Cтраница 1
Вход транзистора ( база - эмиттер) имеет относительно небольшое сопротивление. Поэтому подаваемые на вход сигналы должны рассеивать некоторую мощность. [1]
Вход транзистора Т зашунтирован диодом Д, который в исходном состоянии открыт подачей на его анод напряжения Н - С / 0 - Транзистор Г2 в исходном состоянии открыт подачей на его базу через диод Д2 отрицательного напряжения с делителя г - гъ. [2]
![]() |
Широкополосная схема раскачки оконечного усилителя. [3] |
Вход транзистора Т3 является точкой, при подаче на готорую небольшого переменного напря-вния можно полностью раскачать око-яечный каскад. Однако это переменное напряжение должно изменяться относительно соответствующего постоянного уровня. [4]
На вход транзистора подается управляющий сигнал в виде скачков напряжения, производящих замыкание и размыкание транзисторного ключа. В момент времени t подается отпирающее напряжение. [5]
На вход транзистора подается управляющий сигнал з виде скачков напряжения, производящих замыкание и размыкание транзисторного ключа. В момент времени ti подается отпирающее напряжение. [6]
![]() |
Принципиальная схема полупроводниковой системы управления тири-сторным преобразователем ( а и графики изменения напряжения на ее. [7] |
На вход транзистора Т1 через ограничивающее сопротивление резистора R1 подается синусоидальное напряжение - [ / вх, синхронизированное с напряжением, приложенным к тиристорам, получающим управляющие импульсы от данного канала системы управления. [8]
На вход транзистора Т через трансформатор Тр, выполненный на сердечнике с ППГ, поступают канальные импульсы. Длительность выходного импульса транзистора Т модулируется за счет отрицательной обратной связи, которая изменяет базовый ток, а следовательно, и глубину насыщения-транзистора, что в конечном счете приводит к изменению длительности импульса. [9]
На вход транзистора Т подаются постоянное смещение Е0, модулируемое напряжение еи через трансформатор высокой частоты Тр и модулирующее напряжение в Q через трансформатор низкой частоты Тр. Блокировочный конденсатор Сел имеет малое сопротивление для высокой частоты о и большое для модулирующих частот Q.J. Транзистор работает без отсечки стокового тока. [10]
![]() |
Схема источника питания. [11] |
На вход ведущего транзистора через конденсатор емкостью 0 047 мкф от генератора стандартных сигналов Г4 - 70 подают сигнал промежуточной частоты тракта ЧМ без модуляции примерно 50 мв. [12]
На вход транзистора ТЗ подается напряжение пилы t / гпн и в противофазе к нему - напряжение управления - t / ynp. При f / гпн упР транзистор ТЗ закрыт, а ток базы / 2 транзистора Т4 максимален и по резистору R18 и обмотке / трансформатора Тр2 протекает максимальный ток / иаг тах. При увеличении входного сигнала, когда i / гпн упр транзистор ТЗ открывается, ток коллектора / к возрастает, а ток базы второго транзистора Т4 начинает уменьшаться и он закрывается. Для надежного закрывания транзистора Т4 между эмиттерами двух транзисторов включен диод Д18, играющий роль источника смещения. В тот момент, когда ТЗ открыт, на диоде Д18 падение напряжения At / ( порядка 0 5 - 1 В) прикладывается к базе транзистора Т4, сводя нулевой ток коллектора этого транзистора к минимальному. [13]
После входа транзистора в режим насыщения процесс накопления неосновных носителей в базе и коллекторе транзистора еще некоторое время продолжается. [14]
![]() |
Семейство выходных.| Изменение тока коллектора транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером в ключевом режиме. [15] |