Полное вырождение
Cтраница 2
И последним, важным условием интеркомбинационной конверсии является полное или почти полное вырождение двух взаимопревращающихся состояний. Синглетное состояние со слишком большим вкладом ионного характера более стабильно, чем его чисто ковалентный триплетный аналог, и интеркомбинационная конверсия будет неэффективной. Такое виб-ронное вырождение иногда создается инородным газом или боковыми цепями, приводящими к появлению множества близкорасположенных колебательных уровней. [16]
Тепловое излучение сопровождает процесс взрыва КВВ от момента возбуждения детонации до полного вырождения воздушной УВ и остывания ПД за счет механизмов обычной ( диффузионной) и лучистой теплопроводности. Для излучающего многокомпонентного газа при температуре до 12 - 103 К это положение не всегда справедливо. Различают три основных механизма теплового излучения. Связанно-связанные переходы в молекулах ( спектры состоят из большого числа вращательных линий, сгруппированных в системы полос), атомах и ионах дают серии спектральных линий, имеющих мул ьтип летную структуру и сходящихся к соответствующим нормам фотоионизации. Свободно-связанные переходы сопровождаются явлениями фотоионизации атомов и молекул, фотодиссоциации молекул, фотоотрыва и другими сопутствующими процессами. Свободно-связанные и связанно-свободные переходы приводят к образованию спектров поглощения и излучения. [17]
Тепловое излучение сопровождает процесс взрыва КВВ от момента возбуждения детонации до полного вырождения воздушной В и остывания ПД за счет механизмов обычной ( диффузионной) Я лучистой теплопроводности. [18]
Тепловое излучение сопровождает процесс взрыва КВВ от момента возбуждения детонации до полного вырождения воздушной УВ и остывания ПД за счет механизмов обычной ( диффузионной) и лучистой теплопроводности. [19]
Изживая все свое былое прогрессивное содержание, буржуазный строй ведет к полному вырождению господствующих в нем классов, все более отталкивая от себя лучшие умственные и моральные силы страны и заставляя их тяготеть к противоположному лагерю угнетенных и эксплуатируемых. [20]
До тех пор, пока кварки взаимодействуют с одними глюона-ми, имеется полное вырождение по сортам кварков. При этом верхние кварки остаются вырожденными между собой, вырождены между собой и нижние кварки. Включение взаимодействия с хигг-совыми бозонами ( Я-бозонами) снимает эти вырождения, выделяя некоторые направления в каждом из пространств. Взаимодействие с W-бозонами выделяет в пространстве d - и s - кварков некоторое новое направление. Несогласованность этих двух направлений ( обусловленных Я - и W - взаимодействиями) характеризуется углом Кабиббо. [21]
Состояние, в котором энергия совершенно не зависит от температуры, называется состоянием полного вырождения. [22]
При местной закрутке потока благодаря силам вязкости происходит непрерьшное изменение структуры потока по длине канала вплоть до полного вырождения вращательного движения. Поэтому в таких условиях не существует стабилизированного закрученного течения. Это обстоятельство является причиной усложнения механизма протекающих в закрученном потоке процессов и трудностей выявления управляющих этими процессами закономерностей. [23]
При р 0 и Т О функция е гпринимает наименьшее возможное значение, равное нулю, - случай полного вырождения. [24]
Если электропроводность объясняется перезарядкой ионов, зонная теория полупроводников, по-видимому, в простейшем виде неприменима; не происходит полного вырождения уровней валентных электронов в отдельных ионах, а сохраняется периодичность в энергетическом спектре валентных электронов кристалла. Катионы решетки находятся в потенциальной яме, так что переход электрона от катиона к катиону требует энергии активации, а длина свободного пробега электрона соответствует междуатомным расстояниям в кристаллической решетке. Менделеева), но и межатомными расстояниями в кристалле, что указывает на значение геометрических параметров кристалла в отношении его каталитической активности. [25]
Если электропроводность объясняется перезарядкой ионов, зонная теория полупроводников, по-видимому, в простейшем виде неприменима; не происходит полного вырождения уровней валентных электронов в отдельных ионах, а сохраняется периодичность в энергетическом спектре валентных электронов кристалла. Катионы решетки находятся в потенциальной яме, так что переход электрона от катиона к катиону требует энергии активации, а длина свободного пробега электрона соответствует междуатомным расстояниям в кристаллической решетке. Менделеева), но и междуатомными расстояниями в кристалле, что указывает на значение геометрических параметров кристалла в отношении его каталитической активности. [26]
 |
Сравнение энергий состояний 3d i и 3d 4s для ионов М.| Сравнение энергий состояний E ( 3dn - - Е ( ЫП-1 4s для ионов Ма. [27] |
Этот атом имеет не только сближенные, но совпадающие по величине значения энергетических уровней 3d, Зр и 3s, что и называется полным вырождением. [28]
Поверхностные пленки, нанесенные, например, на усы меди методом вакуумного распыления, ( подобно увеличению диаметра нитевидного кристалла), приводят к полному вырождению области легкого скольжения, что, очевидно, объясняется блокирующим действием пленок, которые препятствуют выходу дислокаций на поверхность кристалла. Следует обратить внимание на то, что пленки не влияют на упругие свойства: предел упругости усов с пленкой оставался высоким и сохранялась его зависимость от диаметра. [29]
Следовательно, мы получаем дублетный терм 2D, который имеет пятикратное орбитальное вырождение и. Полное вырождение равно 5 - 210, что соответствует нахождению электрона на одной из пяти d - орбиталей с одним из двух возможных направлений спина. [30]
Страницы: 1 2 3 4