Выращивание - кристалл
Cтраница 2
 |
Тигель для выращивания кристаллов карбида кремния методом сублимации. [16] |
Выращивание кристаллов этим методом развивается в направлении увеличения размеров кристаллов, повышения их совершенства и чистоты. [17]
Выращивание кристаллов гидротермальным методом, как правило, производят следующим образом. В нижнюю часть автоклава загружают исходные материалы - предварительно синтезированный феррит или ферритообразующие оксиды. Затем в автоклав наливают водный раствор соли или щелочи. В верхней его части помещают несколько затравочных кристаллов. Иногда между верхней и нижней частями автоклава устанавливают перегородку с отверстиями, которая препятствует выравниванию температуры при выращивании кристаллов методом температурного градиента и влияет на движение раствора, вызванное термоконвекцией. [18]
Выращивание кристаллов - это сложный физико-химический процесс, течение которого зависит от многих самых разнообразных факторов. Процессы выращивания кристаллов рассматриваются с двух разных точек зрения. Физики в первую очередь интересуются механизмом роста кристаллов. Для этого они расчленяют сложный и многообразный процесс на отдельные конкретные задачи, каждую из которых можно решить без связи с остальными при помощи адекватной модели, которую можно охарактеризовать и исследовать математически. [19]
Выращивание кристаллов из растворов часто считают универсальным методом, позволяющим получать образцы кристаллов веществ с любыми температурами плавления, значительно диссоциирующими при плавлении, а также соединений, образующихся по перитектической реакции. [20]
Выращивание кристаллов из паровой фазы, образованной атомами или молекулами компонентов, производится преимущественно в замкнутых эвакуированных контейнерах или в вакуумных камерах. Процесс сводится к созданию потока паров, испускаемых источником, нагретым до выбранной температуры возгонки или испарения; пары, пройдя некоторый путь, конденсируются на подложке. Давление насыщенных паров элементарного вещества, образующего одноатомные пары в зависимости от температуры, описывается уравнением Клаузиуса - Клапейрона. [21]
Выращивание кристаллов из газовой фазы, как и выращивание из жидких растворов, можно производить при сравнительно низких температурах, что важно при получении монокристаллов тугоплавких, инконгруэнтно плавящихся или испытывающих полиморфные превращения соединений. К достоинству газофазных методов также относится возможность использования газообразных компонентов или соединений для их доставки к месту роста кристалла. [22]
Выращивание кристаллов из растворов, часто применяемое для большого числа солей, Довольно редко используют для полупроводников. Возможно, что этот метод широко распространится в будущем. [23]
Выращивание кристаллов ИАГ в условиях вакуума позволяет очищать расплав от легколетучих примесей, например примесей переходных элементов. Кроме того, в условиях вакуума расплав меньше загрязняется материалом конструктивных элементов кристаллизатора. Поэтому вакуумные кристаллы ИАГ характеризуются не только лучшей оптической однородностью, но и обладают более высокой радиационной стойкостью, чем кристаллы, выращенные в газовой среде. Однако в условиях вакуума в ростовой камере из расплава ИАГ испаряются также продукты диссоциации оксида алюминия, в результате чего происходит нарушение стехиометрического соотношения кристаллообразующих ионов в расплаве. [24]
Выращивание кристаллов GaAs обычно осуществляют методом Бридж-мена, хотя применим также и метод Чохральского. Во избежание взрыва необходимо крайне осторожно проводить синтез элементов. [26]
Выращивание кристаллов соли осуществляют в специальном кристаллизаторе с вакуумным испарителем. В результате упаривания и понижения температуры в кристаллизаторе раствор становится более пересыщенным, благодаря чему достигается выращивание крупных кристаллов сульфата аммония. [27]
Выращивание кристаллов путем обратимой реакции чаще всего проводят в закрытой горизонтальной трубке ( фиг. Если перенос происходит за счет реакции, обеспечивающей рост при более высокой температуре, то зона испарения, естественно, не горячее зоны роста. [28]
Выращиванию кристалла постоянного диаметра в большинстве методов предшествует выращивание конусной части. Расходуемую на ее образование массу расплава в расчетах не учитывают. Поэтому в расплав вводят дополнительное количество материала с тем, чтобы после выхода монокристалла на постоянный диаметр программированный рост монокристалла начался при наличии в тигле расчетной массы расплава. [29]
На выращивание кристаллов имеются две крайние точки зрения. Некоторые люди, не сталкивавшиеся с ним лично, считают, что это очень просто. Очевидна легковесность такого подхода. Другая точка зрения заключается в том, что выращивание любых кристаллов в неспециализированных лабораториях - практически безнадежное дело. Эта точка зрения появляется у тех, кто пытался заниматься выращиванием кристаллов без достаточных знаний и навыков. Мы не согласны ни с той, ни с другой точкой зрения. [30]
Страницы: 1 2 3 4