Выращивание - монокристалл - германий
Cтраница 2
Он может быть осуществлен в одном и том же кристалле полупроводника, если в нем иэ соответствующих примесей созданы области различной ( п и р) проводимости. Обычно области различной проводимости полупроводника создают либо обработкой однородных монокристаллов, либо при. Так, если при выращивании монокристалла германия в расплавленный металл вводить необходимые примеси, то получается монокристалл, в котором имеются последовательно расположенные области с различным типом проводимости. [16]
Для уменьшения тока насыщения удельное сопротивление коллекторной области должно быть мало, а время жизни неосновных носителей ( дырок) в ней велико. Кроме того, желательно, чтобы площадь поперечного сечения кристалла была небольшой, достаточной лишь для рассеяния тепловой мощности и удовлетворения механическим требованиям. Однако условия получения п-р - п структур в процессе выращивания монокристалла германия практически ограничивают минимально возможное значение удельного сопротивления коллекторной области рс. С учетом допустимых экспериментальных погрешностей при получении заданного удельного сопротивления базовой области р & величина ( NA - ND) в базовой области должна быть примерно того же порядка, как ( ND - NA) в коллекторной области. [17]
Настоящая монография посвящена проблемам тепло-и массообмена при выращивании монокристаллов методом Чохральского. Монография составлена на основе теоретических и экспериментальных исследований, проводимых в лаборатории тепловых режимов вакуумных агрегатов Московского института инженеров транспорта, которая последние десять лет была занята изучением тепло - и массообмена процессов при выращивании монокристаллов германия. [18]
 |
Распределение примесей при создании электронно-дырочного перехода путем диффузии. [19] |
Коэффициент сегрегации некоторых примесей изменяется с изменением скорости вытягивания. Так, при выращивании монокристалла германия коэффициент сегрегации сурьмы ( донор для германия) увеличивается при возрастании скорости роста, а у галлия ( акцептор для германия) он остается неизменным. [20]
Во-вторых, метод выращивания кристалла с p - n - переходом из расплава, содержащего одновременно как донорные, так и акцепторные примеси, путем изменения скорости вытягивания. Коэффициент сегрегации некоторых примесей изменяется с изменением скорости вытягивания. Так, при выращивании монокристалла германия коэффициент сегрегации сурьмы ( донор для германия) увеличивается при возрастании скорости роста, а у галлия ( акцептор для германия) он остается неизменным. Таким образом, изменение скорости дает возможность вытягивать монокристалл с преобладанием той или другой примеси. [21]
Эта задача является наиболее сложной и менее разработанной в расчете оборудования. Отсутствие теоретических расчетов подавляющего большинства технологических процессов не всегда позволяет теоретически обосновать эти требования. Однако имеются технологические операции, которые предъявляют вполне определенные требования к законам движения рабочих органов. Например, для выполнения технологического процесса выращивания монокристаллов германия и кремния требуется осуществлять изменение скорости подъема штока с затравкой по определенному закону; или, например, технологический процесс откачки электровакуумных приборов в большинстве случаев поддается ориентировочным расчетам, даже с учетом времени обезгаживания арматуры и прибора в целом в процессе откачки. [22]
Чем больше отличается / Сэфф от единицы, тем резче изменение концентрации примеси по длине слитка. Отсюда следует, что наиболее очевидным методом уменьшения неоднородности кристалла является выращивание монокристаллов заданных размеров из возможно большего объема расплава. Последующее добавление к материалу, оставшемуся в тигле и обогащенному примесью соответствующего количества чистого материала, позволяет еще раз использовать расплав для выращивания еще одного слитка. Такой метод может быть успешно применен для выращивания монокристаллов германия, но не кремния, так как оставшийся в кварцевом тигле расплав кремния при затвердевании крепко сцепляется с кварцем и рвет его. [23]
Освещены вопросы тепло - и массообмена в процессах получения монокристаллов вытягиванием из расплава. Приведены основные уравнения процесса и их анализ на базе теории подобия. Большое внимание уделено вопросам кинетики расплава. Рассматривается влияние сил поверхностного натяжения на геометрию поверхности раздела фаз и дефекты структуры слитка. Освещены результаты экспериментального и аналитического исследований тепловых полей в монокристаллах. Рассмотрены задачи диффузии легирующих примесей в твердой фазе кристалла. Приведены результаты экспериментальных работ, связанных с выращиванием монокристаллов германия с равномерными свойствами по сечению слитка, получением бездислокационных и с малой плотностью дислокаций монокристаллов. [24]
Страницы: 1 2