Выращивание - крупный кристалл
Cтраница 2
Практические рекомендации по режиму охлаждения парафинового дистиллята обеспечивают выращивание крупных кристаллов парафина и исключают вторичное зародышеобразование. [16]
Абсорбция аммиака с получением ненасыщенного раствора сульфата аммония, имеющего оптимальную для выращивания крупных кристаллов избыточную кислотность ( около 1 %), можно осуществлять в аппаратах различных типов: противо-точных абсорберах ( 2 - 3 тарелки), скрубберах Вентури, форсуночных аппаратах и т.п. На отечественных установках используют преимущественно двухступенчатые форсуночные абсорберы, хотя эти аппараты и обладают определенными недостатками. [17]
Таким образом, пояски и выбор оптимального состава газовой фазы и изучение закономерностей кристаллизации открывают перспективы для воспроизводимого выращивания крупных кристаллов окиси цинка при сниженной температуре кристаллизации. [18]
Преимущества изучения свойств материалов на кристаллах были своевременно оценены и за границей, и там ученые трудились над проблемой выращивания крупных кристаллов. Таким образом, достижения советских ученых в области получения кристаллов представляют немаловажный вклад в мировую науку. [19]
В очень чистом железе ( существенно выше 99 99 %) отчетливо проявляется тенденция ( как и в случае алюминия) к полигониза-ции, благодаря чему выращивание крупных кристаллов приходится проводить специальными технологическими приемами. [20]
В целом описанные устройства обеспечивают эффективное регулирование как коротких, порядка нескольких минут, промышленных режимов синтеза алмазов мелких фракций, так и режимов длительностью в десятки часов, используемых при выращивании крупных кристаллов. [21]
Пока достигнуты незначительные успехи по выращиванию крупных кристаллов тех или иных материалов в метастабильных условиях, но если такую методику довести до практической целесообразности, то она сулит так много преимуществ, что заслуживает того, чтобы здесь хотя бы в общих чертах остановиться на ней. Если высокотемпературную полиморфную модификацию можно вырастить непосредственно в условиях, когда она метастабильна, то приобретают силу все преимущества низкотемпературного роста, перечисленные в разд. Разумеется, процесс значительно легче провести экспериментально тогда, когда полиморфную модификацию высокого давления удается выращивать при низких давлениях, при которых она неустойчива. [22]
 |
Схема получения технического нафталина кристаллизацией с механическим отделением кристаллов от жидкости. [23] |
В технологической схеме переработки смолы кристаллизация нафталиновой фракции является промежуточным процессом между ректификацией смолы и разделением фракции на твердую и жидкую фазы. Для разделения нафталиновых фракций центрифугированием или холодным прессованием требуется выращивание сравнительно крупных кристаллов, тогда как в условиях горячего прессования удовлетворительно прессуются и сравнительно мелкие кристаллы. [24]
Напряжения в мелких кристаллах обычно проявляются не слишком сильно. В основном борьба с напряжениями и их проявлениями начинается при переходе к выращиванию крупных кристаллов. [25]
Выращивание кристаллов соли осуществляют в специальном кристаллизаторе с вакуумным испарителем. В результате упаривания и понижения температуры в кристаллизаторе раствор становится более пересыщенным, благодаря чему достигается выращивание крупных кристаллов сульфата аммония. [26]
Однако при этом скорость роста кристалла составляет 3 - 5 мм в сутки, и эта методика еще никем не применялась для выращивания крупных кристаллов. [27]
Современное состояние теории не позволяет предсказывать оптимальные условия для получения кристаллов. Понимание взаимосвязей основных параметров, влияющих на рост кристаллов, закономерностей кристаллизации необходимо при выборе оптимальных условий роста, но не заменяет предварительного, до постановки пробных опытов по выращиванию крупных кристаллов, ознакомления с ростом кристаллов из выбранного растворителя. [28]
Фосфатная мука и раствор разбавления поступают непрерывно в смеситель 1, в котором они смешиваются в течение нескольких минут. Число экстракторов и распределение серной кислоты между ними подбирают таким образом, чтобы концентрация серной кислоты в первых двух экстракторах была оптимальной. Для выращивания крупных кристаллов гипса необходимо, чтобы реагенты qcтaвaлиcь в первом экстракторе не менее 1 - 2 час. [29]
Для сырья, содержащего много полуторных окислов, применяют повышенную норму серной кислоты. Для выращивания крупных кристаллов гипса в экстракторах поддерживают температуру 70 - 75 С. [30]
Страницы: 1 2 3