Вход - транзистор
Cтраница 2
Пусть на вход транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, подан отпирающий импульс тока / б ( рис. 4.53), достаточный для перевода рабочей точки из режима отсечки в режим насыщения. [16]
Если на вход транзистора подавать импульсы про-модулированного напряжения НБЭ такой амплитуды, что транзистор может войти в режим насыщения / Б / внас ( см. рис. 5.24), то в коллекторной цепи транзистора и через сопротивление нагрузки в моменты насыщения транзистора ( или транзисторов в двухтактной схеме) протекает импульсный ток JR. Напряжение на коллекторе транзистора кэ повторяет входное напряжение ИБЭ, но находится с ним в противофазе. Временные диаграммы напряжений и тока, показанные на рис. 5.24, наглядно иллюстрируют работу одного транзистора оконечного каскада в ключевом режиме. Импульсный ток в нагрузку поступает через ФНЧ, в котором отфильтровываются все высшие гармонические составляющие и остается только среднее значение тока. [17]
Кб шунтирует вход транзистора. [18]
Если же вход транзистора подключают через катушку связи ( см. рис. 5.3, а), то для питания базовой цепи сопротивление R не нужно. [19]
 |
Двухтактный усилительный [ IMAGE ] Выходные характеристики каскад транзисторов двухтактного усили. [20] |
Когда на вход транзистора TI приходит отрицательная полуволна, транзистор открывается и усиленный сигнал передается в нагрузку. Если приходит положительная полуволна, транзистор запирается и в его коллекторной цепи протекает только тепловой ток / ко - Таким образом, в режиме класса В транзистор усиливает только одну полуволну сигнала. [21]
Если на вход транзистора Тх подан сигнал низкого уровня, то он пропускает ток /, и выходные уровни меняются местами. Высокий уровень сигнала, подаваемого на вход Т1 ( должен быть больше падения напряжения перехода эмиттер-база открытого транзистора Т2, чтобы Тг не отпирался. Аналогично, низкий уровень сигнала на входе Т1 должен быть таким, чтобы Т2 был полностью заперт. [22]
Непосредственное подключение входа транзистора к зажимам колебательного контура привело бы к сильному шунтированию последнего, в результате чего полоса пропускания входной цепи оказалась недопустимо большой, а коэффициент передачи напряжения - очень малым. [23]
 |
Схемы связи транзисторов с контуром входной цепи. а трансформаторная. б автотрансформаторная. в емкостная. [24] |
Коэффициент включения входа транзистора в контур обычно определяется на высшей частоте поддиапазона, чем обеспечивается необходимая для заданной избирательности эквивалентная добротность контуров на всех частотах поддиапазона. При этом с понижением рабочей частоты будет уменьшаться вносимое в контур транзистором затухание и увеличиваться эквивалентная добротность контура. Необходимо только проверить на нижней частоте поддиапазона, чтобы эквивалентная добротность контура не превысила допустимую Qn по полосе пропускания ( полученную в § 2.4. стр. [25]
Сопротивление на входе транзистора R6 вводится для того, чтобы уменьшить влияние разброса входных характеристик на работу схем. Сверху оно ограничено по величине требованием получения заданного времени задержки сигналов. [26]
Применение на входах транзисторов разного типа проводимости позволяет установить рабочий режим усилителя без внешних резисторных цепей и уменьшить входной ток. В эмиттерах транзисторов VT23 и VT36 включены две схемы трансформаторов тока, которые передают изменения тока одного гранзи-стора в цепь другого. Во втором входном дифференциальном каскаде на транзисторах VT23 и VT37 нагрузкой является аналогичная схема. [27]
Воздействие на входе транзистора преобразователя AM помехи с большим уровнем ( выше 10 - 50 мВ) приводит к динамическому изменению режима транзистора и соответствующему изменению его входных и выходных емкостей. Поскольку смеситель через элементы связи соединен с гетеродином, то изменение входной или выходной емкости транзистора смесителя приводит к паразитной ЧМ гетеродина. Другим возможным путем проникновения перекрестной помехи является паразитная AM колебаний гетеродина по общим цепям питания смесителя и гетеродина при динамических изменениях режима смесителя по току от воздействия больших входных сигналов. [28]
Рассмотрим воздействие на вход транзистора ступеньки напряжения или тока, переводящее транзистор из запертого состояния в открытое с заходом в насыщение. [29]
После подачи на вход транзистора запирающего напряжения ( / вэ0 ( скачок в момент ts), являющегося обратным напряжением для эмиттерного перехода, ток в цепи коллектора в течение некоторого промежутка времени рас - б - 5, называемого временем рассасывания, остается неизменным и примерно равным / кнас. Коллекторную цепь в течение этого промежутка времени продолжает питать избыточный заряд, накопленный в базе. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5