Выбрасывание - электрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Аксиома Коула: суммарный интеллект планеты - величина постоянная, в то время как население планеты растет. Законы Мерфи (еще...)

Выбрасывание - электрон

Cтраница 1


Выбрасывание электрона из валентной зоны в зону проводимости означает не только появление электрона, способного реализовать прохождение тока в веществе.  [1]

Первое явление при действии света на материю должно состоять в выбрасывании электронов и ионизации молекул светочувствительного вещества.  [2]

3 Свет от электрической дуги освещает большое число пылинок металла. Эти пылинки были предварительно заряжены и уравновешены между заряженными параллельными пластинами. они представляют собой не что иное, как большое скопление милликеновских капель, но только металлических. Когда свет ударяется о пылинки, они теряют электроны. При каждой потере электрона пылинка начинает двигаться вверх по направлению к отрицательной пластине, так как теперь ее положительный заряд больше, чем это требуется для уравновешивания ее веса. Наблюдения показывают, что в разных местах освещенной области пылинка внезапно начинает двигаться вверх. [3]

Ставился вопрос: Каких предсказаний следует ожидать от волновой теории света относительно выбрасывания электронов из мельчайших пылинок и как согласуются эти предсказания с действительностью.  [4]

Так же, как и RaE, он радиоактивен и распадается с выбрасыванием электронов ( 3 - - распад) и время его полураспада такое же - 5 013 суток.  [5]

Поэтому атом может перейти в эту конфигурацию посредством процесса автоионизации, состоящего в выбрасывании электрона с энергией К-2 А. Эти рассуждения в принципе верны, но они довольно грубы в том отношении, что мы приняли энергию удаления второго 2 -электрона тоже равной L, такая грубость, однако, приемлема ввиду недостаточной точности, с которой измеряются энергии электронов. Такие самопроизвольные ионизационные процессы вовсе не редки. Атом, находящийся на уровне К, может разрядиться либо посредством излучения К-линии, либо путем автоионизации. В легких элементах автоионизация встречается гораздо чаще, чем излучение, а в тяжелых элементах наоборот. Это показано на фиг.  [6]

Внешний фотоэффект, вызванный фотонами рентгеновского или гамма-излучения, заключается в поглощении энергии фотона атомом и выбрасывании электрона из какой-либо внутренней оболочки атома. При этом атом оказывается возбужденным и фотоэффект сопровождается испусканием фотона вторичного рентгеновского излучения или добавочного фотоэлектрона в том случае, если энергия возбуждения атома передается одному из его электронов ( эффект Оже, стр.  [7]

8 Расположение основных линий К - и L - ce - рий. под линиями обозначены уровни, с к-рых совершается переход. Пунктир - края поглощения. Линии а а2 и р р, К-еерии, линии it, a2piYe3e, p7Y, PsYe, ЭзР., YzYs, a a, L-серии - спин-дублеты. Высота линий пропорциональна их интенсивности.| Величина выхода флуоресценции г для К - и L-серий. [8]

В атомах, не испустивших излучения, происходит перераспределение энергии возбуждения, приводящие к его переходу в дважды ионизованное состояние с выбрасыванием электрона фиксированной кинетич.  [9]

Электролюминесценция в газах вызывается электрическим разрядом, в котором энергия возбуждения сообщается молекулам газа механизмом электронного или ионного удара ( стр. Электролюминесценция в полупроводниках связана с выбрасыванием электронов из валентной зоны или с донорных уровней ( стр. Испускание света происходит при последующем возвращении электронов либо обратно в валентную зону, либо на примесные уровни в запрещенной зоне ( стр.  [10]

Точность таких измерений, достигающая тысячных долей градуса, обусловлена тем, что у некоторых полупроводников изменение температуры на 1 С приводит к уменьшению электрического сопротивления на 2 - 3 %, и, следовательно, ничтожное изменение температуры приводит к измеримому изменению сопротивления. Благодаря сравнительно небольшой величине энергии АС, необходимой для выбрасывания электрона в зону проводимости, сопротивление ряда полупроводников чувствительно к освещению видимым светом. Если, как показано на рис. 2.71, направить свет на один конец полупроводника, то выброшенные светом в зону проводимости электроны будут диффундировать через весь кристалл, и произойдет уменьшение удельного сопротивления во всех точках полупроводника, а не только в том конце, который был освещен. Включая в цепь последовательно батарею и гальванометр, мы установим резкое возрастание тока в цепи при освещении полупроводника. Подобные фотосопротивления, электрическое сопротивление которых зависит от их освещенности, теперь применяются в качестве фотореле в различных схемах автоматического управления.  [11]

Радиальная компонента направлена к центру тяжести молекулы, но столкновение между ее частями носит неупругий характер. В этом случае столкновения сопровождаются возбуждением атомных спектров, выбрасыванием электронов и образованием ионизированных молекул, что может привести к уменьшению внутренней энергии отдачи Ет на величину АЕ, Если Ет - АЕ окажется меньше энергии химической связи, то это приведет к сохранению первоначальной молекулы.  [12]

13 Прибор для наблюдения рождения пары электрон - позитрон ( е - - е. [13]

В других случаях поглощение нейтрона сопровождается выбрасыванием протона или гелиона. Но и тогда получаются новые ядра, которые распадаются с выбрасыванием электронов. Здесь мы приведем только две ядерные реакции, ведущие к получению одного и того же изотопа марганца.  [14]

Протонами и нейтронами восстанавливается, и образуется устойчивое ядро. Из ядра натрия-24, которое содержит 11 протонов и 13 нейтронов, после выбрасывания электрона получается устойчивое ядро, содержащее уже 12 протонов и 12 нейтронов.  [15]



Страницы:      1    2