Cтраница 2
Как уже отмечалось, в момент подачи импульса обратного напряжения концентрация дырок на границе запорного слоя становится равной нулю. В глубине базы концентрация остается повышенной. Поэтому вблизи запорного слоя создается градиент концентрации дырок ( рис. 4.41), определяющий обратный ток через переход. С течением времени уменьшается концентрация дырок, уменьшается градиент концентрации, а поэтому и ток через диод. Уменьшение концентрации дырок в n - области связано с уходом их в р-область и рекомбинацией. Дело в том, что в момент подачи обратного напряжения концентрация дырок на самой границе запорного слоя мгновенно становится равной нулю. В любом другом сечении базы в первое мгновение концентрация дырок остается неизменной, поэтому градиент концентрации дырок и дырочный ток через переход бесконечно велики. Реально электрическая цепь всегда имеет конечное активное сопротивление, которое ограничивает величины выброса обратного тока. Кроме того, длительность фронта обратного импульса напряжения также конечна. Поэтому концентрация дырок у запорного слоя приходит к нулю за конечное время. [16]