Выброс - обратный ток - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Извините, что я говорю, когда вы перебиваете. Законы Мерфи (еще...)

Выброс - обратный ток

Cтраница 1


1 Экспериментальная схема ( а и осциллограммы токов и напряжений ( б. [1]

Выброс обратного тока в данном случае не будет стремиться к бесконечности, а будет ограничен сопротивлением нагрузки.  [2]

3 Устройство точечных диодов. [3]

Длительность выброса обратного тока определяется временем восстановления равновесной концентрации неосновных носителей зарядов. Описанный эффект накопления неосновных носителей зарядов вблизи / з-п-перехода при прохождении прямого тока ухудшает свойства диода как элемента импульсных схем, так что для работы в импульсных схемах применяют специально изготовленные импульсные диоды. Импульсные диоды должны иметь возможно меньшую площадь р-п-перехода. Поэтому одним из наиболее распространенных типов импульсных диодов являются так называемые точечные диоды.  [4]

Чем определяется величина выброса обратного тока при переключении диода с прямого направления на обратное.  [5]

Визуальные наблюдения потока на входе в колесо насоса показывают, что пульсации давления связаны с периодическими выбросами обратных токов во всасывающий патрубок. Если при отсутствии пульсаций давления обратные токи из колеса устойчивы и исчезают только на оптимальных режимах, то при наличии пульсаций происходит периодическое выбрасывание этих токов с периферии колеса во всасывающий патрубок, в то время как основной поток остается без изменения. Это дает основание предположить, что источником этих явлений являются процессы, имеющие место при обтекании лопастей колеса обратным потоком.  [6]

7 Зависимость времени выключения от скорости спада тока в открытом состоянии.| Зависимость времени выключения от температуры перехода. [7]

Отказы на переходном процессе выключения в основном обусловлены воздействием импульсного напряжения в закрытом состоянии и скоростью его нарастания, а также выбросом обратного тока большой амплитуды ( иногда сравнимой с амплитудой тока в открытом состоянии) при выключении обратным напряжением.  [8]

9 Конструкция точечного диода ( а и структура его перехода ( б. [9]

Особый интерес представляют диоды с накоплением заряда ( ДНЗ) [44], у которых время восстановления значительно меньше времени рассасывания, так что выброс обратного тока имеет почти прямоугольную форму. Такое соотношение времен ig и tp ( обратное по отношению к обычным диодам) достигается благодаря наличию тормозящего электрического поля в базе. Тормозящее поле способствует скоплению инжектированных носителей вблизи эмиттера и тем самым - малому остаточному заряду в конце этапа рассасывания. Внутреннее тормозящее поле обеспечивается неоднородностью базы. При достаточно большом обратном токе ( / 2 / / i 10) отношение tjt у ДНЗ может составлять 0 2 - 0 3 и менее. Такая прямоугольная форма импульсов используется в генераторах гармоник, умножителях частоты, диодных усилителях, формирователях импульсов и других схемах.  [10]

Включение емкостного фильтра на выходе выпрямителя приводит к появлению выброса напряжения на запирающем диоде и к появлению режима отсечки, когда нагрузка оказывается отключенной от выпрямителя. При этом длительность интервала, в течение которого оба плеча выпрямителя одновременно пропускают ток, по сравнению со случаем чисто активной нагрузки уменьшается, а амплитуда выброса обратного тока увеличивается.  [11]

Так, при увеличении прямого тока, проходящего через диод до переключения на обратное напряжение, время восстановления обратного сопротивления увеличивается, что вызвано необходимостью рассасывания большего количества накопленных в базе неосновных носителей заряда. Однако если выброс обратного тока при переключении диода вызван перезарядкой барьерной емкости ( см. § 3.18), то время перезарядки возрастает с увеличением обратного напряжения, что соответствует увеличению времени восстановления обратного сопротивления диода.  [12]

Диоды Д i и Д2 используются для разделения цепей токов прямого смещения измеряемого диода. Эти диоды должны быть более быстродействующими, чем измеряемый диод ИД. В тех случаях, когда выброс переходного обратного тока намного превышает уровень отсчета, в схему вводят дополнительный ограничитель обратного тока.  [13]

Рассматриваются некоторые теоретические соотношения, устанавливающие связь между эффективным временем жизни неравновесных носителей заряда в базе диода, величиной заряда переключения, емкостью и частотной характеристикой выпрямленного тока диода. Показано, что эффективное время жизни неравновесных носителей заряда в базе диода может быть определено по граничной частоте частотной характеристики выпрямленного тока диода и барьерной емкости р-п перехода. Получено соотношение, позволяющее найти эффективное время жизни неравновесных носителей заряда по амплитуде выброса обратного тока и частоте синусоидального сигнала.  [14]

Эффект накопления заряда в базе не во всех случаях следует рассматривать как отрицательный эффект. Исследование переходных характеристик диодов, р-п переходы которых изготовлены методом диффузии примесей в пластину полупроводника ( см. гл. Величина tt при этом бывает того же порядка, что и время жизни в базе диода тр. В результате форма выброса обратного тока некоторых типов диффузионных диодов приближается к прямоугольной. Сопротивление диода при переключении его с прямого тока на обратный в течение времени ti остается малым, после чего резко ( tz) возрастает до стационарного значения.  [15]



Страницы:      1    2