Вывод - база - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Человек гораздо умнее, чем ему это надо для счастья. Законы Мерфи (еще...)

Вывод - база

Cтраница 1


Вывод базы определяют следующим образом. К предполагаемому выводу базы подключить положительный щуп омметра в режиме измерения средних величин сопротивлений ( килоомы), вторым щупом прикоснуться других выводов.  [1]

Вывод базы электрически соединен с корпусом транзистора.  [2]

Вывод базы Б фототранзистора иногда используется для подачи смещения при выборе рабочей точки на входной и выходной характеристиках транзистора и обеспечения ее температурной стабилизации.  [3]

4 Основные размеры i. [4]

Вывод базы соединен с корпусом.  [5]

Вывод базы соединен с корпусом. Оранжевая ь метка со стороны эмиттера.  [6]

Вывод базы фототранзистора ( например, ФТ-1) используют обычно для создания смещения, необходимого для получения линейной характеристики при измерении малых световых сигналов, а также для компенсации внешних воздействий. В первую очередь необходимо компенсировать изменения параметров фототранзистора, обусловленные изменением его температуры.  [7]

Вывод базы фототранзистора ( например, ФТ-1) используется обычно для создания смещения, необходимого для получения линейной характеристики при измерении малых световых сигналов, а также для компенсации внешних воздействий. В первую очередь приходится компенсировать изменения параметров фототранзистора, обусловленные изменением его температуры.  [8]

9 Схема включения ( а и схематическое представление конструкции ( б триода для определения начального коллекторного тока ( к о а. [9]

Поскольку вывод базы отключен, то концентрация электронов в базе увеличивается; объемный заряд электронов частично компенсирует положительные заряды ионов эмиттерного и коллекторного барьеров.  [10]

11 Изменение потенциальных барьеров в транзисторе при лавинном умножении в коллекторном переходе и токе базы, равном нулю. [11]

Если вывод базы отсоединен, то основные носители, накопившиеся в базе, могут исчезнуть только двумя путями - либо уйти в эмиттер, либо ре-комбинировать с носителями, инжектированными эмиттером. Однако транзистор делают так, что вероятность этих событий довольно мала - из эмиттера в базу проходит гораздо больше носителей, чем из базы в эмиттер, и носители, инжектированные в базу, почти не рекомбинируя, доходят до коллектора. Следовательно, на каждый основной носитель, попавший в базу, должно пройти из эмиттера в коллектор много неосновных носителей, прежде чем исчезнет избыточный заряд в базе. Значит, даже небольшое возрастание коллекторного тока из-за лавинного умножения приводит к существенному росту тока эмиттера, что в свою очередь ведет к росту тока коллектора. Этот процесс может привести и к неустойчивой работе транзистора.  [12]

13 Эквивалентная схема транзистора для режима большого сигнала при работе на высоких частотах ( ( оЗй т / Ро.| Схема, поясняющая распределение активных мощностей. [13]

Индуктивности выводов базы и коллектора и выходная емкость отнесены к источнику возбуждения и нагрузке и поэтому на эквивалентной схеме не показаны.  [14]

15 Конструкция высокочастотных германиевых диффузионных триодов П402 и П403.| Электронно-дырочный переход триода П402 - П403, полученный методом диффузии и вплавления примеси. [15]



Страницы:      1    2    3    4