Вывод - соответствующее уравнение
Cтраница 3
Выражение потенциала системы ( 30) упрощается: F0 - ZpV. Давление, которое может оказывать кристаллическая фаза при своем росте в условиях соприкосновения с питающим, жидким или газовым раствором, может быть названо кристаллизационным давлением. Кристаллизационное давление минерала есть определенная функция химических потенциалов его компонентов и их содержаний в минерале ( вывод соответствующих уравнений см. Кор-жипский, 1953, стр. Минералы, которые при данном составе поро-вых растворов обладают большим кристаллизационным давлением, разрастаются за счет минералов с меньшим кристаллизационным давлением, вызывая их растворение, пока при произвольном составе перового раствора не останется только один минерал с наибольшим кристаллизационным давлением. Этим объясняется мономинералыюсть конечных стадий метасома-тических замещений. [31]
Для разработки данной ( локальной) модели рассмотрим слоистый композит, который состоит из анизотропных упругих слоев одинаковой толщины и подвергается действию заданных усилий и / или перемещений на границе. Образец ограничивается цилиндрической поверхностью кромки, а также верхней и нижней торцевыми поверхностями, которые параллельны плоскостям раздела слоев. Поскольку необходимо учесть условия непрерывности как для напряжений, так и для перемещений на различных поверхностях раздела, логично рассмотреть вариационную теорему Рейсснера [32] в качестве средства вывода соответствующих уравнений поля. [32]
Вместе с тем, динамику практически всех интересующих нас систем можно было бы описать в виде интегральных уравнений, для чего достаточно было применить иные формы математического представления основных физических закономерностей, используемых при выводе соответствующих уравнений. [33]
Там выводится формула взаимодействия прямолинейных токов, текущих по параллельным бесконечно длинным проводникам, и получается сила Лоренца исходя из электрического взаимодействия зарядов. Полевая интерпретация этих результатов позволяет найти индукцию магнитного поля тока, текущего по прямолинейному бесконечно длинному проводнику. Принцип суперпозиции для магнитного поля является теперь следствием принципа суперпозиции для электрического поля. Переход к индукции магнитного поля произвольных токов и вывод соответствующих уравнений производится в § 35, где существенно используется независимость локальных соотношений от значений физических величин в других точках. Затем в § 37 теоретически выводится закон Био - Савара и тем самым завершается анализ связи, которая существует в рамках релятивистских представлений о пространстве и времени между инвариантностью элементарного электрического заряда, законом Кулона, принципом суперпозиции для электрического поля и законом Био - Савара, силой Лоренца и принципом суперпозиции для магнитного поля. [34]
Вплотную к расчету тороидальных резонаторов примыкает расчет резонатора типа щель - отверстие, изображенного на рис. 10.30, а. Роль сосредоточенной индуктивности на рис. 10.30, а играет отверстие, внутренняя поверхность которого может рассматриваться как одиночный ленточный виток. Роль емкости играет сквозная щель. Ввиду большого сходства расчета резонаторов типа щель-отверстие с расчетом тороидальных резонаторов вывод соответствующих уравнений здесь опускается. [36]
Этот метод должен давать довольно точное значение диэлектрической проницаемости твердого вещества в точке плавления, но желательно все-таки проверять его измерениями с ячейкой других размеров. Метод использовался для изучения зависимости диэлектрической проницаемости и потерь от температуры, хотя, кроме как в точке плавления, он не дает абсолютных значений, так как между обкладками конденсатора замораживается фиксированное количество вещества. По этой причине наблюдаемая диэлектрическая проницаемость твердых веществ, у которых отсутствует диполь-лая ориентация, не увеличивается с увеличением плотности в результате понижения температуры, а в случае веществ, у которых дипольная ориентация имеется, наблюдаемое увеличение диэлектрической проницаемости при понижении температуры несколько меньше истинного. Данные по плотности и диэлектрической проницаемости малополярных дибромдихлор-метана и бромтрихлорметана [75] и вывод соответствующих уравнений позволили вводить в значения кажущейся диэлектрической проницаемости поправки на пустоты и трещины, которые образуются в твердом веществе при охлаждении. При этом кривые зависимости диэлектрической проницаемости от температуры, вместо того чтобы падать при понижении температуры от точки плавления, поднимаются, но точка перехода остается, конечно, той же. [37]
Для построения векторной схемы разложения момента молекулы по связям вопрос о направлении стрелки диполя ( от А к В или от В к А) не является существенным. Уравнения, получаемые при этом, верны и в том случае, если в действительности стрелка диполя направлена обратно принятому при их выводе. Это указывало бы на то, что дипольный момент связи направлен обратно тому, как это было принято при выводе соответствующих уравнений. [38]
Книга преследует цель не только помочь читателю познать новую для него информацию, но и способствовать приобретению навыков применения ее к решению практических задач. Поэтому книга содержит довольно большое количество примеров. Нельзя не отметить при этом и преднамеренное невключение в книгу таких примеров, в которых рассматривались бы конструкции более сложные, чем балка. Делалось это с целью сосредоточения внимания читателя на принципиальных вопросах основного предмета книги, общих для всех систем, и избежания вместе с тем трудностей, связанных со сложностью самой конструкции, Аналогично, желая отделить принципиальные вопросы от вопросов не первостепенного значения, хотя и важных в практическом отношении, автор поместил рассмотрение этих последних вопросов в примеры. Так обстоит дело с учетом сдвигов и инерции поворота сечений в балке при определении собственных частот, с учетом вязкости материала самой балки или опоры, рассмотренных в примерах, где дается и вывод соответствующих уравнений, и их решение, и, наконец, анализ полученных числовых результатов. [39]
Страницы: 1 2 3