Выбор - подложка
Cтраница 2
В последние годы ведутся исследования материалов для подложек, отвечающих всем перечисленным выше требованиям. Одним из удачных вариантов решения является выбор подложки из керамики, покрытой очень тонким слоем ( до 12 м / с) высокотемпературного стекла. Такая подложка обладает прочностью, температурной стойкостью до 900 С и высокой чистотой поверхности. [16]
Максимальная спектральная чувствительность фоторезистов находится в диапазоне А 0 3 - 0 45 мкм. Есть фоторезисты, максимальная чувствительность которых адаптирована к области глубокого ультрафиолета ( А 0 193 мкм или А 0 248 мкм, у KrF-криптоновых и ArF-аргоновых лазеров, соответственно), но при этом возникают трудности с выбором подложек для фотомасок, достаточно прозрачных к свету с такой длиной волны. Чаще экспонирование фоторезиста осуществляется с помощью актиничного излучения, спектральные характеристики которого удовлетворяют условиям технологического процесса и требованию максималь-разрешающей способности в условиях. [17]
 |
Схема дугового плазмотрона. [18] |
Частицы летят к подложке со скоростью около 200 м / с, поэтому при ударе возникают значительные усилия, способствующие сцеплению и спеканию в процессе остывания. Слой формируется как совокупность затвердевших расплющенных при ударе частиц. Выбор подложки ограничивается термостойкостью подложки по отношению к интегральной температуре газовой струи, содержащей нагретые частицы наносимого вещества. Зону расплавления создают тремя способами: электрической дугой, газовым пламенем и сжатой плазмой электрической дуги. От температуры частицы наносимого вещества зависит ее вязкость, смачивающая способность и химическая активность при спекании. Для газотермического напыления характерна краткость процесса спекания в результате быстрого отвода тепла от частицы на подложку. [19]
Весьма важной операцией в методе ТСХ является приготовление пластинок с тонким слоем сорбента. Эта операция заключается в выборе подложки, приготовлении суспензии сорбента и нанесении его на подложку. [20]
В общем, образец пленки анализируется без разрушения, при условии, что пленка размещается на соответствующим образом выбранной подложке, которая не содержит элементов, имеющихся в пленке. Следы, количеств таких элементов в подложке могут привести к ошибке, так как первичное излучение проникает через пленку на несколько микрон в глубину. Характеристическое излучение от этих следов элементов дополняет излучение, эмиттируемое пленкой; следовательно, выбор соответствующей подложки - критичен. Анализ образцов пленок твердых тел требует эталонов с анализом состава изготовления и с толщиной, ровно как и по составу, близкими к исследуемому образцу. Такие эталоны должны быть прокалиброваны независимыми методами, такими как: колориметрия, атомная адсорбция пли эмиссия рентгеновских лучей на растворах. В этом основной недостаток метода эмиссии рентгеновских лучей и его ограничение к применению для количественного анализа образцов, который все же часто проводится в случае, если отсутствуют калиброванные эталоны. Тем не менее пленки на подложках составляют наиболее часто используемый тип образцов. [21]
В целом эти исследования говорят о том, что углеродные пленки отнюдь не являются столь бесструктурными, как это представлялось вначале. При работе с электронным микроскопом, обладающим не очень высокой разрешающей способностью, собственная структура углеродных пленок, как правило, не обнаруживается. Однако следует иметь в виду, что положение может измениться при работе с высоким разрешением, и в этом случае в выборе подложек следует проявлять осторожность. [22]
РАН ( г. Санкт-Петербург) состоялось 4 - е Всероссийское Совещание Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы, на котором с успехом были представлены работы по выращиванию высококачественных пленок GaN, выполненные физиками из Уфы. Вследствие значительных технологических трудностей в получении объемных кристаллов GaN, его, как правило, выращивают в виде тонких эпитаксиальных пленок, но и в этом случае возникают проблемы, связанные с выбором подходящей подложки ( ионный радиус - 0 7 А, и параметр решетки GaN значительно меньше, чем у других полупроводниковых соединений III-V), так что прогресс в этом направлении определяется успехами в осуществлении контролируемого гетероэпи-таксиального роста. Научные подходы, развитые учеными из Уфы, основаны на применении методов сканирующей зондовой микроскопии, что позволило наилучшим образом подобрать оптимальную подложку ( SiC) и непосредственно наблюдать на атомном уровне самые начальные стадии зарождения эпитаксиальной пленки GaN и понять, как можно вырастить кристалл с минимальной концентрацией дефектов. [23]
Для сравнения в таблицу включены также методы вакуумного испарения и ионного распыления. Сама по себе приведенная таблица еще не дает возможности выбрать оптимальный способ изготовления тонких пленок. Выбор способа зависит от типа требуемой пленки, от ограничений в выборе подложек я часто, особенно в случае многократного осаждения, от общей совместимости различных процессов, протекающих при применении этого метода. В табл. 7 подведен итог по вопросу применимости обсужденных методов в микроэлектронике. Заштрихованные клетки таблицы обозначают принципиальную возможность использования метода, клетки, заштрихованные крест-накрест - широкое практическое применение. [24]
И наконец, область IV соответствует толстым пленкам ( толщиной d l), для которых наиболее значительными составляющими удельного сопротивления являются РБ и рг. Любые изменения параметров этих пленок при вариациях толщины вызваны ее влиянием на микроструктуру пленок и вследствие этого связаны с условиями процесса осаждения. Температурный коэффициент удельного сопротивления пленок в областях III и IV всегда ниже, чем у массивных образцов, так как пленки имеют более высокое удельное сопротивление PF и лишь составляющая РБ зависит от температуры. Поскольку температурный коэффициент удельного сопротивления пленок подвержен влиянию коэффициента аь линейного теплового расширения подложки, его можно существенно изменять путем выбора подложки с определенным значением аь. [25]
Наиболее современным способом получения многослойных материалов является совместная экструзия ( соэкструзия) расплавов нескольких полимеров, которые не смешиваются вследствие ла-минарности потока расплава и образуют многослойное покрытие. Этот способ открывает широкие возможности для разработки новых упаковочных многослойных материалов с тонкими полимерными покрытиями, обеспечивающими оптимальное сочетание свойств при низкой стоимости материалов и малыми затратами на их производство. При соэкструзии не наблюдается разрывов пленок в результате проколов, и разделение одновременно экстру-дируемых слоев значительно менее вероятно, чем при экструзии отдельных пленок. Использование соэкструзии позволяет сравнительно просто получать недорогие материалы, удовлетворяющие всем требованиям, перечисленным выше для упаковочных материалов. Так, защита от механических повреждений должна обеспечиваться выбором жесткой подложки типа бумаги или картона. [26]
Страницы: 1 2