Выращивание - крупный кристалл
Cтраница 1
 |
Схема бессатураторной установки с кристаллизацией соли при обычном давлении. [1] |
Выращивание крупных кристаллов достигается путем интенсивной циркуляции маточного раствора в ванне абсорбера. Разделение кристаллов по крупности достигается в кристалле-приемнике специальной конструкции. [2]
 |
Схема бессатураторной установки с вакуум-выпаркой. [3] |
Выращивание крупных кристаллов сульфата аммония производится в отдельном аппарате - эвапараторе с применением вакуум-выпарки. [4]
Выращивание крупных кристаллов сульфата аммония в первой ступени осуществляется в нижней части абсорбера. Крупные кристаллы осаждаются на дно аппарата, а мелкие остаются в циркулирующем растворе, когда они достигают крупных размеров, осаждаются на дно абсорбера. [5]
Для выращивания крупных кристаллов в начальный период зародышеоб-разования требуются очень низкие скорости охлаждения раствора сырья в растворителе в маловязкой суспензии. [6]
Для выращивания крупных кристаллов в начальный период зародышеобразования требуются очень низкие скорости охлаждения раствора сырья в растворителе в маловязкой суспензии. [7]
 |
Принципиальная схема производства экстракционной фосфорной. [8] |
Для выращивания крупных кристаллов гипса в экстракторах поддерживается температура 70 - 75 С. Необходимая температура достигается за счет тепла реакции и регулируется охлаждением с помощью вакуум-испарителя. [9]
Методы выращивания крупных кристаллов для веществ с узкой областью температур, в которой кристаллы могут расти без спонтанного образования зародышей, должны быть еще разработаны. Значительных успехов следует ожидать и от исследований влияния состава газовой питающей фазы ( ее сложности [204]) на скорость образования зародышей и на внешний вид кристаллов. [10]
Так как выращивание крупных кристаллов титаната бария представляет большие трудности, то обычно используется керамика, получающаяся спеканием мелких кристаллов с цементирующим веществом. Образцы подвергаются предварительной поляризации в постоянном электрическом поле напряженностью несколько киловольт на сантиметр. Электроды наносятся вжиганием серебра при изготовлении керамики. [11]
Существуют методы выращивания крупных кристаллов металлов весом до нескольких килограммов. [12]
На протяжении многих веков выращиванием крупных кристаллов занимались просто ради любопытства. [13]
В последнее время разработаны специальные методы выращивания крупных кристаллов моноаммонийфосфата, которые применяются для изготовления высокочастотных осцилляторов, используемых в электронной технике. [14]
Оба вида перемешивания находят применение при выращивании крупных кристаллов, не выдерживающих по тем или иным причинам механических нагрузок, возникающих в них в тех случаях, когда они крепятся к движущемуся кристаллоносцу. [15]
Страницы: 1 2 3