Выращивание - монокристалл - германий
Cтраница 1
 |
Схема установки для выращивания монокристаллов методом Чохральского. [1] |
Выращивание монокристаллов германия, кремния и ряда других веществ методом вытягивания из расплавов ( рис. 6.5, г) является в настоящее время наиболее распространенным при промышленном производстве больших монокристаллов с контролируемыми и воспроизводимыми свойствами. [2]
При выращивании монокристаллов германия в тигле без вращения и с вращением ( приводящим к перемешиванию жидкости у фронта растущего кристалла) закономерность изменения коэффициента ликвации сурьмы показана на фиг. Как следует из фиг. [3]
При выращивании монокристаллов германия обычной скоростью роста является 2 мм / мин. В случае повышения до 5 - 6 мм / мин переохлаждение расплава возрастает до 10 С и более. При этом фронт кристаллизации представляет собой сочетание грани 111 и параболоидной поверхности кривизной 50 - 80 м 1; плотность дислокаций возрастает до 2 - 5 10 - 4см - 2, появляются малоугловые границы, в ряде случаев возникает блочная структура, часты случаи двойникования. [4]
 |
Вид зоны во вращающемся контейнере при плавлении стержней германия ( а, антимонида индия ( б.| Уровень расплава, необходимый для получения хорошего слитка InSb. [5] |
Исходя из результатов выращивания монокристаллов германия во вращающемся контейнере [ 3 - 81, первостепенной задачей в данном случае было получение слитков InSb с так называемой хорошей поверхностью. Слиток должен был иметь тонкослоистую текстуру и диаметр, меньший диаметра контейнера по всей длине - на 0 2 мм. [6]
В предыдущей статье описывался метод выращивания монокристалла германия, легированного железом и содержащего высокоомные участки электронной и дырочной проводимостей при низких температурах. [7]
В настоящей главе излагаются результаты экспериментальных работ по выращиванию монокристаллов германия с малым разбросом удельного сопротивления по радиусу слитка, с минимальным числом дислокаций. Приводятся результаты исследований температурного поля в расплаве в зависимости от конструкции нагревателя, от размещения тигля внутри него. Эффективность нагревателя, поля температур, сформированного в расплаве, оценивается в зависимости от качества полученного кристалла. Подробно рассматриваются схемы теплового экранирования, с помощью которых получены бездислокационные монокристаллы. [8]
В последней, VI главе, описаны опыты по выращиванию монокристаллов германия с равномерным распределением удельного сопротивления по сечению слитка, бездислокационных и с малой плотностью дислокаций монокристаллов. Экспериментальный материал получен на лабораторных и промышленных установках. Шестая глава написана на основе отчетов лаборатории тепловых режимов вакуумных агрегатов. [9]
Дик и Остробородова [521], а также Изергин [522] описали установки для выращивания монокристаллов германия. [10]
Основные черты этого метода, в котором затравка погружается в расплав и затем медленно вытягивается из него, в применении к выращиванию монокристаллов германия были рассмотрены в гл. Однако при приложении этого метода к кремнию возникают дополнительные трудности, которые мы здесь кратко рассмотрим. [11]
Помня из предыдущих параграфов о том, что чисто механические способы изготовления р-л-переходов слишком грубы и не дают положительных результатов, мы сразу приступим к описанию метода изготовления плоскостных триодов / г-р-я-типа с р-я-переходами, полученными изменением состава расплава при выращивании монокристалла германия в отличие от диффузионного метода, применяемого при изготовлении транзисторов р-п-р-тша. [12]
Такой р - / г-переход образуется в кристалле полупроводника, если в нем с помощью соответствующих примесей будут созданы участки с различной ( п и р) проводимостью. Так, если при выращивании монокристалла германия в расплав вводить необходимые примеси, то получается монокристалл, в котором имеются последовательно расположенные области с различными типами проводимости. [13]
В первом случае фронт кристаллизации имеет кривизну, знак которой определяется соотношением радиального и осевого температурных градиентов в расплаве. При переходе от такого момента ко второму при выращивании монокристаллов германия в направлении [111] на фронте появляется грань 111, причем она может занимать всю поверхность фронта. Третий случай приводит к необычной форме фронта - появляется пучек дендритов. В настоящей работе рассматриваются первые два варианта. [14]
Например, в монокристаллах антимонида индия, легированных теллуром, обнаружено аномальное поведение примесного канала, объясняемое установленной впервые гравитационной чувствительностью такого фундаментального ростового явления, как эффект грани. Эксперименты по выращиванию монокристаллов германия, легированного галлием, впервые явно продемонстрировали зависимость эффективного коэффициента распределения примесей от первоначальной концентрации примесей в исходном кристалле. В кристаллах, выращиваемых методом Бриджмена, была впервые обнаружена так называемая шейка - область роста кристалла без контакта со стенкой ампулы. [15]
Страницы: 1 2