Выращивание - кристалл
Cтраница 3
Для выращивания кристаллов в первую очередь необходимо подобрать подходящий растворитель, дающий приемлемую растворимость данного вещества. [31]
Хотя выращивание кристаллов из расплавленных металлов при высоких давлениях и температуре не является методом, нашедшим широкое применение, ясно, что если другие методы недоступны, а нужный кристалл имеет малую растворимость, то эту растворимость можно увеличить, применяя высокие давление и температуру до такой степени, при которой становится возможным рост из раствора. Аналогичным образом органические вещества, физические свойства которых не позволяют получать кристаллы обычными методами, могут, по-видимому, давать кристаллы из органических растворителей при высоких давлении, и температуре. [32]
Обычно выращивание кристаллов ведется в условиях, когда величина у значительно меньше единицы. [33]
Для выращивания кристаллов по методу Бриджмена-Стокбаргера необходимо следующее оборудование. [34]
 |
Условия роста тройных халькогенидов. [35] |
Для выращивания кристаллов чаще всего используют двухсекционные печи, позволяющие установить градиент температуры. [36]
Для выращивания кристаллов YaFesO используется шихта ( молярная доля): 10 % Y2O3 20 4 % Fe203, 36 8 % PbO, 27 1 % PbF2, 5 5 % ВзОз. Вращение тигля способствует повышению качества кристаллов, но затрудняет их укрупнение. Тем не менее в тиглях вместимостью 3 л вырастают отдельные кристаллы массой до 100 г и больше. Первые преобладают на медленно растущих кристаллах. [37]
Для выращивания кристаллов SiC использовался метод термического разложения метилтрихлорсилана в водороде на подложках, нагреваемых с помощью токов высокой частоты. [38]
Поэтому выращивание бездислокациопных кристаллов Si, GaAs, IP начинают с затравок малого диаметра и ведут в максимально однородном температурном ноле. Кристаллы могут содержать петли дислокаций размером меньше 1 мкм. Петли образуются как контуры дискообразных скоплений ( кластеров) межузслышх атомов ( или вакансий), возникших в результате распада пересыщенного твердого раствора при охлаждении выросшего кристалла. Атомы примеси могут быть центрами зарождения кластеров. [39]
Для выращивания кристаллов активных лазерных диэлектриков были использованы, по существу, почти все известные методы. [40]
Для выращивания кристаллов активных диэлектриков ОКГ были использованы, по существу, почти все известные методы. [41]
 |
Схема зонной плавки.| Схема вытягивания монокристалла ( метод Чохраль-ского. [42] |
Метод выращивания кристалла ( рис. 4 - 45) состоит в том, что в тигель с расплавленным полупроводником опускают кристаллическую затравку из того же материала, а затем медленно поднимают ее вместе с постепенно нарастающим на ней новым кристаллом. Для перемешивания расплава стержень с затравкой медленно вращают или заставляют слегка вибрировать. Метод выращивания часто применяют вслед за предварительной зонной плавкой. [43]
Успех выращивания кристаллов методом из раствора в расплаве во многом определяется правильным выбором растворителя-флюса. Критерием выбора растворителя служили следующие требования: а) высокая растворяющая способность флюса ( температурный коэффициент растворимости); б) низкая температура плавления флюса; в) отсутствие в составе флюса элементов, загрязняющих кристаллы; г) низкая корродирующая способность по отношению к материалу контейнера; д) легкое отделение кристаллов от флюса после проведения синтеза и др. Известные флюсы, применявшиеся для синтеза циркона, удовлетворяют не всем перечисленным выше требованиям. Например, наиболее употребляемый для синтеза циркона растворитель LJ2O - МоО3 обладает малым температурным коэффициентом растворимости ( рис. 92) и плохо отмывается от кристаллов. В свою очередь, ванадатные флюсы загрязняют циркон, окрашивая его в зелено-синие цвета. [44]
 |
Двухступенчатой процесс производства параксилола. [45] |
Страницы: 1 2 3 4