 мк. Подобный эталон устанавливают путем сравнения освещенности от группы ламп с освещенностью от черного тела. При этом температуру черного тела поддерживают обычно равной приблизительно 1400 К, а в качестве фотоприемника пользуются термостолбиком, покрытым толстым слоем ламповой сажи. Это позволяет с приемлемой точностью прокалибровать лампу с температурой нити 1800 К по излучению черного тела с температурой 1400 К. [28]
![]() |
Спектр излучения. [29] |
Этот закон показывает, что интенсивность излучения идеального излучателя ( понятие которого будет раскрыто позднее) является функцией длины волны и абсолютной температуры. Понятно, что полная интенсивность излучения какого-либо тела может быть получена интегрированием этого уравнения по длине волны. [30]