Интерпретация - зависимость
Cтраница 3
Интерпретация зависимости См-2 от q приведена в гл. [31]
 |
Зависимость величины потенциальной энергии и функции Гамильтона от координат. [32] |
Такая интерпретация зависимости Я0 ( г) очень удобна, поскольку она позволяет рассматривать как свободное движение электрона, так и движение с рассеянием. [33]
При интерпретации зависимости тока от потенциала при помощи уравнения (51.4) следует учитывать, что входящие в это уравнение величины CQ и cfj также являются некоторыми функциями потенциала электрода. [34]
При интерпретации зависимости тока от потенциала при помощи уравнения (51.4) следует учитывать, что входящие в это уравнение величины CQ и cfj также являются некоторыми функциями потенциала электрода. [35]
Известны две теории простых бимолекулярных реакций: теория столкновений и теория абсолютных скоростей реакций ( теория переходно. Обе теории основываются на аррениусовой интерпретации зависимости константы скорости от температуры, в которой используется представление об энергии активации. Теория столкновений фокусирует внимание на столкновении, предшествующем реакции; теория абсолютных скоростей реакций сосредоточивает внимание на совокупности a i омов сразу же после столкновения, но непосредственно перед распадом на продукты. [36]
Использование принципов организации памяти с рециклом открывает новые возможности в создании новых и совершенствовании известных методов усреднения неравномерной скорости передачи информации. На рассмотренном ранее примере с интерпретацией зависимостей (3.24) и (3.25) указана возможность реализации метода упругой задержки на основе применения памяти с рециклом. [37]
При экспериментальном изучении адсорбции на твердом теле очень важно, чтобы исследуемая поверхность была однородной, поскольку любая неоднородность усложняет функцию распределения центров по энергии. Кроме того, неоднородность поверхности вносит неопределенность в интерпретацию зависимости теплоты адсорбции от степени заполнения поверхности. Основной экспериментально определяемой физической характеристикой является теплота адсорбции, связанная с термодинамическими функциями компонентов системы. [38]
 |
Зависимость скорости ухода электронов из кулоновс-кой потенциальной ямы вблизи инжектирующего электрода, kK - OT напряженности приложенного электрического поля F. [39] |
Теория стационарной рекомбинации Онзагера [183, 184] была создана для получения стационарного решения задачи о движении пары противоположно заряженных частиц в непрерывной конденсированной среде в присутствии внешнего электрического поля. Тем не менее она широко и довольно успешно использовалась для интерпретации зависимости квантового выхода фотогенерации носителей заряда от электрического поля в кристаллах, где эти носители, несомненно, движутся в дискретной решетке [45] ( см. разд. [40]
 |
Зависимость прогиба. [41] |
Для прикладной теории устойчивости механических систем эти теории не добавляют существенно нового ( кроме терминологии) к известным фактам. На рис. 7.3.9, б показана диаграмма катастрофы типа сборки, которая по существу представляет собой трехмерную интерпретацию зависимости между f, р и е для положений равновесия. [42]
Изучены условия синтеза однофазных твердых растворов шли-нельного типа в системе Мп-V - Fe-О. Показано, что в квазибинарной системе ( MnFe2O4) c ( Fe2VO4) i - c имеет место неограниченная взаимная растворимость компонентов, а параметр кристаллической решетки меняется в зависимости от состава по линейному закону. Интерпретация зависимостей а ( с) для ряда квазибинарных твердых растворов системы Мп-V - Fe-О проведена на основе триангуляции всей шпинельной области на частные концентрационные треугольники. [43]
Таким образом, с понижением температуры кристалла уменьшается вероятность попадания электрона с уровня возбуждения в зону проводимости при неизменном значении коэффициента поглощения в максимуме F-полосы. F-полосе может совсем прекратиться, хотя способность F центров поглгщать свет сохраняется неизменной. Такая интерпретация зависимости кривых спектрального распределения вспышечного действия видимого света от температуры кристалла подтверждается измерениями зависимости интенсивности вспышки от температуры кристалла Опыты проводились следующим образом. Кристалл № С был окрашен рентгеновыми лучами при комнатной температуре, после чего он был охлажден до те, пг-ратуры жидкого воздуха. [44]
Основные представления, которые используются при интерпретации зависимости п ( Т), связаны с квадратичным электрооптическим эффектом (8.21), имеющим место во всех кристаллах. [45]
Страницы: 1 2 3 4