Высота - потенциальный барьер - переход
Cтраница 1
Фоз-равновесная высота потенциального барьера перехода металл ( затвор) - полупроводник ( арсенид галлия-алюминия); d - суммарная толщина легированного донорами и нелегированного слоев арсенида галлия-алюминия; еп. [1]
 |
Схематическое изображение двух стадий ( а и б разделения транзистора р-п-р-п на два условных триода р-п - р и п-р - п. [2] |
Когда приложены внешние напряжения указанной выше полярности, высота потенциального барьера среднего перехода резко возрастает, а высота левого и правого потенциальных барьеров несколько понижается. [3]
Исследование кинетики процесса дало возможность впервые экспериментально определить высоту потенциального барьера перехода водорода в водородных связях, являющуюся важной характеристикой этих связей. При комнатной температуре как нашли И. П. Грагеров и Г. П. Миклухин, ядра хинона и гидрохинона сохраняют в хингидроне свою индивидуальность. Водород в водородных связях остается локализованным у ядра гидрохинона, а не расположен в центре этих связей и не осциллирует, как это предполагалось ранее. [4]
Поэтому электроны, накапливаясь в области п, образуют избыточный отрицательный заряд, который понижает высоту потенциального барьера перехода и, следовательно, вызывает увеличение инжекции дырок из области р в область rii. Инжектированные дырки диффундируют к переходу Я2, проходят через него и попадают в область р2, накапливаясь там. [5]
При прямом напряжении на диоде внешнее напряжение частично компенсирует контактную разность потенциалов на электронно-дырочном переходе, так как внешнее электрическое поле при прямом включении диода направлено в противоположную сторону диффузионному полю. Поэтому высота потенциального барьера перехода уменьшается пропорционально приложенному к диоду напряжению. Пренебрегая падением напряжения на базе диода, рассмотрим диод при малых прямых токах. [6]
При прямом напряжении на диоде внешнее напряжение частично компенсирует контактную разность потенциалов на р-п-перехо-де, так как внешнее электрическое поле при прямом включении диода направлено противоположно диффузионному полю. Поэтому высота потенциального барьера перехода уменьшается пропорционально приложенному к диоду напряжению. Пренебрегая падением напряжения на базе диода, рассмотрим диод при малых прямых токах. [7]
Пороговое напряжение слабее зависит от напряжения исток - подложка в транзисторе с коротким каналом, чем с длинным. Действительно, рост ( / ип увеличивает высоту потенциального барьера р-п перехода исток - подложка, как и в случае длинного канала. Но одновременно из-за расширения стокового р-п перехода увеличивается напряженность продольного электрического поля, что частично компенсирует рост высоты барьера у поверхности, а значит, и порогового напряжения. [8]
При возрастании температуры, с одной стороны, уменьшается высота потенциального барьера переходов затвора, уменьшается ж ширина, ширина канала возрастает, сопротивление канала падает и соответственно ток стока увеличивается. Однако, с другой стороны, уменьшается подвижность электронов в канале, что приводит к возрастанию сопротивления канала и соответственно падению тока стока. [9]
Приложение к p - n - переходу внешнего напряжения изменяет высоту потенциального барьера перехода и соотношение между диффузионными и дрейфовыми токами. Через переход начинает проходить результирующий ток. Если внешнее напряжение приложено плюсом к р-слою, то высо-та потенциального барьера снижается ( см. рис. 2.25, б) и ток через переход возрастает. Напряжение такой полярности называется прямым. [10]
При повышении напряжения l / си величина Еи растет, а высота потенциального барьера р-п перехода исток - подложка у поверхности понижается. [11]
Рассмотрим теперь прохождение токов в цепях транзистора при замыкании всех трех ключей. Как видно из рис 7.7, подключение транзистора к внешним источникам питания приводит к изменению высоты потенциальных барьеров р-п переходов. Потенциальный барьер эмиттерного перехода понижается, а коллекторного - увеличивается. [12]
В спектрах люминесценции изомеров наблюдается обратная зависимость - ди ( пиразолинил-1) бензолы флуоресцируют в более длинноволновой области. Большое стоксово смещение у соединений XXXVII связывают [118] с отсутствием у них жесткой копланарной структуры ( высота потенциального барьера перехода молекулы аммиака в плоское состояние равна 26 9 кДж / моль [ 119, с. Вследствие этого увеличиваются потери энергии электронного возбуждения на конформационные переходы. [13]
 |
Зависимость величины Р / р от угла в, рассчитанная по формуле. [14] |
Рассчитанным таким образом углам 9 соответствуют по меньшей мере две конформации, которые энергетически равновероятны. Между конформациями осуществляется переход с частотой v г р ехр ( - E / RT), где Е - высота потенциального барьера перехода. [15]
Страницы: 1 2