Cтраница 1
Вывод базы определяют следующим образом. К предполагаемому выводу базы подключить положительный щуп омметра в режиме измерения средних величин сопротивлений ( килоомы), вторым щупом прикоснуться других выводов. [1]
Вывод базы электрически соединен с корпусом транзистора. [2]
Вывод базы Б фототранзистора иногда используется для подачи смещения при выборе рабочей точки на входной и выходной характеристиках транзистора и обеспечения ее температурной стабилизации. [3]
Основные размеры i. [4] |
Вывод базы соединен с корпусом. [5]
Вывод базы соединен с корпусом. Оранжевая ь метка со стороны эмиттера. [6]
Вывод базы фототранзистора ( например, ФТ-1) используют обычно для создания смещения, необходимого для получения линейной характеристики при измерении малых световых сигналов, а также для компенсации внешних воздействий. В первую очередь необходимо компенсировать изменения параметров фототранзистора, обусловленные изменением его температуры. [7]
Вывод базы фототранзистора ( например, ФТ-1) используется обычно для создания смещения, необходимого для получения линейной характеристики при измерении малых световых сигналов, а также для компенсации внешних воздействий. В первую очередь приходится компенсировать изменения параметров фототранзистора, обусловленные изменением его температуры. [8]
Схема включения ( а и схематическое представление конструкции ( б триода для определения начального коллекторного тока ( к о а. [9] |
Поскольку вывод базы отключен, то концентрация электронов в базе увеличивается; объемный заряд электронов частично компенсирует положительные заряды ионов эмиттерного и коллекторного барьеров. [10]
Изменение потенциальных барьеров в транзисторе при лавинном умножении в коллекторном переходе и токе базы, равном нулю. [11] |
Если вывод базы отсоединен, то основные носители, накопившиеся в базе, могут исчезнуть только двумя путями - либо уйти в эмиттер, либо ре-комбинировать с носителями, инжектированными эмиттером. Однако транзистор делают так, что вероятность этих событий довольно мала - из эмиттера в базу проходит гораздо больше носителей, чем из базы в эмиттер, и носители, инжектированные в базу, почти не рекомбинируя, доходят до коллектора. Следовательно, на каждый основной носитель, попавший в базу, должно пройти из эмиттера в коллектор много неосновных носителей, прежде чем исчезнет избыточный заряд в базе. Значит, даже небольшое возрастание коллекторного тока из-за лавинного умножения приводит к существенному росту тока эмиттера, что в свою очередь ведет к росту тока коллектора. Этот процесс может привести и к неустойчивой работе транзистора. [12]
Эквивалентная схема транзистора для режима большого сигнала при работе на высоких частотах ( ( оЗй т / Ро.| Схема, поясняющая распределение активных мощностей. [13] |
Индуктивности выводов базы и коллектора и выходная емкость отнесены к источнику возбуждения и нагрузке и поэтому на эквивалентной схеме не показаны. [14]
Конструкция высокочастотных германиевых диффузионных триодов П402 и П403.| Электронно-дырочный переход триода П402 - П403, полученный методом диффузии и вплавления примеси. [15] |