Вывод - база
Cтраница 3
Схема, в которой вывод базы транзистора непосредственно заземлен или заземлен для сигнала. [31]
Базой составного транзистора является вывод базы транзистора Т, эмиттером - вывод эмиттера транзистора Т, а коллектором - соединенные вместе выводы коллекторов того и другого транзисторов. Составной транзистор эквивалентен транзистору с новыми параметрами. Аналога в схемах с электронными лампами он нг имеет. Состав - составного транзистора является суммой коллек-ной транзистор. Оба транзистора могут быть одного типа, либо транзистор Т может быть относительно более мощным. [32]
 |
Распределение стационарных потоков носителей в транзисторе. а - активный режим. б - режим насыщения. [33] |
Ток, проходящий к выводу базы, представляет собой алгебраическую сумму токов основных носителей, обусловливающих инжекцию носителей в эмиттер ( / эя. [34]
 |
Эквивалентная схема транзистора для постоянного тока. [35] |
Этот ток протекает к выводу базы в направлении, перпендикулярном направлению эмиттер - коллектор. А в направлении к выводу базы сопротивление базы гбо ( его называют поперечным) достигает сотен ом, так как в этом направлении база аналогична очень тонкому проводнику. Напряжение на эмиттерном переходе всегда меньше, чем напряжение ив-э между выводами базы и эмиттера, так как часть подводимого напряжения теряется на сопротивлении базы. На этой схеме г - сопротивление эмиттера, в которое входят сопротивление эмиттерного перехода и эмиттерной области. Значение гэ0 у маломощных транзисторов достигает десятков ом. Это вытекает из того, что напряжение на эмиттерном переходе не превышает десятых долей вольта, а ток эмиттера в таких транзисторах составляет единицы миллиампер. [36]
Входной сигнал подводится к выводам базы и эмиттера. Источник питания цепи коллектора Бк к последовательно соединенное с ним нагрузочное сопротивление RH включены между выводами эмиттера и коллектора. В схеме с общим эмиттером по рис. 38 - 10, в вывод базы соединен с выводом коллектора через резистор Rc, поэтому изменение напряжения коллектора ( см. стр. [37]
Часть этих носителей ответвляется в вывод базы, а часть диффузионным способом достигает коллектора и образует ток в его цепи. Область базы очень тонка, поэтому ток коллектора почти равен току эмиттера, и лишь небольшая часть тока - эмиттера ответвляется в базу. Поскольку напряжение на эмиттер подано в прямой полярности, а напряжение на коллектор в обратной, то внутреннее сопротивление коллектора значительно больше сопротивления эмиттера. [38]
В схеме с ОЭ на вывод базы подается отрицательный импульс, поэтому из него в базу входят электроны, а из эмиттера дырки. После окончания импульса дырки также уходят из базы в коллектор. Однако электроны из базы уйти через вывод базы не могут, так как она отключена. Поэтому они образуют в базе отрицательный заряд, понижающий потенциальный барьер эмиттера, что приводит к тому, что инжекция дырок происходит и после окончания действия импульса. Этот процесс затухает только вследствие рекомбинации электронов с инжектированными дырками. Поэтому время рассасывания неравновесных носителей в базе после окончания импульса определяется их эффективным временем жизни. [39]
 |
Схемы включения транзисторов в усилительные каскады. [40] |
Входной сигнал также подводится к выводам базы и эмиттера, но источник питания коллектора Бк и нагрузка Rs включены между выводами коллектора и базы. [41]
У них металлический корпус является выводом базы. От эмиттера и коллектора выводы сделаны в виде штырьков. Все точечные транзисторы имеют предельную мощность, рассеиваемую на приборе, 50 - 100 мет 1 и могут работать при температурах от - 50 до 50 С. Однако точечные транзисторы неперспективны и выпуск их производством прекращен. [42]
При включении источника напряжения между выводами базы и коллектора токораспределение изменяется: ток коллектора возрастает, а ток базы уменьшается. Соответственно уменьшается падение напряжения на омическом сопротивлении базы, а следовательно, и напряжение между внешними выводами эмиттера и базы транзистора. [43]
 |
СВЧ усилитель-умножитель. [44] |
Выводы 11 к 12 являются управляющими выводами базы. Если ток / вг равен нулю, то диод ui и транзисторы Т и Т5 заперты. [45]
Страницы: 1 2 3 4