Выброс - электрон
Cтраница 3
Если считать, что падающий свет действительно представляет собой переменное электромагнитное поле, то нетрудно вычислить, зная размер пылинок, то время, в течение которого частичка металла поглотит достаточное для выброса электрона количество энергии. По порядку величины это вр-емя составляет несколько секунд. Если бы правильной оказалась классическая теория света, то фотоэлектрон никоим образом не смог бы покинуть пылинку раньше чем через несколько секунд после начала облучения. Но на опыте наблюдается как раз противоположная картина - фотонзлучение электронов начинается тот - час же вслед за началом облучения. Этот результат не объясним иначе, как на основе допущения, что свет представляет собой поток световых квантов, которые могут выбить электрон непосредственно в момент столкновения с частицей металла. [31]
Из первого наблюдения следует, что энергия, которая должна быть передана поверхности металла, чтобы она выбросила электрон, связана с частотой света и что поверхность металла не может постепенно накапливать энергию, необходимую для выброса электрона. Такое поведение не согласуется с представлениями классической физики, в соответствии с которыми следовало бы ожидать, что электромагнитная световая волна будет передавать свою энергию металлу независимо от ее частоты. [32]
 |
Типичный потенциал ml11. [33] |
Электрон может быть захвачен на квазидискретныи уровень потенциальной ямы, отделенный от уровней сплошного спектра центробежным барьером. Выброс электрона в сплошной спектр происходит туннелированием через барьер, среднее время жизни системы относительно выброса электрона тя - й / 1а, где Га - ширина квазидискретного уровня. Га определяется шириной центробежного барьера и положением квазидискретного уровня, что, в свою очередь, является следствием-формы потенциала взаимодействия электрона и молекулы. Резонанс формы осуществляется, когда электрон обладает моментом количества движения относительно мишени, в противном случав захват не происходит из-за отсутствия центробежного барьера. [34]
Механизм захвата электрона можно описать так - электрон теряет свою энергию на возбуждение молекулы и сам оказывается в связанном состоянии с отрицательной энергией относительно возбужденной молекулы. Выброс электрона в сплошной спектр невозможен, пока молекула остается в возбужденном состоянии, так как канал эмиссии электрона закрыт, материнское состояние молекулы по энергии выше резонансного состояния иона. Резонансное состояние распадается вследствие связи закрытых и открытых каналов. [35]
Некоторые радиоактивные изотопы после выброса электрона или позитрона еще излучают Y-КВЗНТЫ. В настоящее время можно получать искусственно-радиоактивные изотопы, обладающие высокой активностью, что позволяет создавать довольно компактные источники радиоактивного излучения, широко используемые в различных областях науки и техники. [36]
Для ненасыщенных соединений характерен захват тепловых электронов с образованием долгоживущих молекулярных ионов. Среднее время жизни относительно выброса электрона приведено под структурными формулами соответствующих молекул. [37]
Темновой ток ограничивает чувствительность фотоумножителя. Этот ток возникает в результате выброса электронов из катода при термической активации или в результате радиоактивного излучения, вызывающего люминесценцию баллона. Он значительно уменьшается при охлаждении фотоумножителя сухим льдом или жидким воздухом. [38]
В первом случае р-распад связан с распадом нейтрона по. У подавляющего большинства р-радиоактивных изотопов распад связан с выбросом электрона, поэтому далее, за исключением особо оговариваемых случаев, говоря о Р - ИЗ-лучении, будем подразумевать испускание ядром электрона. Природа Р - излучения установлена еще на заре изучения естественной радиоактивности. [39]
На большом расстоянии от ядра электрон в нейтральных частицах и положительных ионах находится в кулоновском поле, свойством которого является наличие бесконечного числа стационарных состояний. Однако возможны квазистационарные состояния отрицательных ионов, нестабильные относительно выброса добавочного электрона, причем такие состояния реализуются при взаимодействии электронов с атомами и молекулами даже тогда, когда связанных стационарных состояний системы нет. Возможно также образование отрицательных ионов в квазистационарных состояниях в процессах перезарядки отрицательных ионов и в условиях тройных столкновений. Но стоит подчеркнуть, что все процессы диссоциативного захвата электронов молекулами, а также процессы резонансного упругого и неупругого рассеяния электронов атомами или молекулярными системами происходят через квазистационарные состояния отрицательных ионов, независимо от способности атомной или молекулярной системы, облучаемой электронами, образовывать с электроном связанное стационарное состояние. [40]
В первом случае р-распад связан с распадом нейтрона по. У подавляющего большинства - радиоактивных изотопов распад связан с выбросом электрона, поэтому далее, за исключением особо оговариваемых случаев, говоря о Р - ИЗ-лучении, будем подразумевать испускание ядром электрона. Природа р-излучения установлена еще на заре изучения естественной радиоактивности. [41]
Модели механизма I и II рассматривают только те процессы, которые происходят в темноте, а большинство реакций по механизму SRN. Как уже указывалось ранее [30], существует возможность того, что выброс электронов из анион-радикала - это процесс с фотосодействием. [42]
В настоящее время обычно используют ионные пучки атомов Н, Не, Аг, Ne в широком интервале энергий. При относительно малых энергиях бомбардирующих ионных пучков ( ЮкэВ) наряду с прямым выбросом электронов из валентных зон облучаемого материала в вакуум большое значение имеют процессы оже-рекомбинации. [44]
Обе реакции приводят к анион-радикалу молекулы субстрата и молекуле продукта замещения, однако различаются механизмом переноса электрона. Реакции ( 39) - ( 40) включают в качестве основного пути выброс электрона в раствор. Таким образом, наблюдаемая скорость реакции не зависит от концентрации и природы арилгалогенида. Поскольку реакция ( 41) представляет собой непосредственный перенос электрона на ароматический субстрат, то здесь наблюдаемая скорость будет зависеть от концентрации арилгалогенида. [45]
Страницы: 1 2 3 4