Cтраница 3
В большинстве случаев в процессе ионизации происходит выбивание электронов из молекул испаренного вещества, в результате чего последние превращаются в положительно заряженные ионы. [31]
Измерение потенциалов ионизации показало, что для выбивания электрона из молекулы метил - или этилизонитрила требуется энергия на 0 6 эв меньше, чем для осуществления такого же процесса в случае соответствующего цианида. [32]
В результате ударной и фотонной ионизации и выбивания электронов из катода положительными ионами и фотонами количество ионов и электронов во всем объеме газа резко ( лавинообразно) возрастает. Для существования тока в газе теперь уже не нужен внешний ионизатор. Газовый разряд становится самостоятельным. Описанный процесс самоионизации газа схематически показан на рис. 208, где нейтральные молекулы изображены белыми кружками, положительные ионы - кружками со знаком плюс, электроны - черными кружками, фотоны - волнистыми линиями. [33]
Электронная эмиссия может быть получена в результате выбивания электронов из металла другими падающими на поверхность металла электронами ( рис. 10 - 2), При этом виде эмиссии электроны, падающие на металл, называются первичными, а электроны, выбиваемые из металла, - вторичными. Работа выхода вторичны электронов совершается за счет энергии первичных электронов. Такой вид эмиссии называется вторичной электронной эмиссией. [34]
Действие фотоэлементов с внешним фотоэффектом основано на выбивании электронов под действием света из светочувствительного слоя, являющегося катодом. Выбитые электроны устремляются к аноду, в результате чего во внешней цепи возникает электрический ток. [35]
Кинетическая энергия крупных многоатомных ионов невелика, поэтому выбивания электронов на катоде они не вызывают. Самогашение счетчика достигается, как видно, за счет разрушения и диссоциации многоатомного соединения. Это, естественно, ограничивает срок службы самогасящихся счетчиков. [36]
В случае фотосопротивлений энергия поглощаемых квантов недостаточна для выбивания электронов из материала приемника, но в состоянии возбудить электроны из связанного состояния, когда они не участвуют в проводимости, до свободного состояния, когда они могут проводить ток. [37]
Опыты показывают, что в большинстве случаев для выбивания электрона из катода положительный ион должен совершать меньшую работу, чем для ударной ионизации молекул газа. Поэтому основной причиной появления вторичных электронов под действием положительных ионов является процесс выбивания электронов из катода газоразрядной трубки. [38]
Опыты показывают, что в большинстве случаев для выбивания электрона из катода положительный ион должен совершать меньшую работу, чем для ударной ионизации молекулы газа. Поэтому основной причиной появления вторичных электронов под действием положительных ионов является процесс выбивания электронов из катода газоразрядной трубки. [39]
Бомбардировка поверхности катода положительными ионами также приводит к выбиванию электронов из катода. [40]
Считают, что фотонное облучение активизирует смачивание минералов выбиванием электронов из поверхностного слоя, что облегчает закрепление на них соответствующих анионов реагента. Область поглощения фотонов минералами находится в видимой части спектра, что исключает фотохимические реакции в объеме жидкой фазы, требующие более коротковолновых излучений. Большое значение имеет частота ( длина волны) фотонного излучения. Для разных минералов она различна. [41]
Опыты показывают, что в большинстве случаен для выбивании электрона n s катода положительным нон должен совершать меньшую рабо-i s, чем для ударной ионизации молекулы гача. Поэтому основной причиной появления вторичных электронов под действием положительных попон является процесс выбивании электронов из катода газоразрядной трубки. [42]
![]() |
С-Поглощение германия в молекулах газов GeCI4 ( a и GeH ( 6. [43] |
Прежде всего выясним, какие переходы проявляются при выбивании электронов из различных слоев. [44]
На рис. V.3.7 показано образование рентгеновского фотона при выбивании электрона из / ( - оболочки атома и переходе на освободившееся место электрона из L-оболочки. [45]