Многолучевая интерференция

Cтраница 4

Так же, как и у дифракционной решетки, спектральная избирательность интерферометра Фабри-Перо обусловлена многолучевой интерференцией. [46]

Оценим теперь возможную точность измерения оптической толщины по смещению полос при использовании двух - и многолучевой интерференции. [47]

На рис. 3, в представлена интерференционная картина возле того же отпечатка, но полученная методом многолучевой интерференции. Оба метода дают идентичные результаты, но второй из них более нагляден. Более ярко вспучивания поверхности выражены на монокристаллах CdS ( пластически деформированная область приблизительно в 2 раза превосходит размер отпечатка) и менее - на монокристаллах CdSe. На плоскостях ( 0001) монокристаллов CdS и CdSe искаженная область возле отпечатка незначительна, деформированная область симметрична. На плоскостях скола ( 110) кубических монокристаллов CdTe, ZnTe и ZnSe ( см. рис. 3, г) также отсутствуют навалы. Все эти результаты хорошо согласуются с величинами коэффициента к, найденного для монокристаллов A11 BVI со структурой W. Таким образом, анизотропия микротвердости ( как она обычно называется) на грани ( 1120) монокристаллов CdS и CdSe связана с анизотропией пластического течения материала под нагрузкой. [48]

Все зависимости, определяющие форму, ширину, направление и локализацию полос, справедливы и в случае многолучевой интерференции. [49]

В настоящее время все большее распространение получают интерференционные светофильтры, в основе действия которых лежит использование явлений многолучевой интерференции. Для получения еще большей монохроматичности с 26 - 1 - 1 5 А используют сложные интерференционные светофильтры, состоящие из двух и более фильтров такого рода. [50]

На рис. 24, а показано распределение интенсивности освещенности при двухлучевой интерференции, а на рис. 24, б - при многолучевой интерференции. На рис. 24, в показаны при многолучевой интерференции полосы равного наклона ( кольца Ньютона) в проходящем свете, а на рис. 24, г - в отраженном свете. [51]

Таким образом происходит перераспределение энергии - вместо интерференционного минимума при k mN мы получаем главный максимум, который имеет характерный для многолучевой интерференции узкий контур. Эти максимумы будут расположены не слишком часто, так как значению k надо пройти / V - - 1 последовательных целых значений, чтобы стать кратным N. [52]

Очевидно, что для б Я справедливо аналогичное выражение для интерференционного фильтра (3.7.11), так как это оптическое устройство работает также на принципе многолучевой интерференции. [53]

Метод многолучевой интерференции основан на интерференции многих пучков. Это достигается помещением на пути лучей плоской эталонной пластинки, которая частично пропускает, а частично отражает лучи света на поверхность образца. Пластинку и образец располагают под небольшим углом друг к Другу, не превышающим обычно одну или две длины волны света. Между эталонной плоской пластинкой и образцом происходит многократное отражение светового луча. Соответственно замеряемая разница в уровнях рельефа поверхности составляет величину около 0 5 нм; следовательно, можно исследовать весьма тонкие детали микрорельефа поверхности. [54]

Явление многолучевой интерференции связано с интерференцией большого числа когерентных лучей. [55]

Этот недостаток в какой-то мере компенсируется переходом к многолучевой интерференции, приводящей к сужению интерференционных максимумов и резкому увеличению их интенсивности. Для перехода к многолучевой интерференции пользуются системой многих слоев, нанесенной на отражающую поверхность. В результате удается получить коэффициент отражения R ж 0 99, что особенно важно в лазерной технике. Для получения такого высокого коэффициента отражения на поверхность стекла наносят 11 - 13 слоев. [56]

Спектральная кривая отражения при трехслойном просветлении. [57]

Оптические устройства, выделяющие узкие области спектра, служат для монохроматизации излучения. Они работают на принципе многолучевой интерференции. УИФ представляет собой две плоскопараллельные пластины диаметром 40 - 50 мм, между которыми расположен слой диэлектрика, имеющий толщину, сравнимую с длиной волны. Внутренние поверхности пластин имеют высокоотражающие покрытия из металла или диэлектрика. На рис. 3.7. 10, а, б показано устройство и конструкция простейшего УИФ. Принцип получения высокоотражающих диэлектрических зеркал описан выше. [58]

Из (7.16) следует, что значение для / С всегда будет отличаться от нуля, так как параметр Rt меньше единицы. Это обстоятельство определяет наличие фона при многолучевой интерференции, как это показано на рис. 7.2. При идеализации и математическом описании двухлучевой интерференции монохроматических колебаний и при точном равенстве амплитуд складывающихся колебаний фон равен нулю. [59]

Страницы: 1 2 3 4