Выброс - атом
Cтраница 2
Несколько отличается фрагментация 3 6-ди-хлорпиразина, М ф которого не способен отщеплять Cl-атом, но первоначально теряет HCN и Н и уже затем атом хлора. Распад три - и дихлор ( фтор) - силш-триазинов осуществляется путем выброса атома галогена и галогенциана в различной последовательности. [16]
 |
Спектры Н - ЯМР индола [ 19в ]. [17] |
В силу стабилизующего влияния ароматического ядра интенсивность молекулярного иона обычно довольно велика; наиболее частым путем его распада является элиминирование HCN. Алкильные заместители в положениях 2 и 3 легко претерпевают ( З - расшепление с выбросом атома водорода или алкильного радикала, содержащего на один атом С меньше, чем в самом заместителе. [18]
 |
Характеристические пики в масс-спектрах ( 70 эВ. [19] |
Полифенилалкены, имеющие высокосопряженную систему, характеризуются интенсивными пиками М -, распад которых крайне ограничен. Например, в масс-спектре транс-стильбена пик М является максимальным, а среди фрагментных ионов заметны лишь те, которые отвечают выбросу атомов водорода, радикала СН3 и молекулы бензола. [20]
Наиболее интересным аспектом исследований углового распределения атомов, эмиттируемых полупроводниками, является его явно выраженная температурная зависимость. Андерсон и др. [98] установили, что эффект преимущественного испускания распыленных атомов проявляется только в том случае, когда температура мишени превышает некоторую характеристическую величину. Вероятно, именно поэтому в других исследованиях [83, 99] возникали трудности с наблюдением преимущественных направлений выброса атомов из полупроводников. Этот эффект объясняется следующим образом. Выброс атомов в определенных направлениях возможен лишь при условии монокристалличности мишени. При низких температурах мишени повреждения кристаллической решетки в приповерхностном слое, возникающие вследствие его облучения ионами, остаются замороженными, так что вскоре этот слой становится аморфным. При распылении такого слоя картины преимущественной эмиссии, естественно, не наблюдается. При достаточно высоких температурах мишени повреждение решетки, вызванное ударом иона, довольно быстро отжигается, так что следующий ион, падающий на тот же участок мишени, встречается с упорядоченной структурой поверхности. [21]
Картины преимущественного выброса распыленных атомов наблюдались и при ионном распылении полупроводников, хотя для этих материалов анизотропия распределения менее выражена, чем для металлов. Количество материала, распыленного в этих направлениях, и ориентация этих направлений зависит от угла падения ионов. Это означает, что наблюдаемые преимущественные направления испускания обусловлены столкновениями в приповерхностном слое, а не цепочками сфокусированных столкновений. Выброс атомов в направлении 100, по-видимому, невозможен для бездефектных структур. Андерсон и Венер [88] предположили, что такой выброс возможен, если будет занято любое из общих междоузельных положений. [22]
Обладая сильными электроноакцепторными свойствами, ни-трогруппа в алифатических соединениях не обеспечивает стабилизацию заряда. Поэтому основные пики в масс-спектрах отвечают углеводородным фрагментам. Основные направления распада нитроалкаиов связаны с выбросом группы NO2 и последующим разложением образующихся углеводородных ионов. Минорные направления обусловлены последовательным выбросом атома О и молекулы воды с образованием ионов, эквивалентных нитрилам. Для третичных нитроалканов характерно элиминирование из М частицы НМОг с образованием олефиновых ионов. [23]
Мы считаем, что такое представление имеет некоторые чисто химические основания. Подобно тому, как было отмечено выше в отношении распада бромидов, развитие цепной реакции задерживается, если при реакции атома хлора с молекулой хлорида с наибольшей вероятностью образуется радикал, не способный к превращению в олефин путем выбрасывания атома хлора. В этом случае цепной распад затрудняется, и, следовательно, непосредственный распад на олефин и НС1 получает преимущество. Действительно, в случае распада этилхлорида и 1 1-дихлорэтана, при взаимодействии их с атомом хлора ( реакция 1) атом Н легче всего будет отрываться от наиболее хлорированной группы хлорида, приводя к образованию радикалов СНС1 - СН3 и СС12 - СН3, не способных к выбросу атома хлора. [24]
Наиболее интересным аспектом исследований углового распределения атомов, эмиттируемых полупроводниками, является его явно выраженная температурная зависимость. Андерсон и др. [98] установили, что эффект преимущественного испускания распыленных атомов проявляется только в том случае, когда температура мишени превышает некоторую характеристическую величину. Вероятно, именно поэтому в других исследованиях [83, 99] возникали трудности с наблюдением преимущественных направлений выброса атомов из полупроводников. Этот эффект объясняется следующим образом. Выброс атомов в определенных направлениях возможен лишь при условии монокристалличности мишени. При низких температурах мишени повреждения кристаллической решетки в приповерхностном слое, возникающие вследствие его облучения ионами, остаются замороженными, так что вскоре этот слой становится аморфным. При распылении такого слоя картины преимущественной эмиссии, естественно, не наблюдается. При достаточно высоких температурах мишени повреждение решетки, вызванное ударом иона, довольно быстро отжигается, так что следующий ион, падающий на тот же участок мишени, встречается с упорядоченной структурой поверхности. [25]
Рассматривая коррелированные столкновения атомов в монокристаллах, Силсби [143] указал, что импульс должен фокусироваться при столкновениях ряда эквидистантных твердых шаров, если расстояние между их центрами будет меньше удвоенного диаметра атома. Рассмотрим теперь монокристалл с гранецентрированной кубической решеткой. При достаточно низких энергиях взаимодействия ( это означает, что эффективный диаметр атомов велик) в этом направлении возможны сфокусированные столкновения, называемые столкновениями Силсби. Так как направление 110 является направлением преимущественного выброса материала для гранецентрированной кубической решетки ( см. стр. Подобная точка зрения подтверждается тем обстоятельством, что фокусировка импульса возможна также в направлениях 100 и 1П гранецентрированной кубической решетки, и по этим же направлениям наблюдался преимущественным выброс атомов при распылении. Однако расстояния между ближайшими атомами в этих направлениях слишком велики, чтобы происходила фокусировка Силсби. [26]
Страницы: 1 2